其他產(chǎn)品及廠家
泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具 泰克tektronix 以太網(wǎng)一致性測(cè)試夾具，硬件測(cè)試，ddr測(cè)試，時(shí)序測(cè)試，紋波測(cè)試，抖動(dòng)測(cè)試
更新時(shí)間:2025-04-21
商品名稱：juki feeder校正儀商品品牌：鑫鴻基/xhj商品產(chǎn)地：深圳商品尺寸（mm）：l500*w350*h500商品重量：約35kg適用機(jī)型：juki系列機(jī)型
更新時(shí)間:2025-04-21
原裝進(jìn)口產(chǎn)品，觸摸屏操作簡(jiǎn)單。由普通電池供電，方便操作現(xiàn)場(chǎng)更換，功能強(qiáng)大，可以測(cè)量電能質(zhì)量、連續(xù)性、絕緣電阻、線路/回路阻抗、接地電阻與土壤電阻率、rcd跳閘時(shí)間和電流，無(wú)跳閘時(shí)的接地回路阻抗、接觸電壓ut、相序、泄露電流、環(huán)境參數(shù)等
更新時(shí)間:2025-04-21
量程：200μt,分辨率0.01μt(地球磁場(chǎng)約35μt) 設(shè)有標(biāo)準(zhǔn)磁場(chǎng)校準(zhǔn)。測(cè)量環(huán)境磁場(chǎng)、監(jiān)視空運(yùn)包裹、測(cè)量地球矢量磁場(chǎng)、評(píng)估磁屏蔽間效果、教學(xué)演示。
更新時(shí)間:2025-04-21
[應(yīng)用]•測(cè)量加工工件上殘留的磁通量。•磁性應(yīng)用產(chǎn)品的磁通量測(cè)量。•電機(jī)的磁通量測(cè)量。•測(cè)量磁性材料的性能。
更新時(shí)間:2025-04-21
陰極保護(hù)監(jiān)測(cè)儀sd-21用于測(cè)量陰極電位溢出，從而預(yù)防埋地燃?xì)夤艿赖母g。輸入阻抗為100 mω，在某些地形（比如花崗巖）上輸入阻抗可以被精確無(wú)誤的測(cè)量出來(lái)。是世界上首款同時(shí)設(shè)備電壓、電流、接地電阻、頻率的設(shè)備。
更新時(shí)間:2025-04-21
gjc4/40高低濃瓦斯傳感器廠家供應(yīng) gjc4/40高低濃瓦斯傳感器制造商 gjc4/40高低濃瓦斯傳感器價(jià)格電聯(lián)gj4/40(a)甲烷傳感器量大從優(yōu) 廠家直供gjc4/40(x)甲烷傳感器gj4/40(a)甲烷傳感器價(jià)格電聯(lián) 廠家批發(fā)gj4/40(a)甲烷傳感器
更新時(shí)間:2025-04-21
大體積混凝土溫度測(cè)試儀，該儀器可實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)大體積混凝土凝固過(guò)程中因釋放水化熱引起的混凝土內(nèi)部的溫升，從而可及時(shí)做出應(yīng)對(duì)策略，避免混凝土因溫升造成的開(kāi)裂等嚴(yán)重后果。此儀器系統(tǒng)主要適用于鐵路、水利、電力、市政、建筑等領(lǐng)域；可對(duì)混凝土內(nèi)部溫度進(jìn)行實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè),并可通過(guò)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)與計(jì)算機(jī)進(jìn)行通信，實(shí)現(xiàn)了真正意義上的遠(yuǎn)程監(jiān)控。
更新時(shí)間:2025-04-21
運(yùn)用jigaotest系統(tǒng)設(shè)計(jì)研發(fā)的一款用來(lái)檢測(cè)土工合成材料及相關(guān)復(fù)合材料在垂直方向水流透過(guò)率的測(cè)試設(shè)備。 土工布透水性測(cè)定儀 土工布透水性
更新時(shí)間:2025-04-21
本公司長(zhǎng)期有：三菱線切割原廠配件，沙迪克線切機(jī)原廠配件，西部線切割機(jī)原廠配件，日立線切割機(jī)原廠配件，慶鴻線切割機(jī)原廠配件，亞特/茗亞線切割機(jī)原廠配件，富士通線切割機(jī)原廠配件，夏米爾線切割機(jī)原廠配件，臺(tái)灣三貴火花機(jī)用配件等。多種線切割與打孔機(jī)配件，耗材批發(fā)出售。
更新時(shí)間:2025-04-21
各規(guī)格型號(hào)磁盤(pán)：電磁吸盤(pán)，加工中心強(qiáng)力吸盤(pán),磨床永磁吸盤(pán)，雕刻機(jī)細(xì)目永磁 吸盤(pán)，火花機(jī)磁盤(pán)，線切割磁盤(pán)，磨刀機(jī)專業(yè)磁盤(pán)，一體正弦臺(tái)，彎弓正弦臺(tái)，雙傾正弦臺(tái)，旋轉(zhuǎn)磁臺(tái)，直角磁臺(tái)，圓形吸盤(pán)，紅銅.黃銅永磁吸盤(pán)，雙面永磁吸盤(pán)，導(dǎo)磁塊等……機(jī)床精密配件.定做非標(biāo)吸盤(pán)
更新時(shí)間:2025-04-21
余姚高速電火花穿孔機(jī)采用電極管（黃銅管，紫銅管）作為工具電極利用電火花放電蝕除原理，在電極與工作之間施加高頻脈沖電源形成小脈寬，電流的放電加工，輔以高壓水冷卻排渣，使工件的蝕除速度加快，特別適用于不銹鋼，淬火鋼，銅，鋁，硬質(zhì)合金等各種導(dǎo)電材料上加工直徑0.15-2.0之間的深小孔，深度100mm,可直接在工件的斜面，曲加工，用于電火花線切割加工的穿絲孔，化纖噴絲頭，噴絲板的噴絲孔，濾板，篩板的群孔
更新時(shí)間:2025-04-21
日本 nikon高度計(jì)：加高型精密高度計(jì)，量程小于等于100mm的產(chǎn)品高度、厚度與深度測(cè)量。日本nikon高度計(jì)：流水生產(chǎn)線可以每線一臺(tái)，高精度高效測(cè)量，是高精度產(chǎn)品生產(chǎn)企業(yè)最佳選擇。日本nikon高度計(jì)：選配特殊測(cè)針，可完成小深孔，盲孔測(cè)量，這是三坐標(biāo)，影像儀，投影儀與顯微鏡無(wú)法代替的特點(diǎn)，特制測(cè)頭還可測(cè)
更新時(shí)間:2025-04-21
米諾高度計(jì)非常順滑的柱塞運(yùn)動(dòng)。米諾高度計(jì)周期可靠性優(yōu)于2，000，000hz,保證高速位移時(shí)不丟失數(shù)據(jù)。米諾高度計(jì)靈活選擇的探針。米諾高度計(jì)0-50mm或0-100mm的測(cè)量范圍可選。
更新時(shí)間:2025-04-21
mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題mipi是2003年由arm，nokia，st，it等公司成立的個(gè)聯(lián)盟，旨在把手機(jī)內(nèi)部的接口如存儲(chǔ)接口，顯示接口，射頻/基帶接口等標(biāo)準(zhǔn)化，減少兼容性問(wèn)題并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
更新時(shí)間:2025-04-19
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試基于示波器的當(dāng)抖動(dòng)測(cè)量工具在條通道上只提供個(gè)眼圖。在通用測(cè)量中，這些工具只有6-8個(gè)測(cè)量項(xiàng)目。dpojet全面支持所有通道，包括同時(shí)測(cè)量每條通道的眼圖。
更新時(shí)間:2025-04-19
mipi接口屏閃屏的分析及解決方法 眼圖測(cè)試 mipi傳輸過(guò)程中的信號(hào)質(zhì)量問(wèn)題 mipi驅(qū)動(dòng)問(wèn)題 重起問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-04-19
硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題 mipi接口的dsi的驅(qū)動(dòng)問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-04-19
mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決 mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng)
更新時(shí)間:2025-04-19
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn)
更新時(shí)間:2025-04-19
mipi調(diào)試經(jīng)驗(yàn) mipi硬件開(kāi)發(fā) mipi驅(qū)動(dòng) 硬件工程師調(diào)試mipi屏經(jīng)驗(yàn) mipi 接口的sensor問(wèn)題
更新時(shí)間:2025-04-19
mipi攝像頭 mipi眼圖測(cè)試 mipi lcd接口 mipi主板 mipi故障分析與解決從軟件層面，再回顧下數(shù)據(jù)格式，加深在數(shù)據(jù)線上有3 種可能的操作模式：escape mode, high-speed (burst) mode and control mode，下面是從停止?fàn)顟B(tài)進(jìn)入相應(yīng)模式需要的時(shí)序：
更新時(shí)間:2025-04-19
解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試 分析與解決方法依據(jù)ccir編碼表，sav和evav之間的保護(hù)數(shù)據(jù)是被編碼過(guò)的，使用這種方法，編碼器可以糾正1-bit錯(cuò)誤，可以檢查2-bit的錯(cuò)誤。該特征只是在csi的ccir編碼中，僅僅是奇偶交錯(cuò)模式中支持。
更新時(shí)間:2025-04-19
分析與解決方法 mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試當(dāng)幀結(jié)束或者是個(gè)在rxfifo中的完整的幀數(shù)據(jù)被全部讀出時(shí)，eof中斷就產(chǎn)生了，eof并不在csi的prp模式中使用。該中斷是用在ccir奇偶域交錯(cuò)的模式下使用，該中斷當(dāng)field 1 和field 2交錯(cuò)的時(shí)候產(chǎn)生。f1_int和f2_int會(huì)產(chǎn)生
更新時(shí)間:2025-04-19
解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程 mipi接口屏閃屏的測(cè)試bayer數(shù)據(jù)是個(gè)從圖像傳感器獲得典型的行數(shù)據(jù)。該數(shù)據(jù)寬度定要通過(guò)軟件轉(zhuǎn)化為rgb空間或者是yuv空間的數(shù)據(jù)格式。pack_dir bit設(shè)置為0，表示系統(tǒng)是小端，不是大端系統(tǒng)。使用p0,p1,p2,p3存放了打包了的數(shù)據(jù)內(nèi)容，p0是個(gè)data,依次，p3是個(gè)data.
更新時(shí)間:2025-04-19
mipi clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問(wèn)題mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口，可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。我們的攝像頭是ov9660，輸出設(shè)定為yuv模式，因此，csi獲取的數(shù)據(jù)也是yuv格式的數(shù)據(jù)，因此還需要通過(guò)軟件，將yuv的格式轉(zhuǎn)化為rgb565、rgb656、rgb888格式放到lcdc對(duì)應(yīng)的memory進(jìn)行顯示輸出。
更新時(shí)間:2025-04-19
mipi c-phy d-phy 眼圖測(cè)試 mipi屏 初始化指令問(wèn)題像素可以放映到你的抓圖上面的大小，該像素就是說(shuō)明你的cmos或者是ccd感光元件的像素點(diǎn)多少，可以想象在相同的面積上，數(shù)量越多，感光元件肯定要越小，感光元件小，那么圖像的質(zhì)量其實(shí)會(huì)變差，這個(gè)當(dāng)然可以理解，但是從大的方面來(lái)說(shuō)，只要鏡頭好，光源充足，那么效果也會(huì)變好，這樣畫(huà)面就比像素低的更加的細(xì)膩，所以高像素的好處就在這里。
更新時(shí)間:2025-04-19
mipi眼圖 數(shù)據(jù) clk眼圖 data眼圖測(cè)試與分析 解決mipi屏黑屏問(wèn)題 mipi調(diào)試過(guò)程mx27提供了個(gè)非常業(yè)的攝像頭csi接口，可以配置相關(guān)的口進(jìn)行接口匹配。
更新時(shí)間:2025-04-19
emmc 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試emmc 芯片下方在敷銅時(shí)，焊盤(pán)部分要增加敷銅禁布框，避免銅皮分布不均影響散熱，導(dǎo)致貼片虛焊。
更新時(shí)間:2025-04-19
emmc 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試電源紋波測(cè)試過(guò)大的問(wèn)題通常和使用的探頭以及端的連接方式有關(guān)。先檢查了用戶探頭的連接方式，發(fā)現(xiàn)其使用的是如下面左圖所示的長(zhǎng)的鱷魚(yú)夾地線，而且接地點(diǎn)夾在了單板的固定螺釘上，整個(gè)地環(huán)路比較大。由于大的地環(huán)路會(huì)引入更多的開(kāi)關(guān)電源造成的空間電磁輻射噪聲以及地環(huán)路噪聲，于是更換成如下面右圖所示的短的接地彈簧針。
更新時(shí)間:2025-04-19
emmc 控制信號(hào)測(cè)試 控制信號(hào)過(guò)沖測(cè)試 控制信號(hào)高低電平測(cè)試
更新時(shí)間:2025-04-19
emmc 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試這是個(gè)典型的電源紋波測(cè)試的問(wèn)題。我們通過(guò)使用短的地線連接、換用低衰減比的探頭以及帶寬限制功能使得紋波噪聲的測(cè)試結(jié)果大大改善。
更新時(shí)間:2025-04-19
emmc4 上電時(shí)序測(cè)試 電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試實(shí)際上就是把電纜的頭接在示波器上，示波器設(shè)置為50歐姆輸入阻抗；電纜的另頭剝開(kāi)，屏蔽層焊接在被測(cè)電路地上，中心導(dǎo)體通過(guò)個(gè)隔直電容連接被測(cè)的電源信號(hào)。這種方法的優(yōu)點(diǎn)是低成本，低衰減比，缺點(diǎn)是致性不好，隔直電容參數(shù)及帶寬不好控制。
更新時(shí)間:2025-04-19
相關(guān)產(chǎn)品：emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試通俗的來(lái)說(shuō)，emmc=nand閃存+閃存控制芯片+標(biāo)準(zhǔn)接口封裝。
更新時(shí)間:2025-04-19
emmc4 , 復(fù)位測(cè)試 , clk測(cè)試 , dqs測(cè)試emmc則在其內(nèi)部集成了 flash controller，包括了協(xié)議、擦寫(xiě)均衡、壞塊管理、ecc校驗(yàn)、電源管理、時(shí)鐘管理、數(shù)據(jù)存取等功能。
更新時(shí)間:2025-04-19
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試包括card interface（cmd，data，clk）、memory core interface、總線接口控制（card interface controller）、電源控制、寄存器組。
更新時(shí)間:2025-04-19
emmc5 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試mmc通過(guò)發(fā)cmd的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)卡的初始化和數(shù)據(jù)訪問(wèn)。device identification mode包括3個(gè)階段idle state、ready state、identification state。
更新時(shí)間:2025-04-19
emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc5 復(fù)位測(cè)試identification state，發(fā)送完 cid 后，emmc device就會(huì)進(jìn)入該階段。
更新時(shí)間:2025-04-19
相關(guān)產(chǎn)品：電源紋波測(cè)試 , 時(shí)鐘測(cè)試 , 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 , emmc5 , 上電時(shí)序測(cè)試
更新時(shí)間:2025-04-19
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試data strobe 時(shí)鐘信號(hào)由 emmc 發(fā)送給 host，頻率與 clk 信號(hào)相同，用于 host 端進(jìn)行數(shù)據(jù)接收的同步。data strobe 信號(hào)只能在 hs400 模式下配置啟用，啟用后可以提高數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆(wěn)定性，省去總線 tuning 過(guò)程。
更新時(shí)間:2025-04-19
相關(guān)產(chǎn)品：clk測(cè)試 , dqs測(cè)試 , emmc4 , 上電時(shí)序測(cè)試 , 電源紋波測(cè)試
更新時(shí)間:2025-04-19
電源紋波測(cè)試 時(shí)鐘測(cè)試 數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試
更新時(shí)間:2025-04-19
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-04-19
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc5 上電時(shí)序測(cè)試start bit 與 command 樣，固定為 "0"，在沒(méi)有數(shù)據(jù)傳輸?shù)那闆r下，cmd 信號(hào)保持高電平，當(dāng) emmcdevice 將 start bit 發(fā)送到總線上時(shí)，host 可以很方便檢測(cè)到該信號(hào)，并開(kāi)始接收 response。
更新時(shí)間:2025-04-19
clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試，眼圖測(cè)試crc 為 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值，不包含 start bit。各個(gè) data line 上的 crc 為對(duì)應(yīng) data line 的 data 的 16 bit crc 校驗(yàn)值。
更新時(shí)間:2025-04-19
數(shù)據(jù)信號(hào)測(cè)試 emmc4 復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試在 ddr 模式下，data line 在時(shí)鐘的上升沿和下降沿都會(huì)傳輸數(shù)據(jù)，其中上升沿傳輸數(shù)據(jù)的奇數(shù)字節(jié) （byte 1,3,5...），下降沿則傳輸數(shù)據(jù)的偶數(shù)字節(jié)（byte 2,4,6 ...）。
更新時(shí)間:2025-04-19
復(fù)位測(cè)試 clk測(cè)試 dqs測(cè)試 emmc4 上電時(shí)序測(cè)試當(dāng) emmc device 處于 sdr 模式時(shí)，host 可以發(fā)送 cmd19 命令，觸發(fā)總線測(cè)試過(guò)程（bus testing procedure），測(cè)試總線硬件上的連通性。
更新時(shí)間:2025-04-19
cie2.0 3.0 物理層致性測(cè)試pcie總線與pci總線不同，pcie總線使用端到端的連接方式，在條pcie鏈路的兩端只能各連接個(gè)設(shè)備，這兩個(gè)設(shè)備互為是數(shù)據(jù)發(fā)送端和數(shù)據(jù)接收端。pcie鏈路可以由多條lane組成，目pcie鏈路×1、×2、×4、×8、×16和×32寬度的pcie鏈路，還有幾乎不使用的×12鏈路。
更新時(shí)間:2025-04-19
pcie總線的層次組成結(jié)構(gòu)與網(wǎng)絡(luò)中的層次結(jié)構(gòu)有類似之處，但是pcie總線的各個(gè)層次都是使用硬件邏輯實(shí)現(xiàn)的。在pcie體系結(jié)構(gòu)中，數(shù)據(jù)報(bào)文先在設(shè)備的核心層(device core)中產(chǎn)生，然后再經(jīng)過(guò)該設(shè)備的事務(wù)層(transactionlayer)、數(shù)據(jù)鏈路層(data link layer)和物理層(physical layer)，終發(fā)送出去。
更新時(shí)間:2025-04-19
最新產(chǎn)品
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