DF4822晶體管特性圖示儀
● 集電極掃描電壓達到500V,最大電流達2A |
● 具備交替測量顯示,可同時顯示二極管的正、反相特性 |
● 集電極電流范圍:10uA-0.2A/度。 |
● 基極電壓范圍:50mV-0.5V/度。 |
● 集電極電壓范圍:50mV-50V/度。 |
● 階梯電流范圍:5uA-10mA/級。 |
● 階梯電壓范圍:50mV-0.5V/級。 |
● 極性:正,負二檔。 |
● 每族級數(shù):10級/族。 |
外形尺寸 | 310×138×300mm | |||||||||||||||||||||||||||||||||
價格 | 2200元 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
重量 | 10kg | |||||||||||||||||||||||||||||||||
特點 | 該儀器在標準的半導(dǎo)體特性圖示儀基礎(chǔ)上進行了優(yōu)化設(shè)計,具有體積小,性高,使用簡便的特點。具有交替測量顯示功能,可同時顯示二極管的正、反相特性。低售價,性高。 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
主要技術(shù)參數(shù) |
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本機是新一代數(shù)字化測量儀器。采用新穎電路設(shè)計技術(shù),通過微處理器集中控制整個系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集、顯示、打印、存儲,處理人機交互信息等。具有高集成度、高性。以屏幕顯示測試檔級及用光標測試被測器件的各種直流參數(shù),并可將測試結(jié)果存儲、打印、隨時調(diào)用。本機具有友好的人機界面,有中、英文兩種語言供選擇。
集電極掃描信號 | |
輸出電壓范圍及電流最大容量: | 0-10V 100A 0-50V 10A 0-200V 0.25A 0-1000V 0.05A |
集電極掃描信號工作方式 | |
| 自動:0.5S、1S、2S 手動:單次 |
功耗限制電阻: | 0-500k Ω,按1、2、5進制共12檔 |
基極階梯信號 | |
階梯電流(IB): | 2μA/級-1A/級,按1、2、5進制共18檔 |
階梯電壓(VB): | 50mV/級-2V/級,按1、2、5進制共5檔 |
階梯偏置電壓(Δ VB): | ±10V |
Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) | |
集電極電流(IC):10μA/div-10A/div,按1、2、5進制共19檔 | |
X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) | |
集電極電壓(VC):50mV/div-100V/div,按1、2、5進制共11檔 | |
基極電壓(VB): 50mV/div-2V/div,按1、2、5進制共6檔 |
聯(lián)系我們:http://www.1718sh.com 電話:021-51575232 51575252 傳真:021-51575133 地址:上海市中山西路2281號徐匯晶典大廈15樓
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一、YB6600誼邦電子半導(dǎo)體特性圖示儀特點
型號:RL145761XJ4829數(shù)字存儲半導(dǎo)體管特性圖示儀 | 型號:RL145767QT2型大功率晶體管特性圖示儀 | 型號:RL145771WQ4832晶體管圖示儀 |
產(chǎn)品簡介:QT2型大功率晶體管特性圖示儀可測量二極管、三極管的低頻直流參數(shù),集電極電流超過50A,能滿足500VA以下器件的測試。本機附有高壓測裝置,可對5KV以下的二極管、三極管進行擊穿電壓及反向漏電腦測試。其測試電流靈敏度可達0.5μ/div。
集電極掃描信號 | ||
三極管 | 輸出電壓范圍 | 電流容量 |
0~10V | 50A(脈沖階梯) | |
20A(平均值) | ||
0~50V | 10A(平均值) | |
0~100V | 5A(平均值) | |
0~500V | 0.5A(平均值) | |
二極管 | 0~5KV | 5mA() |
基極階梯信號 | |
階梯電流 | 1μA/級~200A/級,分17檔 |
階梯電壓 | 0.05V級~1V/級,分5檔 |
階梯波形 | 正常(100%),脈沖(10~40%) |
Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) | |
集電極電流 | 1μA/div~5A/div,分21檔 |
二極管電流 | 1μA/div~500A/div,分9檔 |
倍率 | ×0.5 |
X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) | |
集電極電壓 | 10mV/div~50mV/div,分12檔 |
二極管電流 | 100V/div~500V/div,分3檔 |
一般性能 | |
有效顯示面 | 10×10div(1div=0.8cm) |
使用電源 | AC220V/50Hz |
視在功率 | 約80VA |
| 約300VA(功率) |
外形尺寸 | 300B×408H×520Dmm |
重量 | 30kg |
欄目頁面:http://www.runlian365.com/chanpin/9992.html圖示儀來源網(wǎng)址:http://www.runlian365.com/chanpin/did-145767-pid-9992.htmlQT2型大功率晶體管特性圖示儀型號:RL145771WQ4832晶體管圖示儀
WQ4832晶體管特性圖示儀WQ4832型晶體管特性圖示儀WQ4832型晶體管特性圖示儀采用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線。本儀器具有二簇曲線顯示,雙向集電極掃描功能,可以對被測半導(dǎo)體器件的特性進行對比分析,便于晶體管的配對。設(shè)有5kV高壓裝置。本儀器適用于各種半導(dǎo)體三極管、二極管、場效應(yīng)管、可控硅、穩(wěn)壓二極管、及三端穩(wěn)壓器等器件的測試。Y軸偏轉(zhuǎn)因數(shù):集電極電流范圍(IC)0.5μA/div—1A/div 分20檔 。↖R)50nA/div—1μA/div 分5檔 基極電流或基極源電壓( )0.01V/div 外接輸入0.01V/divX軸偏轉(zhuǎn)因數(shù):集電極電壓范圍(VC)10mV/div—50V/div 分12檔(VD) 500V/div基極電流或基極源電壓( )0.01V/div外接輸入 0.01V/div階梯信號階梯電流范圍:0.5μA/級--100mA/級 分17檔階梯電壓范圍:0.05V/級—1V/級 分5檔串聯(lián)電阻:O、10KΩ、1MΩ 分3檔每簇級數(shù):1—10級 連續(xù)可調(diào)。每秒級數(shù):200極性:正、負、異 分三檔。集電極掃描信號峰值電壓范圍及電流容量:0—10V檔 (10A)0—50V檔 (1A)0—100V檔 (0.5A)0—500V檔 (0.1A)0—5KV檔 (5mA)0--500VAC檔 (0.1A)功耗限制電阻: 0~500KΩ 分11檔一般性能形式: 臥式外形尺寸:320×210×400(mm)重量: 約18kg電源電壓:220V±10%頻率: 50Hz±5%視在功率:非測試狀態(tài) 約50VA功率 約80VA
欄目頁面:http://www.runlian365.com/chanpin/9992.html圖示儀來源網(wǎng)址:http://www.runlian365.com/chanpin/did-145771-pid-9992.htmlWQ4832晶體管圖示儀溫馨提示:潤聯(lián)為您提供產(chǎn)品的詳細產(chǎn)品價格、產(chǎn)品圖片等產(chǎn)品介紹信息,您可以直接聯(lián)系廠家獲取產(chǎn)品的具體資料,聯(lián)系時請說明是在潤聯(lián)看到的,并告知型號產(chǎn)品介紹
YB580 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)測試系統(tǒng)(以下簡稱 YB580 測試系統(tǒng))符合:國際電工委員會 IEC 60747-9-2001 規(guī)范,符合國標 GB/T17007-1997 規(guī)范。YB580 測試系統(tǒng)是本公司推出的一種先進的 IGBT 測試系統(tǒng)。適合研究所、生產(chǎn)企業(yè)做元器件篩選檢驗,IGBT 生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測試,院校做測試分析。
系統(tǒng)可擴展性強,通過選件可以提高電壓、電流的測試能力,自動快速測試可以滿足用戶大生產(chǎn)需要,故障率低也保證了用戶的生產(chǎn)效率。在 PC 窗口提示下輸入被測器件的測試參數(shù)即可完成填表編程,操作人員不需具備專業(yè)計算機編程語言知識,使用簡捷方便。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測試插座,自動補償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測試電纜長度引起的任何壓降,保證各種情況下測試結(jié)果的準確可靠。系統(tǒng)面板的顯示裝置能夠及時顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測試結(jié)果。系統(tǒng)提供與機械手、探針臺、電腦的連接接口,可以支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用。
基本配置
1、主極電壓: 0--2000V ; 2、電壓分辨率:1mV; 3、主極電流:0---50A(100A、200A、400A、
500A、700A、800A、1000A、1300A可選); 4、電流分辨率:1nA ; 5、精度:0.5%+2LSB ; 6、測試速度:0.5MS/參數(shù);
7、可提供的選件有 3000V 陽極高壓選件。
序號 | 測試參數(shù) | 別稱 | 序號 | 測試參數(shù) | 別稱 |
1) | 柵極-發(fā)射極閾值電壓 | Vgeth | 2) | 集電極-發(fā)射極截止電流 | ICES |
3) | 集電極-發(fā)射極擊穿電壓 | BVCES | 4) | 集電極-發(fā)射極飽和電壓 | VCESAT |
5) | 柵極-發(fā)射極漏電流正向 | IGESF | 6) | 柵極-發(fā)射極漏電流反向 | IGESR |
7) | 門極開通電壓 | VGEON | 8) | 二極管壓降 | VF |
9) | 通態(tài)電流 | ICON | 10) | 跨導(dǎo) | GFS |
11) | 導(dǎo)通電阻 | RDSON | 12) | 其他功率器件(MOS,晶體管等)的測試 |
技術(shù)要求
工作溫度: 25℃--40℃
貯存溫度: -15℃--50℃
工作濕度: 45%--80%
貯存濕度:10%--90%
工作電壓:200v--240v
電源頻率:47HZ--63HZ
接地要求:供電電源應(yīng)良好接地。
通信接口:RS232 USB
系統(tǒng)功耗:<150w
設(shè)備尺寸:450mm×570mm×280mm
CX2-4832(QT2)晶體管圖示儀
◆ 集電極電流范圍 : 0.5μA/div~ 1A/div, max10A(5v)◆ 集電極電壓范圍: 10mV/div-50V/div,max 500v◆ 階梯電流范圍:1μA/級~ 200mA/級◆ 集電極輸出電壓、電流 : 5000V(0.1A)10A(5V)
(一)多用途性(Versatility)
現(xiàn)代的測試設(shè)備所須的功能,必須能不被限制其最大電流及電壓之供給。目前IGBT的產(chǎn)品其電流可通過1200A及阻斷電壓可高達3300V,但不久之后IGBT的產(chǎn)品即會有達到4500V及2000A的能力。且無人可預(yù)測未來其電壓及電流可達到多少,再者,現(xiàn)今IGBT 的測試設(shè)備,也須能測試新元件MCTS ( MOS Contrlled Thyristort) 或是IGCT (Integrated Gate-Commutated Thyristor)。
因此,測試設(shè)備的評估上,須能適應(yīng)及符合未來可能的發(fā)展,其不論是硬體,如電壓電流產(chǎn)生器或軟體上。
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(二)操作簡單(Ease of Handling)
測試設(shè)備除了上述之特色外,應(yīng)仍保持操作簡單及效率佳的能力。達此目的最佳之方法即是使用者不須具備特殊訓(xùn)練即可操作此設(shè)備。如有使用晶體管特性圖示儀的用戶,操作起來會更加方便。此測試系統(tǒng)亦可經(jīng)常地改變測試的半導(dǎo)體元件的型式(通常一天數(shù)次),對新的半導(dǎo)體元作的型式其可能會須要不同的制具(jig),或是更復(fù)雜的驅(qū)動閘控制,或是一緩沖器 (Sunbber) 的保護等。因此,使用模組化系 統(tǒng)即可達到上述之需求。在一個基本的測試系統(tǒng)上,加上一些可更換的測試單元,使其可執(zhí)行不同范圍產(chǎn)品的量測。
(三)安全性(Safety)
IGBT的測試系統(tǒng)因其可提供非常高的電壓輸出,對操作者來講是有一 潛在的危險性,當(dāng)在操作高電壓及大電流時,操作員的安全性應(yīng)予以考慮,即該設(shè)備須在不同國家的規(guī)范中皆可符合其安全標準。
在執(zhí)行測試時,在危險的區(qū)域應(yīng)使用滑動式門鎖定而予以保護,所有參數(shù)皆應(yīng)設(shè)置于安全的工作區(qū)域中,所有的保護措施的控制皆應(yīng)由硬體部份來控制,而不是軟體來控制。很顯然的,在整條生產(chǎn)線上(研發(fā)測試時),時間是一個很重要的因素,因此,安全系統(tǒng)必須要很方便,而盡可能地對測試的速度影響愈小愈好。
靜態(tài)測試(Static tests)
此測試之目的在提供元件(device)的詳細特性,讓設(shè)計者能精確地預(yù)測元件在穩(wěn)態(tài)(Steady state)情況時之行為,此可協(xié)助使用者選擇最佳的元件來用于他的應(yīng)用中,更進一步地讓其對與半導(dǎo)體元件相連接的設(shè)備如:電壓鉗式單元,閘極驅(qū)動,冷卻系統(tǒng)等的設(shè)計更為妥切。
(一)集射極崩潰電壓 (Collector Emitter Breakdown Voltage) VCEs 量測于特定的集極電流IC下閘極短路至射極時,跨于集、射極兩端之電壓為VcEs 如圖1, IGBT 的集射極崩潰電壓是會隨著介面(Junction)溫度增加而增加的(典型對600V之IGBT 會有0.7V/℃)
(二)集極至射極的泄漏電流IcEs [或稱為集極的截止(Cut-off )電流]
在額定的集射極電壓和閘射極短路下之集極電流為IcEs值(如圖2), IcEs的量測通常在25℃及最大的工作介面(Junction)溫度,且集極泄漏電流 亦會隨介面溫度升高而增加。因此,在測試期間限制電流流過及避免 thermal升高是很重要的。
(三)集極至射極的飽和電壓 (Collector to emitter saturation voltage) VcEsat VcEsat(圖3)是在特定的集極電流,閘射極電壓及介面溫度時之集射極導(dǎo)通電壓VcEsat是相當(dāng)重要的特性,因為其會決定導(dǎo)通之損失,在大的 極電流時,測試的脈沖必須非常短,如此不致有過多之損失。
(四)二極體順向電壓(Diode Forward Voltage) VF
VF(圖4)是指IGBT模組中的飛輪二極體(Freewheeling Diode)在特定電流
及介面溫度時之順向?qū)妷褐怠?
(五)閘極臨界電壓(Gate threshold Voltage) VGeth VGeth(圖5)是指在特定集極電流及閘極短路至集極時之射極的電壓值。 當(dāng)閘射極電壓小于臨界值時IGBT是OFF狀態(tài),因此閘極臨界電壓即是閘射極電壓使IGBT導(dǎo)通并流過特定的集極電流。VGEth是隨著介面溫度遽增而遞減的(-11mV/℃)。
(六 )跨導(dǎo)(Transconductance) gfs
跨導(dǎo)(gfs)(圖6)是于特定集極電流時,集極電流和閘射極電壓之商數(shù) 。 跨導(dǎo)是用來表示IGBT增益的方式。由于跨導(dǎo)的量測是在清楚嚴格的特定條件下所做的兩個量測之值,因此,測試設(shè)備的精準性對測試結(jié)果有很大的影向力。
第二種方法是調(diào)整閘射極電壓至特定的集射極電壓(VP)并思考下列式子:
△ VGE = △Vp
IGBT的順向跨導(dǎo)是會隨著介面溫度升高而增加的,其原因在于定閘極電壓時,增加集極電流時,因電流Thermal run-away而會使晶片溫度升高,因此IGBT 并不被建議來當(dāng)做一個線性放大器使用。
(七)閘極至射極之泄漏電流IGEs
IGEs(圖8)是指在特定的閘射極電壓及集極短路至射極時閘極之泄漏電流 。此測試可能可以知道正或負的閘射極電壓。所量測的電流是相當(dāng)小的,因此,脈沖至少須維持一個電源周期的積分時間,避免因閘極電容吸收的電流所產(chǎn)生之誤差。此量測必須在閘極電壓穩(wěn)定后才可進行。