QT2,晶體管圖示儀,二極管測(cè)試儀,MOS管測(cè)試儀,IGBT測(cè)試儀
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- QT2型晶體管特性圖示儀可根據(jù)需要測(cè)量半導(dǎo)體二極管、三極管的低頻直流參數(shù)。
- 最大集電極電流可達(dá)50A，基本滿足500W以下的半導(dǎo)體管的測(cè)試。
- 具備高壓測(cè)試能力，可對(duì)3KV（5KV）\\以下的半導(dǎo)體管進(jìn)行擊穿電壓及反向漏電流測(cè)試，其測(cè)試電流靈敏度可達(dá)到0.5uA/度。
- 基極階梯信號(hào)具有脈沖階梯輸出，可測(cè)量二次擊穿特性。
集電極掃描信號(hào) （輸出電壓范圍/電流容量）三極管和二極管 0～10V / 50A （脈沖階梯） 20A（平均值） 0～50V / 10A （平均值） 0～100V / 5A （平均值） 0～500V / 0.5A （平均值）二極管高壓測(cè)試 0～5KV（3KV） / 5mA （最大）
基極階梯信號(hào)
- 階梯電流:1uA～200mA/級(jí)，分17檔
- 階梯電壓:0.05～1V/級(jí)，分5檔
- 階梯波形:正常（100%），脈沖（10～40%）
Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)
- 集電極電流:1uA～5A/度，分21檔
- 二極管電流:1～500uA/div，分9檔
- 集電極及二極管電流倍率:×0.5
X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)
- 集電極電壓:10mV～50V/度，分12檔
- 二極管電流:100～500V/度，分3檔
- 基電極電壓:10mV～1V/度，分7檔
一般性能
- 顯示面10×10div（1div=0.8cm）
- 視在功率 約80VA
- 約300VA（最大功率）
- 外形尺寸 30×40×52cm
- 重量 30kg
反向擊穿電壓測(cè)試
- VCBO 集電極 - 基極 （發(fā)射極開路）
- VEBO 發(fā)射極 - 基極 （集電極開路）
- VCEO 集電極 - 發(fā)射極 （基極開路）
- VCER 集電極 - 發(fā)射極 （基極與發(fā)射極間電阻連接）
- VCES 集電極 - 發(fā)射極 （基極與發(fā)射極短路）
各種特性曲線
- VCE - IC 共發(fā)射極 （基極信號(hào)為變量）
- IB - IC 共發(fā)射極
- VBE - IB 共發(fā)射極
- VBE - IO 共發(fā)射極
WQ4832圖示儀 晶體管測(cè)試儀 晶體管圖示儀 二三極管測(cè)試儀
圖示儀 晶體管測(cè)試儀 晶體管圖示儀 二三極管測(cè)試儀 WQ4832
集電極掃描信號(hào) 輸出電壓范圍及電流容量 0～5V 10A 0～10V 5A 0～50V 1A 0～100V 0.5A 0～500V 0.1A 0～5000V 5mA 0～500VAC 0.1A 功耗限制電阻：0～500kΩ 分11檔 基極階梯信號(hào) 階梯電流 0.5μA/級(jí)～100mA/級(jí)，分17檔 階梯電壓 0.05V級(jí)～1V/級(jí)，分5檔 Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) 集電極電流 0.5μA/div～1A/div，分20檔 二極管電流 50nA/div～1μA/div，分5檔 X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù) 集電極電壓 10mV/div～50V/div，分12檔 一般性能 適應(yīng)電源 AC220V±10% 50Hz±4% 視在功率 約50VA（非測(cè)試狀態(tài)） 約80VA最大功率 外形尺寸 320×210×400mm 重量 18kg
晶體管圖示儀 WQ4832
XJ4810 / XJ4810A 晶體管圖示儀 銷售維修
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- XJ4810型/XJ4810A型半導(dǎo)體管特性圖示儀采用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線，并測(cè)量其靜態(tài)參數(shù)。
- 具有二簇曲線顯示，左右分列顯示并可左右位移，雙向集電極掃描電路，可以對(duì)被測(cè)半導(dǎo)體器件的特司長(zhǎng)進(jìn)行對(duì)比分析，便于對(duì)管或配件配對(duì)。
- 本機(jī)IR測(cè)量達(dá)200nA/div，配備擴(kuò)展裝置后，VC可達(dá)3KV；
- 可測(cè)試CMOS及TTL門電路傳輸特性；
- 可對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行配對(duì)或?qū)軠y(cè)試；
- 可測(cè)試三端穩(wěn)壓管特性。
集電極掃描信號(hào)
輸出電壓范圍及電流容量
| 0～5V | 10A（XJ4810A） |
| 0～10V | 5A |
| 0～50V | 1A |
| 0～100V | 0.5A |
| 0～500V | 0.1A |
基極階梯信號(hào)
| 階梯電流 | 0.2μA/級(jí)～50mA/級(jí)，分17檔（XJ4810） |
| 0.2μA/級(jí)～100mA/級(jí)，分18檔（XJ4810A） | |
| 階梯電壓 | 0.05V級(jí)～1V/級(jí)，分5檔（XJ4810） |
| 0.1V級(jí)～2V/級(jí)，分5檔（XJ4810A） |
Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)
| 集電極電流 | 10μA/div～0.5A/div，分15檔（XJ4810） |
| 10μA/div～1A/div，分16檔（XJ4810A） | |
| 二極管電流 | 0.2μA/div～5μA/div，分5檔 |
| 倍率 | ×0.1 |
X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)
| 集電極電壓 | 0.05V/div～50V/div，分10檔 |
| 基極電壓 | 0.05V/div～1V/div，分5檔 |
XJ-4810型半導(dǎo)體特性圖示儀，是一種用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線，并可測(cè)量其靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試儀器。
1.1 本儀器主要由以下幾個(gè)部分組成：
1.1.1 Y軸放大器及X軸放大器。
1.1.2 階梯信號(hào)發(fā)生器
1.1.3 集電極掃描發(fā)生器
1.1.4 主電源及高壓電源部分
1.2 本儀器是繼JT-1后的開發(fā)產(chǎn)品，它除了繼承JT-1的優(yōu)點(diǎn)外，作了較大改進(jìn)與提 高，它與其他半導(dǎo)體管特性圖示儀相比，具有以下特點(diǎn)：
1.2.1 本儀器采用全晶體管化電路、尺寸小、重量輕。
1.2.2 增設(shè)集電極雙向掃描電路及裝置，能同時(shí)觀察二極管的正反向輸出特性曲線、簡(jiǎn)化測(cè)試手續(xù)。
1.2.3 配有雙簇曲線顯示電路，對(duì)于中小功率晶體管各種參數(shù)的配對(duì)，尤為方便。
1.2.4 本儀器專為工作于小電流超b晶體管測(cè)試作了提高，最小階梯電流可達(dá)0.2μA/級(jí)
1.2.5 本儀器還專為測(cè)試二極管的反向漏電流采取了適當(dāng)措施，使測(cè)試的IR達(dá)20nA/div。
1.2.6 本儀器配上它的擴(kuò)展裝置—XJ27100場(chǎng)效應(yīng)管配對(duì)測(cè)試臺(tái)可對(duì)國(guó)內(nèi)外各種場(chǎng)效應(yīng)對(duì)管和單管進(jìn)行比較測(cè)試。
1.2.7 本儀器配上它的擴(kuò)展裝置—XJ27101數(shù)字集成電路電壓傳輸特性測(cè)試臺(tái)，可測(cè)試CMOS，TTL數(shù)字集成電路的電壓傳輸特性。
主要技術(shù)指標(biāo)
2.1 Y軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)
集電極電流范圍（Ic）10μA/div-0.5A/div 分15檔，誤差不超過(guò)±3%。
二極管反向漏電流（IR）0.2μA/div-5μA/div 分5檔。
2μA/div-5μA/div 誤差不超過(guò)±3%。
0.2μA/div、0.5μA/div、1μA/div 誤差分別不超過(guò)±20%、±10、±5%
基極電流或基極源電壓 0.05V/div 誤差不超過(guò)±3%。
外接輸入 0.05V/div 誤差不超過(guò)±3%。
偏轉(zhuǎn)倍率 ×0.1 誤差不超過(guò)±（10%+10nA）。
2.2 X軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)
集電極電壓范圍 0.05V/div—50V/div 分10檔 誤差不超過(guò)±3%。
基極電壓范圍 0.05V/div—1V/div 分5檔 誤差不超過(guò)±3%。
基極電流或基極源電壓 0.05V/div 誤差不超過(guò)±3%。
外接輸入 0.05V/div 誤差不超過(guò)±3%。
2.3階梯信號(hào)
階梯電流范圍： 0.2μA/級(jí)-50mA/級(jí) 分17檔
1μA/級(jí)-50mA/級(jí) 誤差不超過(guò)±5%。
0.2μA/級(jí)、0.5μA/級(jí) 誤差不超過(guò)±7%。
階梯電壓范圍： 0.05V/級(jí)-1V/級(jí) 分5檔 誤差不超過(guò)±5%。
串聯(lián)電阻： 0、10KΩ、1MΩ 分3檔 誤差不超過(guò)±5%
每簇級(jí)數(shù)； 1—10連續(xù)可調(diào)
每秒級(jí)數(shù)： 200
極性： 正、負(fù) 分2檔
2.4 集電極掃描信號(hào)
峰值電壓與峰值電流容量：各檔級(jí)電壓連續(xù)可調(diào)，其最大輸出不低于下表要求（AC例外）
檔級(jí) 198V 220V 242V0—10V 檔0—9V 5A0—10V 5A0—11V 5A
0—50V 檔0—45V 1A0—50V 1A0—55V 1A
0—100V 檔0—90V 0.5A0—100V 0.5A0—110V 0.5A
0—500V 檔0—450V 0.1A0—500V 0.1A0—550V 0.1A
功耗限制電阻0—0.5MΩ分11檔，誤差不超過(guò)±10%
吳江晶體管圖示儀 晶體管圖示儀CA4810A原裝現(xiàn)貨
簡(jiǎn)介 4814型半導(dǎo)體管特性圖示儀是測(cè)量半導(dǎo)體器件直流及低頻參數(shù)的專用儀器,它通過(guò)示波管屏幕及標(biāo)尺刻度,準(zhǔn)確的反映器件的特性曲線,其信息量之大是其它類型直流測(cè)試設(shè)備所達(dá)不到的,亦顯示出圖示儀的獨(dú)特優(yōu)勢(shì),因此它是半導(dǎo)體器件廠家及整機(jī)研制部門進(jìn)行半導(dǎo)體器件的研制,性能改善,電路設(shè)計(jì),器件的合理應(yīng)用等工作必不可少的理想測(cè)試設(shè)備！ 本儀器功能齊全,測(cè)試范圍寬, 絕大部分電路實(shí)現(xiàn)了集成化, 其中集電極掃描電路實(shí)現(xiàn)了電子掃描,大電流測(cè)試狀態(tài)進(jìn)行了占空比壓縮,減小了成本,減小了重量.階梯部分的大電流測(cè)試狀態(tài)采用了脈沖階梯輸出,減小了被測(cè)管的發(fā)熱. 集電極電流測(cè)試新增了電子保護(hù)電路提高了反映速度,增加了儀器自身及對(duì)外保護(hù)能力,部分功能參考美國(guó)Tex-577產(chǎn)品特點(diǎn),還有部分功能是為方便測(cè)試而增設(shè)的,因此使本儀器的應(yīng)用范圍得到拓寬。主要技術(shù)指標(biāo)X軸系統(tǒng)工作方式: 分集電極電壓(Vc),基極電壓(Vb),二極管電壓(Vd)和階梯信號(hào)四類.位移范圍: 大于10度集電極電壓偏轉(zhuǎn)因數(shù): 20mV/度 ～ 20V/度. 1-2-5序共10擋 誤差≤&plun;3%基極電壓偏轉(zhuǎn)因數(shù): 20mV/度 ～ 1V/度. 1-2-5序共6擋 誤差≤&plun;3%二極管電壓偏轉(zhuǎn)因數(shù): 100V/度 ～ 500V/度. 1-2-5序共3擋 誤差≤&plun;3%.階梯信號(hào)偏轉(zhuǎn)因數(shù): 1階/度 誤差≤&plun;5%Y軸系統(tǒng)工作方式: 分集電極流(Ic),和階梯信號(hào)兩類.位移范圍: 大于10度集電極電流偏轉(zhuǎn)因數(shù): 1μA/度～ 2A/度. 1-2-5序共20擋 誤差≤&plun;3%階梯信號(hào)偏轉(zhuǎn)因數(shù): 1階/度 誤差≤&plun;5%階梯信號(hào)源工作方式: 分恒壓源和恒流源兩類極性: 正或負(fù):階梯電流源: 1mA ～ 200mA/階 1-2-5序共17擋 誤差≤&plun;5%:階梯電壓源: 20mV/度 ～ 1V/度 1-2-5序共6擋 誤差≤&plun;5% (源內(nèi)阻100Ω)級(jí)/族: 1-10 連續(xù)步進(jìn)集電極掃描電源額定電壓范圍及容量: 0 ～ 20V 20A 0 ～ 200V 0.5A 0 ～ 5000V 0.002A.極性: 正或負(fù)方式: 0-20V 范圍 (Y軸 0.001~5mA/度) 100Hz 0-20V 范圍 (Y軸 10~50mA/度 ) 500Hz 0-20V 范圍 (Y軸 0.1~0.5A/度 ) 100Hz間歇(8mS)掃描 0-20V 范圍 (Y軸 1~2A/度) 50Hz間歇(18m)掃描 0-200V 范圍 (Y軸 0.001~5mA/度) 100Hz 0-200V 范圍 (Y軸 0.01~0.5A) 100Hz間歇(8mS)掃描 0-5000V 范圍 直流 2.2.5顯示系統(tǒng)示波管型號(hào): 13SJ38J有效工作面: 75mm×75mm(標(biāo)尺).分度: 1度(X)=7.5mm 1度(Y)=7.5mm基本安全要求絕緣要求: ≥ 2MΩ漏電流: ≤ 5mA(峰值)介電強(qiáng)度電壓試驗(yàn): 電源進(jìn)線相對(duì)機(jī)殼應(yīng)能承受1500V(50Hz交流有效值)1分鐘試驗(yàn),不出現(xiàn)擊穿和飛弧現(xiàn)象.基本配置產(chǎn)品名稱晶體管特性圖示儀產(chǎn)品型號(hào)4814基極階梯信號(hào)階梯電流范圍1A ～ 200mA/階 1-2-5序共17擋 誤差≤&plun;5%階梯電壓范圍20mV/度 ～ 1V/度 1-2-5序共6擋 誤差≤&plun;5% (源內(nèi)阻100Ω)階梯級(jí)數(shù)1-10 連續(xù)步進(jìn)階梯極性正或負(fù)Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)集電極電流范圍1uA/度～ 2A/度. 1-2-5序共20擋 誤差≤&plun;3%X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)集電極電壓20mV/度 ～ 20V/度. 1-2-5序共10擋 誤差≤&plun;3%二極管電壓100V/度 ～ 500V/度. 1-2-5序共3擋 誤差≤&plun;3%顯示特性顯示屏幕示波管型號(hào): 13SJ38J 有效工作面: 75mm×75mm(標(biāo)尺) 分度: 1度(X)=7.5mm 1度(Y)=7.5mm環(huán)境特性操作環(huán)境環(huán)境溫度: 0 ～ + 40°C，相對(duì)濕度: + 40°C 20 ～ 90 % RH物理特性尺寸（E×B×H)mm 480×220×320 (主機(jī)) 80×110×40(測(cè)試盒件)重量15Kg
QT2型半導(dǎo)體管特性圖示儀可測(cè)量二極管、三極管的低頻直流參數(shù)，最大集電極電流超過(guò)50A，能滿足500VA以下器件的測(cè)試。本機(jī)附有高壓測(cè)裝置，可對(duì)5KV以下的二極管、三極管進(jìn)行擊穿電壓及反向漏電流測(cè)試。其測(cè)試電流最高靈敏度可達(dá)0.5μ/div。集電極掃描信號(hào)三極管輸出電壓范圍電流容量0～10V50A（脈沖階梯）20A（平均值）0～50V10A（平均值）0～100V5A（平均值）0～500V0.5A（平均值）二極管0～5KV5mA（最大）基極階梯信號(hào)階梯電流 1μA/級(jí)～200mA/級(jí)，分17檔階梯電壓 0.05V級(jí)～1V/級(jí)，分5檔階梯波形 正常（100%），脈沖（10～40%）Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)集電極電流 1μA/div～5A/div，分21檔二極管電流 1μA/div～500A/div，分9檔倍率 ×0.5X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)集電極電壓 10mV/div～50mV/div，分12檔二極管電流 100V/div～500V/div，分3檔一般性能有效顯示面 10×10div(1div=0.8cm)使用電源 AC220V/50Hz視在功率 約80VA約300VA(最大功率)外形尺寸 300B×408H×520Dmm3重量 30kg
JMR-1電機(jī)磁場(chǎng)分布測(cè)試儀 ：主要技術(shù)參數(shù)工作電源：220V&plun;10%整機(jī)功率：0.8KW工作電流：AC 5A箱體顏色：黑電源頻率：50HZ或60HZ環(huán)境溫度：-20－+40℃裝夾直徑：5－80mm 測(cè)試速度：1 min/次量程：2000GS 分辨率：1GS裝夾重量：max 3kg 整機(jī)重量：45KG磁場(chǎng)拾。夯魻枈A頭旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)：步進(jìn)電機(jī)放置：水平 調(diào)節(jié)：手輪最大測(cè)試極數(shù)：10極自動(dòng)尋找磁場(chǎng)零位：有高斯計(jì)功能：有磁場(chǎng)最大值尋找：有外形結(jié)構(gòu)：臺(tái)式，桌面操作
J4810型/XJ4810A型半導(dǎo)體管特性圖示儀采用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線，并測(cè)量其靜態(tài)參數(shù)。本儀器具有二簇曲線顯示，雙向集電極掃描電路，可以對(duì)被測(cè)半導(dǎo)體器件的特司長(zhǎng)進(jìn)行對(duì)比分析，便于對(duì)管或配件配對(duì)。本儀器IR測(cè)量達(dá)200nA/div，配備擴(kuò)展裝置后，VC可達(dá)3KV；可測(cè)試CMOS及TTL門電路傳輸特性；可對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行配對(duì)或?qū)軠y(cè)試；可測(cè)試三端穩(wěn)壓管特性。集電極掃描信號(hào)輸出電壓范圍及電流容量 0～5V 0～10V 5A 0～50V 1A 0～100V 0.5A 0～500V 0.1A基極階梯信號(hào) 階梯電流 0.2μA/級(jí)～50mA/級(jí)，分17檔(XJ4810) 階梯電壓 0.05V級(jí)～1V/級(jí)，分5檔(XJ4810)Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)集電極電流 10μA/div～0.5A/div，分15檔(XJ4810) 二極管電流 0.2μA/div～5μA/div，分5檔倍率 ×0.1X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)集電極電壓 0.05V/div～50V/div，分10檔 0.05V/div～1V/div，分5檔二族顯示二簇曲線左右分列顯示并可左右位移一般性能適應(yīng)電源 AC220V&plun;10% 50Hz&plun;4%視在功率 約50VA（非測(cè)試狀態(tài)）約80VA(最大功率)外形尺寸 320B×220H×400Dmm3重量 17kg
YB-580半導(dǎo)體圖示系統(tǒng) 晶體管圖示儀 分立器件測(cè)試儀 IGBT測(cè)試儀
產(chǎn)品介紹
YB580 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)測(cè)試系統(tǒng)（以下簡(jiǎn)稱 YB580 測(cè)試系統(tǒng)）符合:國(guó)際電工委員會(huì) IEC 60747-9-2001 規(guī)范,符合國(guó)標(biāo) GB/T17007-1997 規(guī)范。YB580 測(cè)試系統(tǒng)是本公司推出的一種先進(jìn)的 IGBT 測(cè)試系統(tǒng)。適合研究所、生產(chǎn)企業(yè)做元器件篩選檢驗(yàn)，IGBT 生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試，院校做測(cè)試分析。
系統(tǒng)可擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流的測(cè)試能力,自動(dòng)快速測(cè)試可以滿足用戶大生產(chǎn)需要，故障率低也保證了用戶的生產(chǎn)效率。在 PC 窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試參數(shù)即可完成填表編程，操作人員不需具備專業(yè)計(jì)算機(jī)編程語(yǔ)言知識(shí)，使用簡(jiǎn)捷方便。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證各種情況下測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確可靠。系統(tǒng)面板的顯示裝置能夠及時(shí)顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果。系統(tǒng)提供與機(jī)械手、探針臺(tái)、電腦的連接接口，可以支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用。
基本配置
1、主極電壓： 0－－2000V ； 2、電壓分辨率：1mV； 3、主極電流：0－－-50A(100A、200A、400A、
500A、700A、800A、1000A、1300A可選）； 4、電流分辨率：1nA ； 5、精度：0.5%+2LSB ； 6、測(cè)試速度：0.5MS/參數(shù)；
7、可提供的選件有 3000V 陽(yáng)極高壓選件。
| 序號(hào) | 測(cè)試參數(shù) | 別稱 | 序號(hào) | 測(cè)試參數(shù) | 別稱 |
| 1) | 柵極-發(fā)射極閾值電壓 | Vgeth | 2) | 集電極-發(fā)射極截止電流 | ICES |
| 3) | 集電極－發(fā)射極擊穿電壓 | BVCES | 4） | 集電極-發(fā)射極飽和電壓 | VCESAT |
| 5） | 柵極-發(fā)射極漏電流正向 | IGESF | 6） | 柵極-發(fā)射極漏電流反向 | IGESR |
| 7） | 門極開通電壓 | VGEON | 8） | 二極管壓降 | VF |
| 9） | 通態(tài)電流 | ICON | 10） | 跨導(dǎo) | GFS |
| 11） | 導(dǎo)通電阻 | RDSON | 12） | 其他功率器件（MOS,晶體管等）的測(cè)試 |
技術(shù)要求
工作溫度： 25℃－－40℃
貯存溫度: -15℃－－50℃
工作濕度： 45%－－80%
貯存濕度：10%－－90%
工作電壓：200v－－240v
電源頻率：47HZ－－63HZ
接地要求：供電電源應(yīng)良好接地。
通信接口：RS232 USB
系統(tǒng)功耗：<150w
設(shè)備尺寸：450mm×570mm×280mm
BJ4814 BJ4814 晶體管圖示儀|美達(dá)
A. 工作方式: 分集電極電壓(Vc),基極電壓(Vb),二極管電壓(Vd)和階梯信號(hào)四類.
誼邦YB6600大功率半導(dǎo)體圖示系統(tǒng) 晶體管圖示儀 分立器件測(cè)試儀 IGBT測(cè)試儀
產(chǎn)品介紹
YB6600是一款很具有代表性的新型半導(dǎo)體晶體管圖示系統(tǒng)，本系統(tǒng)可自動(dòng)生成功率器件的I-V曲線，也可根據(jù)客戶的實(shí)際需求設(shè)置功能測(cè)試，直接讀取數(shù)顯結(jié)果。系統(tǒng)在失效分析，IQC來(lái)料檢驗(yàn)及高校實(shí)驗(yàn)室等部門有廣泛的應(yīng)用。系統(tǒng)生成的曲線都使用ATE系統(tǒng)逐點(diǎn)建立，保證了數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確可靠。系統(tǒng)典型的測(cè)試時(shí)間是6 to 20ms,通常上百個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)曲線只需要幾秒鐘時(shí)間便可以展現(xiàn)出來(lái)，數(shù)據(jù)捕獲的曲線可導(dǎo)入EXCEL等格式進(jìn)一步分析研究，是一款高效多功能的高端半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備。
本系統(tǒng)使用方便，只需要通過(guò)USB或者RS232與電腦連接，通過(guò)電腦中友好的人機(jī)界面操作，即可完成測(cè)試。并可以實(shí)現(xiàn)測(cè)試數(shù)據(jù)以EXCEL和WORD的格式保存。系統(tǒng)提供過(guò)電保護(hù)功能，門極過(guò)電保護(hù)適配器提供了廣泛的診斷測(cè)試。這些自我測(cè)試診斷被編成測(cè)試代碼,以提供自我測(cè)試夾具,在任何時(shí)間都可以檢測(cè)。對(duì)診斷設(shè)備狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果提供了可靠地保證。
基本配置 1.測(cè) 試 電 壓： 0-2KV 2.測(cè) 試 電 流： 0-50A，
(可擴(kuò)展到1000A) 3.電 壓分辨率： 1mV 4.電流 分辨率： 0.1nA 5.測(cè) 試 精 度： 0.2%+2LSB
6.測(cè)試速度：0.2MS/參數(shù)
| 1 | 雙向可控硅（TRIAC） | 2 | 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管（J-FET ） |
| 3 | MOS場(chǎng)效應(yīng)管（Power MOSFET） | 4 | 晶體管（Transistor） |
| 5 | 絕緣柵雙極大功率晶體管（IGBT） | 6 | 達(dá)林頓陣列(Darliknton) |
| 7 | 可控硅整流器（SCR ） | 8 | 穩(wěn)壓/齊納二極管（Zener） |
| 9 | 三端穩(wěn)壓器（REGULATOR ） | 10 | 光電耦合器（OPTO-COUPLER） |
| 11 | 二極管(Diode) | 12 | 雙向觸發(fā)二極管（DIAC) |
| 13 | 固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器（SOVP） | 14 | 繼電器（RELAY） |
曲線測(cè)試種類 ID vs. VDS at range of VGS ID vs. VGS at fixed VDS IS vs. VSD RDS vs. VGS at fixed ID IDSS vs. VDS RDS vs. ID at several VGS HFE vs. IC BVCE（O,S,R,V） vs. IC BVEBO vs. IE BVCBO vs. IC VCE（SAT） vs. IC VBE（SAT） vs. IC VBE（ON） vs. IC VCE（SAT） vs. IB
系統(tǒng)特點(diǎn) 1.圖形顯示功能
2.局部放大功能 3.程序保護(hù)最大電流/電壓,以防損壞
4.品種繁多的曲線 5.可編程的數(shù)據(jù)點(diǎn)對(duì)應(yīng)
6.增加線性或?qū)?shù) 7.可編程延遲時(shí)間可減少器件發(fā)熱
8.保存和重新導(dǎo)入入口程序 9.保存和導(dǎo)入之前捕獲圖象
10.曲線數(shù)據(jù)直接導(dǎo)入到EXCEL 11.曲線程序和數(shù)據(jù)自動(dòng)存入EXCEL
12.程序保護(hù)最大電流/電壓,以防損壞
技術(shù)要求
工作溫度：25℃－－40℃
貯存溫度: -15℃－－50℃
工作濕度：45%－－80%
貯存濕度：10%－－90%
工作電壓：200v－－240v
電源頻率：47HZ－－63HZ
接地要求：供電電源應(yīng)良好接地。
通信接口：RS232 USB
系統(tǒng)功耗：<150w
設(shè)備尺寸：450mm×570mm×280mm
測(cè)試功能
YB6600測(cè)試系統(tǒng)是一套高速多用途半導(dǎo)體分立器件智能測(cè)試系統(tǒng)，它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力，可真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試下列各種大、中、小功率的半導(dǎo)體分立器件。
誼邦YB6500大功率半導(dǎo)體圖示系統(tǒng) 晶體管圖示儀 分立器件測(cè)試儀 IGBT測(cè)試儀
YB6500產(chǎn)品介紹
YB6500測(cè)試系統(tǒng)是本公司推出的一款先進(jìn)的大功率半導(dǎo)體分立器件和功率半導(dǎo)體模塊測(cè)試系統(tǒng)。
本系統(tǒng)適合各大研究所做元器件檢驗(yàn)以及在線開發(fā)器件做生產(chǎn)測(cè)試。系統(tǒng)可擴(kuò)展性強(qiáng)，通過(guò)選件可以提高電壓、電流的測(cè)試能力和增加測(cè)試品種范圍。自動(dòng)快速測(cè)試可以滿足用戶大生產(chǎn)需要，故障率低也保證了用戶的生產(chǎn)效率。在PC窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試參數(shù)即可完成填表編程，操作人員不需具備專業(yè)計(jì)算機(jī)編程語(yǔ)言知識(shí)，使用簡(jiǎn)捷方便。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證各種情況下測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確可靠。
系統(tǒng)提供與機(jī)械手、探針臺(tái)、電腦的連接接口，可以支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用。
基本配置
1、主極電壓： 0－－-2000V
2、電壓分辨率：1mV
3、主極電流： 0－－-50A。
可擴(kuò)展到：100A,200A,400A ，500,600A,800A,1000A，1300A。
4、電流分辨率：1nA 可擴(kuò)展為10pA
5、測(cè)試精度：0.2%+2LSB
6、測(cè)試速度：0.5MS/參數(shù)
統(tǒng)測(cè)試功能
YB6500系統(tǒng)是專為測(cè)試半導(dǎo)體分立器件和大功率半導(dǎo)體模塊器件而研發(fā)設(shè)計(jì)。它具有十分豐富的編程軟件和強(qiáng)大的測(cè)試能力，能夠真實(shí)準(zhǔn)確測(cè)試以下類型的半導(dǎo)體器件以及相關(guān)器件組成的組合器件、器件陣列：
| 序號(hào) | 測(cè)試元件類別 | 別稱 |
| 1 | 二極管 | DIODE |
| 2 | 晶體管 | TRANSISTOR（NPN型/PNP型） |
| 3 | J型場(chǎng)效應(yīng)管 | J-FET |
| 4 | MOS場(chǎng)效應(yīng)管 | MOS-FET |
| 5 | 雙向可控硅 | TRIAC |
| 6 | 可控硅 | SCR |
| 7 | 絕緣柵雙極大功率晶體管 | IGBT |
| 8 | 硅觸發(fā)可控硅 | STS |
| 9 | 達(dá)林頓陣列 | DARLINTON |
| 10 | 光電耦合 | OPTO-COUPLER |
| 11 | 繼電器 | RELAY |
| 12 | 穩(wěn)壓、齊納二極管 | ZENER |
| 13 | 三端穩(wěn)壓器 | REGULATOR |
| 14 | 光電開關(guān) | OPTO-SWITCH |
| 15 | 光電邏輯 | OPTO-LOGIC |
| 16 | 金屬氧化物壓變電阻 | MOV |
| 17 | 固態(tài)過(guò)壓保護(hù)器 | SSOVP |
| 18 | 壓變電阻 | VARISTOR |
| 19 | 雙向觸發(fā)二極管 | DIAC |
注：部分測(cè)試器件需要適配器。
測(cè)試參數(shù)表
漏電參數(shù)： IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、 IGSSF、 LGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
擊穿參數(shù)： BVCEO BVCES、BVDSS、 VD、 BVCBO、、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、 VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、 BVGSS、 BVGKO
增益參數(shù)： hFE、CTR、gFS、VGSTH、VGETH
導(dǎo)通參數(shù): VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)、VGSTH、VGETH、VTM、VSD、IDON、VSAT、IDSS、IDON、 Notch = IGT1，IGT4、ICON、VGEON、VO(Regulator)、IIN(Regulator)
關(guān)斷參數(shù): VGSOFF
觸發(fā)參數(shù): IGT、VGT
保持參數(shù): IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù)： IL、IL+、IL-
混合參數(shù): RDSON、GFS、Input Regulation、Output Regulation
間接參數(shù): IL
CS3100巖琦晶體管圖示儀
（一）多用途性（Versatility）
現(xiàn)代的測(cè)試設(shè)備所須的功能，必須能不被限制其最大電流及電壓之供給。目前IGBT的產(chǎn)品其電流可通過(guò)1200A及阻斷電壓可高達(dá)3300V，但不久之后IGBT的產(chǎn)品即會(huì)有達(dá)到4500V及2000A的能力。且無(wú)人可預(yù)測(cè)未來(lái)其電壓及電流可達(dá)到多少，再者，現(xiàn)今IGBT 的測(cè)試設(shè)備，也須能測(cè)試新元件MCTS （ MOS Contrlled Thyristort） 或是IGCT （Integrated Gate-Commutated Thyristor）。
因此，測(cè)試設(shè)備的評(píng)估上，須能適應(yīng)及符合未來(lái)可能的發(fā)展，其不論是硬體，如電壓電流產(chǎn)生器或軟體上。
IWATSU公司推出的CS-3000給用戶提出了最佳的解決方案
（二）操作簡(jiǎn)單（Ease of Handling）
測(cè)試設(shè)備除了上述之特色外，應(yīng)仍保持操作簡(jiǎn)單及效率佳的能力。達(dá)此目的最佳之方法即是使用者不須具備特殊訓(xùn)練即可操作此設(shè)備。如有使用晶體管特性圖示儀的用戶，操作起來(lái)會(huì)更加方便。此測(cè)試系統(tǒng)亦可經(jīng)常地改變測(cè)試的半導(dǎo)體元件的型式（通常一天數(shù)次），對(duì)新的半導(dǎo)體元作的型式其可能會(huì)須要不同的制具（jig），或是更復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)閘控制，或是一緩沖器 （Sunbber） 的保護(hù)等。因此，使用模組化系 統(tǒng)即可達(dá)到上述之需求。在一個(gè)基本的測(cè)試系統(tǒng)上，加上一些可更換的測(cè)試單元，使其可執(zhí)行不同范圍產(chǎn)品的量測(cè)。
（三）安全性（Safety）
IGBT的測(cè)試系統(tǒng)因其可提供非常高的電壓輸出，對(duì)操作者來(lái)講是有一 潛在的危險(xiǎn)性，當(dāng)在操作高電壓及大電流時(shí)，操作員的安全性應(yīng)予以考慮，即該設(shè)備須在不同國(guó)家的規(guī)范中皆可符合其安全標(biāo)準(zhǔn)。
在執(zhí)行測(cè)試時(shí)，在危險(xiǎn)的區(qū)域應(yīng)使用滑動(dòng)式門鎖定而予以保護(hù)，所有參數(shù)皆應(yīng)設(shè)置于安全的工作區(qū)域中，所有的保護(hù)措施的控制皆應(yīng)由硬體部份來(lái)控制，而不是軟體來(lái)控制。很顯然的，在整條生產(chǎn)線上（研發(fā)測(cè)試時(shí)），時(shí)間是一個(gè)很重要的因素，因此，安全系統(tǒng)必須要很方便，而盡可能地對(duì)測(cè)試的速度影響愈小愈好。
靜態(tài)測(cè)試（Static tests）
此測(cè)試之目的在提供元件（device）的詳細(xì)特性，讓設(shè)計(jì)者能精確地預(yù)測(cè)元件在穩(wěn)態(tài)（Steady state）情況時(shí)之行為，此可協(xié)助使用者選擇最佳的元件來(lái)用于他的應(yīng)用中，更進(jìn)一步地讓其對(duì)與半導(dǎo)體元件相連接的設(shè)備如：電壓鉗式單元，閘極驅(qū)動(dòng)，冷卻系統(tǒng)等的設(shè)計(jì)更為妥切。
（一）集射極崩潰電壓 （Collector Emitter Breakdown Voltage） VCEs 量測(cè)于特定的集極電流IC下閘極短路至射極時(shí)，跨于集、射極兩端之電壓為VcEs 如圖1, IGBT 的集射極崩潰電壓是會(huì)隨著介面（Junction）溫度增加而增加的（典型對(duì)600V之IGBT 會(huì)有0.7V/℃）
（二）集極至射極的泄漏電流IcEs ［或稱為集極的截止（Cut-off ）電流］
在額定的集射極電壓和閘射極短路下之集極電流為IcEs值（如圖2）, IcEs的量測(cè)通常在25℃及最大的工作介面（Junction）溫度，且集極泄漏電流 亦會(huì)隨介面溫度升高而增加。因此，在測(cè)試期間限制電流流過(guò)及避免 thermal升高是很重要的。
（三）集極至射極的飽和電壓 （Collector to emitter saturation voltage） VcEsat VcEsat（圖3）是在特定的集極電流，閘射極電壓及介面溫度時(shí)之集射極導(dǎo)通電壓VcEsat是相當(dāng)重要的特性，因?yàn)槠鋾?huì)決定導(dǎo)通之損失，在大的 極電流時(shí)，測(cè)試的脈沖必須非常短，如此不致有過(guò)多之損失。
（四）二極體順向電壓（Diode Forward Voltage） VF
VF（圖4）是指IGBT模組中的飛輪二極體（Freewheeling Diode）在特定電流
及介面溫度時(shí)之順向?qū)妷褐怠?
（五）閘極臨界電壓（Gate threshold Voltage） VGeth VGeth（圖5）是指在特定集極電流及閘極短路至集極時(shí)之射極的電壓值。 當(dāng)閘射極電壓小于臨界值時(shí)IGBT是OFF狀態(tài)，因此閘極臨界電壓即是閘射極電壓使IGBT導(dǎo)通并流過(guò)特定的集極電流。VGEth是隨著介面溫度遽增而遞減的（-11mV/℃）。
（六 ）跨導(dǎo)（Transconductance） gfs
跨導(dǎo)（gfs）（圖6）是于特定集極電流時(shí)，集極電流和閘射極電壓之商數(shù) 。 跨導(dǎo)是用來(lái)表示IGBT增益的方式。由于跨導(dǎo)的量測(cè)是在清楚嚴(yán)格的特定條件下所做的兩個(gè)量測(cè)之值，因此，測(cè)試設(shè)備的精準(zhǔn)性對(duì)測(cè)試結(jié)果有很大的影向力。
第二種方法是調(diào)整閘射極電壓至特定的集射極電壓（VP）并思考下列式子：
△ VGE = △Vp
IGBT的順向跨導(dǎo)是會(huì)隨著介面溫度升高而增加的，其原因在于定閘極電壓時(shí)，增加集極電流時(shí)，因電流Thermal run-away而會(huì)使晶片溫度升高，因此IGBT 并不被建議來(lái)當(dāng)做一個(gè)線性放大器使用。
（七）閘極至射極之泄漏電流IGEs
IGEs（圖8）是指在特定的閘射極電壓及集極短路至射極時(shí)閘極之泄漏電流 。此測(cè)試可能可以知道正或負(fù)的閘射極電壓。所量測(cè)的電流是相當(dāng)小的，因此，脈沖至少須維持一個(gè)電源周期的積分時(shí)間，避免因閘極電容吸收的電流所產(chǎn)生之誤差。此量測(cè)必須在閘極電壓穩(wěn)定后才可進(jìn)行。
WQ4832 晶體管圖示儀
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