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區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)
fz-14m(g)區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)為制備單晶硅晶體樣品而設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)，該系統(tǒng)用于工業(yè)多晶硅生產(chǎn)中的材料分析。生產(chǎn)過(guò)程中的小型多晶體樣品在氬氣環(huán)境中被感應(yīng)熔化，并在籽晶上結(jié)晶，形成單晶，然后進(jìn)行光譜分析，以檢測(cè)和記錄所生產(chǎn)的多晶硅質(zhì)量。該系統(tǒng)采用無(wú)接觸熔化工藝，通過(guò)使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產(chǎn)生高限真空環(huán)境，有效地防止了工藝過(guò)程中的污染。
更新時(shí)間:2024-08-15
物理氣相傳輸系統(tǒng)
sicma系統(tǒng)為通過(guò)物理氣相傳輸系統(tǒng)（pvt）的方式生產(chǎn)碳化硅晶體而開(kāi)發(fā)。在此過(guò)程中，粉末狀的原材料在高溫下被加熱和升華，后沉積在特定準(zhǔn)備的基片上。這項(xiàng)工藝將通過(guò)使用一個(gè)感應(yīng)線圈在千赫茲范圍內(nèi)完成加熱。隨著全球工業(yè)域環(huán)保意識(shí)的提高，pva tepla也緊跟時(shí)代步伐，通過(guò)對(duì)該感應(yīng)線圈進(jìn)行優(yōu)化設(shè)計(jì)以實(shí)現(xiàn)低能源消耗。
更新時(shí)間:2024-08-15
區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)
fz-14 區(qū)熔晶體生長(zhǎng)系統(tǒng)是為工業(yè)生產(chǎn)直徑達(dá)100毫米（4英寸）的單晶硅晶體而設(shè)計(jì)。根據(jù)源棒的尺寸，可以拉出長(zhǎng)度達(dá)1. 1米的晶體。在這個(gè)過(guò)程中，晶體的直徑和液體區(qū)的高度可以通過(guò)攝像系統(tǒng)來(lái)監(jiān)測(cè)。并且該系統(tǒng)的上部主軸和線圈都是自動(dòng)定位的。該系統(tǒng)采用無(wú)接觸熔化工藝，通過(guò)使用渦輪分子泵和超純氬氣作為工藝氣體，產(chǎn)生高限真空環(huán)境，有效地防止了工藝過(guò)程中的污染，同時(shí)還能將氮?dú)庖允芸氐姆绞揭牍に嚑t體。
更新時(shí)間:2024-08-15
區(qū)熔法硅芯爐
sr110區(qū)熔法硅芯爐的工作方式與區(qū)熔系統(tǒng)類似。該系統(tǒng)使用一個(gè)在高頻感應(yīng)線圈下直徑為100毫米的多晶硅棒（源棒）。根據(jù)硅棒的長(zhǎng)度，在多個(gè)拉動(dòng)工藝中可以產(chǎn)生特定數(shù)量的硅芯；然后這些硅芯被用作西門(mén)子下游工藝中的原棒。通過(guò)隔離閥將接收爐體與工藝爐體分開(kāi)，可以將完成的硅芯取出，并立即開(kāi)始下一個(gè)工藝。通過(guò)引入擴(kuò)散到熔體中的工藝氣體可以對(duì)細(xì)桿進(jìn)行摻雜處理。
更新時(shí)間:2024-08-15
晶片清洗機(jī)
本機(jī)是一款全自動(dòng)晶片刷洗機(jī)，全程封閉環(huán)境采用機(jī)械手自動(dòng)操作，具備刷洗甩干功能，適用于各種半導(dǎo)體襯底材料拋光后的刷洗，可有效減少晶片表面顆粒污染。
更新時(shí)間:2024-08-13
四通道 40V 160mΩRDS智能高側(cè)開(kāi)關(guān)芯片具有保護(hù)及診斷功能
概述pc8816是四通道、高側(cè)功率具有集成nmos功率fet的開(kāi)關(guān)，以及電荷泵。該設(shè)備集成了高保護(hù)功能，例如負(fù)載電流限制，通過(guò)功率限制進(jìn)行過(guò)載主動(dòng)管理帶可配置閉鎖的超溫停機(jī)。全面診斷
更新時(shí)間:2024-05-23
JT10單相可控硅觸發(fā)器帶模擬量和示警輸出
jt10單相型可控硅觸發(fā)器產(chǎn)品采用數(shù)字顯示技術(shù)，標(biāo)配友善的ui 人機(jī)操控面板，數(shù)字顯示，觸摸按鍵？梢燥@示系統(tǒng)信息，提示故障示警，可本地產(chǎn)品參數(shù)配置。 現(xiàn)場(chǎng)檢修更換非常方便。
更新時(shí)間:2023-10-24

最新產(chǎn)品
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