sentech si 500 ccp 系統(tǒng)使用動態(tài)溫度控制和氦背冷卻,代表了材料蝕刻靈活性的優(yōu)勢。等離子體蝕刻過程中的襯底溫度設(shè)置和穩(wěn)定性是高質(zhì)量蝕刻的嚴(yán)格標(biāo)準(zhǔn)。具有動態(tài)溫度控制功能的襯底電與氦氣背面冷卻和晶圓背面溫度傳感相結(jié)合,可在很寬的溫度范圍內(nèi)提供出色的工藝條件。
herent® chimera® m 金屬刻蝕設(shè)備,為針對12英寸ic產(chǎn)業(yè)0.18微米以下后道高密度鋁導(dǎo)線互連工藝所開發(fā)的用產(chǎn)品, 同時也可應(yīng)用于鋁墊(al pad)刻蝕。該設(shè)備承襲了 chimera® a 的先進設(shè)計理念,具有出色的均勻性調(diào)控手段, 可以為客戶提供高性價比的解決方案。
kessel™ pishow® m 金屬刻蝕設(shè)備為可用于8英寸的ic產(chǎn)線鋁金屬工藝的量產(chǎn)型機臺,基于自有開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計,保證了優(yōu)異的刻蝕均勻性(片內(nèi)<8%,片間<5%)和顆?刂。在4微米厚鋁刻蝕工藝中,可以提供8000片/月的產(chǎn)能。
ccp腔室適用于制造微納結(jié)構(gòu)的等離子刻蝕技術(shù)。在反應(yīng)離子刻蝕過程中,等離子體中會包含大量的活性粒子,與表面原子產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng),生成可揮發(fā)產(chǎn)物后,隨真空抽氣系統(tǒng)排出。魯汶儀器的 haasrode® avior® a 在性價比和空間利用率上優(yōu)點突出,可提供各種不同材料的刻蝕解決方案。
pishow® d 系列深刻蝕設(shè)備,是針對8英寸~6英寸產(chǎn)線或科研深硅刻蝕工藝的用設(shè)備,擁有自主開發(fā)的優(yōu)化設(shè)計,保證了優(yōu)異的刻蝕精度控制和損傷控制。提供si bosch工藝的解決方案。該設(shè)備高性價比的解決方案和優(yōu)秀的空間利用率,可幫助不同客戶實現(xiàn)產(chǎn)能升。