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電子束刻蝕系統(tǒng)產(chǎn)品及廠家

英國Oxford 反應離子刻蝕機
plasmapro 800系列是結(jié)構(gòu)緊湊、且使用方便的直開式系統(tǒng),該系統(tǒng)為大批量晶圓和300mm晶圓上的反應離子蝕刻(rie)工藝提供了靈活的解決方案。大尺寸的晶圓平臺能夠處理量產(chǎn)別的批量以及300mm晶圓的工藝。
更新時間:2024-11-21
德國Sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)
德國sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng),包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂,可適用于三至六個端口。可以使用多達兩個片盒站來增加產(chǎn)量。傳送腔室可以配備多種選擇。
更新時間:2024-11-21
Sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)
sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng)sentech 集成等離子刻蝕和沉積的多腔系統(tǒng),sentech多腔系統(tǒng)包括等離子刻蝕和/或沉積腔體、傳送腔室、預真空室或片盒站。傳送腔室包括傳送機械手臂,可適用于三至六個端口?梢允褂枚噙_兩個片盒站來增加產(chǎn)量。傳送腔室可以配備多種選擇。
更新時間:2024-11-21
赫爾納-供應德國Heute清潔系統(tǒng)005-0790B
德國總部直接采購heute清潔系統(tǒng),原裝產(chǎn)品,貨期好,支持選型,為您提供對好的解決方案:赫爾納大連公司在中國設有10個辦事處,可為您提供好的維修服務。
更新時間:2024-11-06
聚焦離子束&電子束裝置NB5000
1、微電腦液晶顯示屏,可在線實時監(jiān)測ro水和up水水質(zhì)2、采用一柱雙芯一體式純化柱,更換簡單,使用壽命長3、監(jiān)控濾芯更換周期,中文顯示濾芯更換信息4、采用原裝進口陶氏反滲透膜和陶氏樹脂,保證產(chǎn)水水質(zhì)進水要求
更新時間:2024-10-25
FB2200聚焦離子束系統(tǒng)
1、微電腦液晶顯示屏,可在線實時監(jiān)測ro水和up水水質(zhì)2、采用一柱雙芯一體式純化柱,更換簡單,使用壽命長3、監(jiān)控濾芯更換周期,中文顯示濾芯更換信息4、采用原裝進口陶氏反滲透膜和陶氏樹脂,保證產(chǎn)水水質(zhì)進水要求
更新時間:2024-10-25
KLA Candela 8720表面缺陷檢測系統(tǒng)
candela 8720高集成表面和光致發(fā)光(pl)缺陷檢測系統(tǒng)可捕捉各種關(guān)鍵的襯底和外延缺陷。利用統(tǒng)計過程控制(spc)方法實現(xiàn)自動化晶片檢測顯著降低了由于外延缺陷造成的產(chǎn)量損失,小化了金屬有機化學氣相沉積(mocvd)反應器工藝偏差,并增加了mocvd反應器的正常運行時間。
更新時間:2024-10-21
KLA Candela 8420表面缺陷檢測系統(tǒng)
candela 8420是一種表面缺陷檢測系統(tǒng),它使用多通道檢測和基于規(guī)則的缺陷寧濱來檢測不透明、半透明和透明晶圓上的顆粒和劃痕,如砷化鎵(gaas)、磷化銦(inp)、鉭酸鋰、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石和其他化合物半導體材料。8420表面缺陷檢測系統(tǒng)采用有的osa(光學表面分析儀)架構(gòu),可同時測量散射強度、形貌變化、表面反射率和相移,用于自動檢測和分類各種感興趣的缺陷(doi)。
更新時間:2024-10-21
EVG40 NT光刻系統(tǒng)
更新時間:2024-10-21
EVG50自動晶圓鍵合系統(tǒng)
更新時間:2024-10-21
EVG105抗蝕處理系統(tǒng)
更新時間:2024-10-21
EVG320 D2W全自動晶圓鍵合系統(tǒng)
更新時間:2024-10-21
美國Nanonex納米壓印系統(tǒng)NX-2500
nanonex納米壓印系統(tǒng)nx-2500
更新時間:2024-10-21
日本Microphas 磁控濺射系統(tǒng)
全球業(yè)的沉積設備制造商,為各個域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案:電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延mbe、有機分子束沉積ombd、等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)pecvd/icp etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等。
更新時間:2024-10-21
日本Microphase 電子束蒸發(fā)系統(tǒng) EBES
全球業(yè)的沉積設備制造商,為各個域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案:電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延mbe、有機分子束沉積ombd、等離子增強化學氣相淀積系統(tǒng)pecvd/icp etcher、電子回旋共振等離子體增強化學氣相沉積、離子泵等。
更新時間:2024-10-21
AdNaNotek 電子束蒸發(fā) EBS-150
更新時間:2024-10-21
Nikon 一號線步進器 NSR-SF 155
更新時間:2024-10-21
Nikon NES1W-i05·NES2W-i05
使用分辨率≤1.2m提供i-line功能適應具有10米聚焦深度的具有挑戰(zhàn)性的過程需求大限度地提高生產(chǎn)率,吞吐量超過75 wph用22 mm的場地尺寸增強與nsr步進器的混合和匹配提供出色的覆蓋性能支持背面對準0.8米
更新時間:2024-10-21
Nikon FX-103 SH/103s 光刻系統(tǒng)
更新時間:2024-10-21
Nikon FX-67S2/67s光刻系統(tǒng)
更新時間:2024-10-21
新能源汽車電工電子數(shù)電模電實驗實訓系統(tǒng)
該設備針對性地提煉與新能源汽車直接相關(guān)的電工、電子、數(shù)電、模電等方面的核心、必備知識要點,并通過從“基本原理”落地到“在新能源汽車上的具體應用”進行系統(tǒng)性、原理性教學,為學生建立理論基礎及其在新能源汽車領(lǐng)域的應用方法。設備涵蓋了典型的半導體元器件、基本放大電路、多級放大電路、集成運算放大器電路、脈沖波形產(chǎn)生變換電路、功率放大電路、組合邏輯電路、a/d和d/a轉(zhuǎn)換電路、汽車車前燈模塊等典型元器件與電
更新時間:2024-09-24
電工電子故障考核排故系統(tǒng)
該單元應用于各職業(yè)院校、培訓機構(gòu)的電工、電子維修排故訓練設備。 人機界面采用液晶顯示屏,操作簡單明了,具有很好的互交性。 控制芯片采用stc89c52,輸出部分采用臺灣產(chǎn)繼電器,所有元器件均經(jīng)過嚴格測試。 電路設計優(yōu)化合理,生產(chǎn)工藝嚴格完善,保證機器的可靠性和穩(wěn)定性。 可設置更多個故障點(擴容后)。 故障編號可以隨意更改。 每個故障點都可以設置為開路或短路故障。 設置的參數(shù)在斷電后不會丟失。 輸出
更新時間:2024-09-24
紫外固化納米結(jié)構(gòu)壓印機 UV固化納米壓印機
r2p/r2r微納米結(jié)構(gòu)壓印,納米壓印光刻機,紫外固化壓印機,紫外固化納米結(jié)構(gòu)壓印機 uv固化納米壓印機,紫外固化納米結(jié)構(gòu)壓印機 uv固化納米壓印機
更新時間:2024-09-15
美國電子束曝光系統(tǒng)(納米圖形發(fā)生系統(tǒng))(南京覃思)
在過去的幾年中,半導體器件和ic生產(chǎn)等微電子技術(shù)已發(fā)展到深亞微米階段及納米階段。為了追求晶片更高的運算速度與更高的效能,三十多年來,半導體產(chǎn)業(yè)遵循著摩爾定律(moore’s law):每十八個月單一晶片上電晶體的數(shù)量倍增,持續(xù)地朝微小化努力。為繼續(xù)摩爾定律,在此期間,與微電子域相關(guān)的微/
更新時間:2024-09-14
量產(chǎn)用刻蝕設備
量產(chǎn)用刻蝕設備ne-5700/ne-7800量產(chǎn)用刻蝕設備ne-5700/ne-7800是可以對應單腔及多腔、重視性價比擁有擴展性的刻蝕設備。
更新時間:2024-06-27
多功能刻蝕機
gse c200 多功能刻蝕機等離子體源設計,保證良好的刻蝕均勻性
更新時間:2024-06-21
NRE-4000 (A) 全自動反應離子刻蝕
nre-4000是一款獨立式rie反應離子刻蝕系統(tǒng),配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12”的晶圓片。腔體為超凈設計,并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時間:2024-03-28
NRE-3500 (M) RIE反應離子刻蝕機
nre-3500(m)rie反應離子刻蝕機概述:獨立式rie反應離子刻蝕系統(tǒng),淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設計,并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時間:2024-03-28
NRE-3500 (A) 全自動RIE反應離子刻蝕機
nre-3500(a)全自動rie反應離子刻蝕機概述:獨立式rie反應離子刻蝕系統(tǒng),淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設計,并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時間:2024-03-28
NRE-3000 RIE反應離子刻蝕機
nre-3000rie反應離子刻蝕機概述:獨立式rie反應離子刻蝕系統(tǒng),淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12"的晶圓片。腔體為超凈設計,并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時間:2024-03-28
NPC-4000(M) 等離子刻蝕機
npc-4000(m)等離子刻蝕機概述:nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用,從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用pc控制,可以配套不同的等離子源,加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。
更新時間:2024-03-28
NPC-4000(A)全自動等離子刻蝕機
npc-4000(a)全自動等離子刻蝕機概述:nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用,從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用pc控制,可以配套不同的等離子源,加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用
更新時間:2024-03-28
NPC-3500(M)等離子刻蝕機
npc-3500(m)等離子刻蝕機概述:nano-master 等離子灰化和清洗系統(tǒng)是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用,從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用pc控制,可以配套不同的等離子源,加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用
更新時間:2024-03-28
NPC-3500(A)全自動等離子刻蝕機
npc-3500(a)全自動等離子刻蝕機概述:nano-master 等離子刻蝕和清洗系統(tǒng)是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用,從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用pc控制,可以配套不同的等離子源,加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。
更新時間:2024-03-28
NPC- 3000 等離子刻蝕機
npc-3000等離子刻蝕機概述:nano-master 等離子灰化和清洗系統(tǒng)是專門設計用來滿足晶圓批處理或者單晶片處理的廣泛應用,從晶圓的光刻膠剝離到表面改性都涉及到。該系列的設備采用pc控制,可以配套不同的等離子源,加熱或不加熱基片夾具,具有獨一無二的能力:可以從pe等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式,也就是說可以支持各向同性和各向異性的各種應用。
更新時間:2024-03-28
NIE-4000 (M) IBE離子束刻蝕
nano-master的離子束刻蝕系統(tǒng)具有很強的適應性,可根據(jù)不同的應用而按不同的配置進行建構(gòu)。多樣的樣片夾具和離子源配置可支持用戶不同的應用。用于離子束系統(tǒng)(或稱離子銑系統(tǒng))的樣片夾具可以支持±90°傾斜、旋轉(zhuǎn)、水冷和背氦冷卻。 nano-master技術(shù)已經(jīng)展示了可以把基片文庫保持在50°c以內(nèi)的能力。通過傾斜和旋轉(zhuǎn),可以刻蝕出帶斜坡的槽,并且改善了對側(cè)壁輪廓和徑向均勻度的控制。
更新時間:2024-03-28
NIE-4000 (A) 全自動IBE離子束刻蝕
nie-4000(a)全自動ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述:如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在rie系統(tǒng)中完成。然而通過加速的ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下,樣品表面采用厚膠作為掩模層,刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量,否則光刻膠將變得非常難以去除。
更新時間:2024-03-28
NIE-4000 (R) RIBE反應離子束刻蝕
nie-4000(r)ribe反應離子束刻蝕產(chǎn)品概述:如銅和金等金屬不含揮發(fā)性化合物,這些金屬的刻蝕無法在rie系統(tǒng)中完成。然而通過加速的ar離子進行物理刻蝕則是可能的。通常情況下,樣品表面采用厚膠作為掩模層,刻蝕期間富有能量的離子流會使得基片和光刻膠過熱。除非可以找到有效的方式消除熱量,否則光刻膠將變得非常難以去除。
更新時間:2024-03-28
NIE-3500 (M) IBE離子束刻蝕
nie-3500(m)ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述:該系統(tǒng)為計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng),具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優(yōu)勢。所有核心組件均為國際知名品牌。
更新時間:2024-03-28
NIE-3500 (A) 全自動IBE離子束刻蝕
nie-3500(a)全自動ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述:該系統(tǒng)為全自動上下載片,并且通過計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的緊湊型獨立的立柜式離子束刻蝕系統(tǒng),系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優(yōu)勢。該系統(tǒng)所配套的所有核心組件均為國際知名品牌。
更新時間:2024-03-28
NIE-3000 IBE離子束刻蝕
nie-3000ibe離子束刻蝕產(chǎn)品概述:該系統(tǒng)為手動放片取片,但通過計算機全自動實現(xiàn)工藝控制的臺式離子束刻蝕系統(tǒng),系統(tǒng)具有結(jié)構(gòu)緊湊、功能強大、自動化程度高、模塊化設計易于維護、低成本的優(yōu)勢。該系統(tǒng)所配套的所有核心組件均為國際知名品牌。
更新時間:2024-03-28
NRE-4000 (ICPA) 全自動ICP刻蝕系統(tǒng)
nre-4000(icpa)全自動icp刻蝕系統(tǒng)概述:自動上下載片,是帶icp等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng),具有高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕能力?蓪崿F(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝,包括刻蝕iii-v化合物(如gaas,inp,gan,insb)、ii-vi化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬,以及硅和硅的化合物(如sio2、si3n4、sic、sige)等。
更新時間:2024-03-28
NDR-4000 (A) 全自動DRIE深反應離子刻蝕
ndr-4000(a)全自動drie深反應離子刻蝕概述:全自動上下載片,帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng),帶8" icp源。系統(tǒng)可以配套500l/s抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達到幾mtorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下,系統(tǒng)可以達到硅片的高深寬比刻蝕。
更新時間:2024-03-28
NDR-4000 (M) DRIE深反應離子刻蝕
ndr-4000(m)drie深反應離子刻蝕概述:是帶低溫晶圓片冷卻和偏壓樣品臺的深硅刻蝕系統(tǒng),帶8" icp源。系統(tǒng)可以配套500l/s抽速的渦輪分子泵,可以使得工藝壓力達到幾mtorr的水平。在低溫刻蝕的技術(shù)下,系統(tǒng)可以達到硅片的高深寬比刻蝕。
更新時間:2024-03-28
NRE-4000 (ICPM) 全自動ICP刻蝕系統(tǒng)
nre-4000(icpm)icp刻蝕系統(tǒng)概述:是帶icp等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統(tǒng),系統(tǒng)可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實現(xiàn)范圍廣泛的刻蝕工藝,包括刻蝕iii-v化合物(如gaas,inp,gan,insb)、ii-vi化合物、介質(zhì)材料、玻璃、石英、金屬,以及硅和硅的化合物(如sio2、si3n4、sic、sige)等。
更新時間:2024-03-28
NRE-4000 (M) 反應離子刻蝕
nre-4000是一款獨立式rie反應離子刻蝕系統(tǒng),配套有淋浴頭氣體分布裝置以及水冷rf樣品.具有不銹鋼柜子以及13"的上蓋式圓柱形鋁腔,便于晶圓片裝載.腔體有兩個端口:一個帶有2"的視窗,另一個空置用于診斷.該系統(tǒng)可以支持最大到12”的晶圓片。腔體為超凈設計,并且根據(jù)配套的真空泵可以達到10-6 torr 或更小的極限真空。該系統(tǒng)系統(tǒng)可以在20mtorr到8torr之間的真空下工作。真空泵組包含一個節(jié)流閥,一個250l/s的渦輪分子泵,濾網(wǎng)過濾器,以及一個10cfm的機械泵(帶formblin泵油).rf射頻功率通過600w,13.56mhz的電源和自動調(diào)諧器提供。系統(tǒng)將持續(xù)監(jiān)控直流自偏壓,該自偏壓可以高達-500v.這對于各向異性的刻蝕至關(guān)重要。
更新時間:2024-03-28
Vion Plasma  FEI Vion Plasma 聚焦離子束系統(tǒng)(FIB)
fei vion plasma 聚焦離子束系統(tǒng)(fib)能使您的實驗室實力大增,因為只需這一臺使用簡便的設備便可獲得yi流的光刻和成像性能。采用等離子源技術(shù)的 vion pfib 擁有比傳統(tǒng)鎵 fib
更新時間:2024-03-15

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