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    Micro-LED具有優(yōu)越的性能，應(yīng)用于微型顯示器、可見光通信、光學(xué)生物芯片、可穿戴設(shè)備和生物傳感器等域。目，Micro-LED顯示的技術(shù)挑戰(zhàn)是如何獲得高分辨率和高像素密度。像素尺寸縮小、芯片的周長面積比增大，導(dǎo)致側(cè)壁的表面復(fù)合增多，非輻射復(fù)合速率變大，從而致使光電效率下降。器件制備過程中的ICP刻蝕，加重了側(cè)壁缺陷。另外，對于磷化Micro-LED，在較高的驅(qū)動電流下，熱刺激LED的多量子阱有源區(qū)和電子阻擋層中的注入電子泄漏到LED結(jié)構(gòu)的P側(cè)，導(dǎo)致效率下降，即efficiency droop現(xiàn)象。因此，LED的散熱性能對于磷化LED頗為重要。
    Micro LED應(yīng)用將從平板顯示擴展到AR/VR/MR、空間顯示、柔性透明顯示、可穿戴/可植入光電器件、光通信/光互聯(lián)、醫(yī)療探測、智能車燈等諸多域。預(yù)計到2025年，基于Micro-LED技術(shù)的產(chǎn)品如高端電視機、手機、手表等將逐步上市，市場產(chǎn)值將超過28億美元。到2035年，我國將實現(xiàn)基于Micro-LED的超大規(guī)模集成發(fā)光單元的顯示模塊，并實現(xiàn)Micro-LED在照明、空間三維顯示、空間定位及信息通信高度集成系統(tǒng)。   

    中國科學(xué)院長春光學(xué)精密機械與物理研究所應(yīng)用光學(xué)國家重點實驗室梁靜秋研究團隊使用晶圓鍵合和襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)，制備五種像素尺寸（小尺寸為10μm）的硅襯底AlGaInP紅光Micro-LED以探究其尺寸效應(yīng)。研究采用低損傷刻蝕技術(shù)減小LED芯片側(cè)壁缺陷；采用散熱性能更好的硅襯底代替GaAs襯底，改善LED芯片的散熱性，且避免GaAs襯底對紅光的吸收。實驗結(jié)果表明，隨著尺寸的減小，Micro-LED芯片的外量子效率下降，但可承受的大電流密度增加，高注入電流下散熱性改善，且中心波長隨注入電流的偏移減小。

在該文中所述的襯底疏水處理時HMDS烘箱預(yù)處理系統(tǒng)是必備的處理設(shè)備

智能型HMDS真空系統(tǒng)的用途：

   在半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝中，光刻是集成電路圖形轉(zhuǎn)移重要的一個工藝環(huán)節(jié)，涂膠質(zhì)量直接影響到光刻的質(zhì)量，涂膠工藝也顯得尤為重要。光刻涂膠工藝中絕大多數(shù)光刻膠是疏水的，而硅片表面的羥基和殘留的水分子是親水的，這造成光刻膠和硅片的黏合性較差，尤其是正膠，顯影時顯影液會侵入光刻膠和硅片的連接處，容易造成漂條、浮膠等，導(dǎo)致光刻圖形轉(zhuǎn)移的失敗，同時濕法腐蝕容易發(fā)生側(cè)向腐蝕。增黏劑 HMDS(六甲基二硅氮烷)可以很好地改善這種狀況。將HMDS氣相沉積至半導(dǎo)體制造中硅片、砷化鎵、鈮酸鋰、玻璃、藍寶石、晶圓等材料表面后，經(jīng)系統(tǒng)加溫可反應(yīng)生成以硅氧烷為主體的化合物。它成功地將硅片表面由親水變?yōu)槭杷�，其疏水基可很好地與光刻膠結(jié)合，起著偶聯(lián)劑的作用。