1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
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2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
2.熱響應時間
在溫度出現階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數（α）與標稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。
二、 技術特點
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
工業(yè)用薄膜鉑熱電阻作為新代的溫度測量和調節(jié)傳感器，通常用來和顯示儀表等配套，以直接測量各種生產過程中-79℃～600℃范圍內液體，蒸汽和氣體介質及固定表面等溫度。
| 熱電阻類別 | 分度號 | 精度等級 | 測溫范圍℃ | 允許偏差△t ℃ |
| WZP型薄膜鉑熱電阻 | Pt100 | B級 | -79～600 | ±（0.3 +0.005︱t︱） |
| 型 號 | 尺寸mm | 0℃標稱電阻 | 測溫范圍℃ | ||||
| d | b | w | i | ø | |||
| MWFT-1 | 0.5 | 4 | 2 | 8 | 0.2 | 100Ω | -79～400 |
| MWFT-2 | 0.5 | 10 | 3 | 10 | 0.2 | 100Ω | -79～500 |
| MWFT-3 | 0.5 | 15 | 3 | 10 | 0.25 | 100Ω | -79～600 |
薄膜鉑熱電阻芯片(日本) CRZ鉑金薄膜鉑熱電阻芯片是一個劃時代溫度傳感器發(fā)展的產物。采用進高科技方法，像激光噴鍍，顯微照相和平版印刷光刻技術。而電阻值則以數字修整方式作出微調，因而能提供最精確的電阻值。1: 技術性能描述＊ 產品性能符合IEC751-1995和JIS1604有關標準，＊ 溫度系數 R100/R0=1.3851＊ 經過嚴格質撿并注明每只元件在攝氏0 ℃時的阻值。＊ 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑特制而成，在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在 -50 ℃ ∽ 500 ℃ 的溫度下使用.＊ 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而薄膜鉑熱電阻元件具有良好的防振動和防沖擊性能。＊ 薄膜表面覆蓋以陶瓷，因此元件能夠承受高電壓并有良好的絕緣性。＊ 鉑熱電阻芯片除了提供 Pt100Ω的外，尚有Pt500和 Pt1000Ω的元件。＊ 精度：除了提供A級和B 級外，尚有更精確的1/3B級供用戶選用。2: CRZ系列產品規(guī)格＊ 溫度使用范圍: -50 ℃ ∽ 500 ℃ .＊ 精度: A級，B級，尚有更精確的1/3B級。＊ 規(guī)定電流（mA）2mA（最大）＊ 引線材料： 鈀金合金。 型號 分度號 規(guī)定電流 精度 尺寸(寬＊長＊厚)mmCRZ-1632-100 Pt100 1mA A,B 1.6X3.2X1.0CRZ-2005-100 Pt100 1mA 2.0X5.0X1.0CRZ-2005-500 Pt500 0.5mA 2.0X5.0X1.0CRZ-2005-1000 Pt1000 0.5mA 2.0X5.0X1.03: CRX系列產品規(guī)格 （圓柱型)＊ 溫度使用范圍: -50 ℃ ∽ 4OO ℃＊ 精度: A級，B級＊ 規(guī)定電流: 2mA（最大）＊ 引線材料： 鈀金合金＊ 引線尺寸： CRX-2805 0.15 X 0.25 X 10 mm CRX-3208 0.2 X 0.3 X 8 mm型 號 分度號 規(guī)定電流 芯片數量 尺寸(直徑＊長)CRX-2805-100 Pt 100 1mA 1xPt100 Φ2.8X5CRX-3208-100 Pt 100 1mA 1xPt100 Φ3.2X5CRX-3208-100 Pt 100 1mA 2XPt100 Φ3.2X84: 容限與物理特性精度 公差 公差阻值（0℃ 熱電阻系數（α）(Ohm/Ohm/deg.C)1/3B＊ +/-(0.1+0.0017t) +/-0.04 Ohm 0.003851+/-0.000004A +/-(0.15+0.002t) +/-0.06 Ohm 0.003851+/-0.000005B +/-(0.3+0.005t) +/-0.12 Ohm 0.003851+/-0.0000122B +/-(0.6+0.01t) +/-0.25 Ohm 0.003851+/-0.0000245: 穩(wěn)定性描述 連續(xù)加溫1000小時（400℃） CRZ-1632的誤差范圍（0℃）為0.008 Ohm(0.02℃)以內。6: 自動加溫 由於電流流經電阻元件會是其加溫，故此規(guī)定電流《1mA7: 應用范圍＊ CRZ 膜片鉑熱電阻芯片廣泛應用于世界各地儀器儀表制造業(yè)，用于制造各種溫度傳感器。＊ 特別是對溫度測量精度要求比較高的科研領域和工業(yè)領域更適合。＊ 廣泛應用于世界各地戶型和熱電聯產熱量表配對溫度傳感器的制造。＊ 應用于軸瓦，缸體，油，水，汽管，中央空調，熱水器等狹小空間工業(yè)設備測溫和控制。＊ 其它測溫控制領域。(PH值溫度補償等)
薄膜鉑電阻元件一、 概述 CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經過激光調阻制成，自動的生產程序了產品符合IEC標準。二、 技術特點1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。5． 規(guī)格：型號 規(guī)格長×寬×高 阻值 測量電流 精度 測量范圍 熱響應時間CRZ-1632 3.2×1.6×1.0 PT100PT100 ≤1mA A -50～550℃ ≤0.3SCRZ-2005 5.0×2.0×1.1 PT50 ≤2mA A -50～400℃ CRZ-2005 5.0×2.0×1.0 PT10 ≤0.5mA B -50～500℃ 6． 精度：等級 α 0℃時的電阻值（Ω） 允許偏差（Ω）A 0.003851 100.00 ±0.150+0.002tB 0.003851 100.00 ±0.30+0.005t