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探測器產(chǎn)品及廠家

2mm大光敏面InGaAs銦鎵砷光電探測器 450-2700nm
光譜響應(yīng)范圍 450-2700nm，光敏面直徑 2mm，響應(yīng)度 1.0a/w @2.2um，ingaas銦鎵砷探測器，封裝規(guī)格 to-5
更新時間:2025-02-15
1064nm四象限Si光電探測器 光敏面直徑16mm 直流響應(yīng)度0.3A/W
光敏面直徑 16mm；直流響應(yīng)度 0.3a/w； 光敏材料 si； 擊穿電壓 200v
更新時間:2025-02-15
8mm 大光敏面硅Si硅光電探測器 響應(yīng)波段400-1100nm
8mm光敏面直徑，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜25ns，to8封裝
更新時間:2025-02-15
6mm 大光敏面硅Si光電探測器 響應(yīng)波段400-1100nm
6mm光敏面，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns,to8封裝
更新時間:2025-02-15
法蘭式Si光電探測器 光敏面積4mm 響應(yīng)波段400-1100nm
4mm光敏面，法蘭式結(jié)構(gòu)，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns，to8封裝
更新時間:2025-02-15
法蘭式SI光電探測器 光敏面積200um 響應(yīng)波段400-1100nm
200um光敏面直徑,法蘭式結(jié)構(gòu)，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns
更新時間:2025-02-15
砷化銦InAs光伏探測器 峰值波長3.35μm 光靈敏度1.0A/W
峰值波長λp：3.35μm 截止波長λc：3.65μm 光靈敏度：1.0a/w 峰值探測率d*：4.5 × 109（cm·hz1/2/w） nep：1.5 × 10-11（w/hz1/2） to-5封裝
更新時間:2025-02-15
2-5.5μm 紅外兩TE冷卻InAs光浸式光伏探測器
響應(yīng)波長范圍 2-5.5μm；峰值波長 2.9μm；相對響應(yīng)強度 ≥5×10^11 cm∙hz^(1/2)/w@2.9μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時間:2025-02-15
InAs/InAsSb 光伏探測器 響應(yīng)波長2.15-3.5μm 峰值波長2.95μm
響應(yīng)波長范圍 2.15-3.5μm；峰值波長 2.95μm；相對響應(yīng)強度≥5×10^9 cm∙hz^(1/2)/w@2.95μm；光敏面積 0.1×0.1mm^2
更新時間:2025-02-15
Ge鍺光電二管探測器 800-1800nm 響應(yīng)度0.95A/W
響應(yīng)波長范圍 800-1800nm；響應(yīng)度 0.95 a/w；有效面積 10 mm x 10 mm；材料 ge
更新時間:2025-02-15
銦鎵砷 InGaAs 光電探測器 帶寬>2GHz 有效面積直徑100um
材料：ingaas 上升／下降時間：＜１７５pｓ／＜１７５ｐｓ； 響應(yīng)度：０.９ａ／ｗ＠１３００ｎｍ； 帶寬：＞２ｇｈｚ； 有效面積直徑：１００ｕｍ； 輸出連接：bnc
更新時間:2025-02-15
1-12μm 中紅外非冷卻 光電導(dǎo)型 MCT象限探測器
響應(yīng)波長范圍 1-12μm；佳波長 10.6μm；相對響應(yīng)強度≥9×10^6 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時間:2025-02-15
非冷卻 光學浸沒 光電磁MCT紅外光伏探測器 2.0-12.0um
響應(yīng)波長范圍 2-12μm; 佳波長 10.6μm; 相對響應(yīng)強度≥1×10^8cm×hz^(1/2)/w@10.6μm; 光敏面大小 2mm×2mm
更新時間:2025-02-15
超高速MCT光浸式紅外光伏探測模塊 3.0-12.0um
響應(yīng)波長范圍3-12μm；佳波長10.6μm；相對響應(yīng)強度≥1×10^9 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積 1×1mm^2 （超半浸微透鏡）
更新時間:2025-02-15
10.6μm碲鎘汞MCT中紅外光電探測器 帶放大 帶TEC
mct探測器；響應(yīng)波長范圍 2.0-15μm ；峰值波長 10.6μm；相對響應(yīng)強度 0.23a/w；光敏面大小 2x2mm ；光學窗口 wznse ar
更新時間:2025-02-15
碲鎘汞MCT平衡/自動平衡 紅外檢測模塊 2.9-5.5μm 1.8MHz
工作波長：3-5um 帶寬：＞1.8mhz 感光區(qū)域 ao (ref and sig), mm×mm ：1×1 窗口 (ref and sig)：wal2o3 接收角 φ (ref and sig)：~36°
更新時間:2025-02-15
2.0-12.0μm 碲鎘汞可編程實驗室紅外檢測模塊
響應(yīng)波長范圍2-12μm；佳波長10.6μm；相對響應(yīng)強度≥6×10^8 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積 1×1mm^2
更新時間:2025-02-15
帶光伏多結(jié)探測器HgCdTe通用紅外檢測模塊 2.0-12.0μm
響應(yīng)波長范圍2-12μm；佳波長10.6μm；相對響應(yīng)強度≥4×10^7 cm∙hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面積1×1mm^2
更新時間:2025-02-15
1-12μm MCT非冷卻光電導(dǎo)探測器 光敏面大小1x1mm
響應(yīng)波長范圍 1-12μm；佳波長 10.6μm；相對響應(yīng)強度≥9*10^6cm*hz^(1/2)/w@10.6μm；光敏面大小 1x1mm
更新時間:2025-02-15
中紅外MCT兩TE冷卻光電探測器 2-12μm
響應(yīng)波長范圍 2-12μm；佳波長 3μm；相對響應(yīng)強度≥7×10^10 cm∙hz^(1/2)/w@3μm；光敏面 0.1×0.1mm^2；抗反射涂層窗口
更新時間:2025-02-15
銦鎵砷InGaAs放大型光電探測器 800-1700nm 5MHz
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面直徑@2mm 波長800-1700nm (可擴展到2600nm,5mhz) 峰值響應(yīng)0.9 a/w@1550nm ,9mv/uw@1550nm 飽和光功率660 uw@1550nm (hi-z) 帶寬 dc •-5mhz
更新時間:2025-02-15
銦鎵砷InGaAs雪崩光電探測器 800~1700nm 350MHz
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時間:2025-02-15
銦鎵砷InGaAs雪崩光電探測器 800~1700nm 350MHz
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 350mhz；響應(yīng)度 9@m=10 a/w；外形尺寸 100*100*25mm
更新時間:2025-02-15
InGaAs單元探測器 光譜相應(yīng)800-1700nm 帶寬DC-100M
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時間:2025-02-15
銦鎵砷InGaAs蝶形封裝低噪聲光電平衡探測器 1100-1700nm
波長: 1100~1700nm,帶寬:200 mhz,探測器響應(yīng)度 0.95@1550nm aw
更新時間:2025-02-15
InGaAs增益可調(diào)平衡探測器 800-1700nm 帶寬DC-100M
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30；接頭 fc/apc
更新時間:2025-02-15
集成InGaAs光電平衡探測器 光纖耦合器800-1700nm
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 80*80*30mm
更新時間:2025-02-15
銦鎵砷 InGaAs 直流耦合低噪聲光電探測器 200MHz
高跨阻增益: 7500 v/w (1550nm) 帶寬:200 mhz 直流耦合 2個顯示器輸出(未校準) 波長范圍:1000nm至1700nm 光纖耦合:光纖通道接收器 輸出: 50 ω sma插頭 寬范圍單電源:11至15 v
更新時間:2025-02-15
微弱光相干接收模塊 集成光電平衡探測器 1530nm-1565nm
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1530nm-1565nm；帶寬 dc-50m；外形尺寸 120*100*25mm
更新時間:2025-02-15
銦鎵砷InGaAs高靈敏度大光敏元 APD芯片 四象限雪崩探測接收模塊
工作波長 1550nm；光敏面直徑 800um；電壓響應(yīng)度 5 mv/w； 象限間隔 50um；光敏材料 ingaas
更新時間:2025-02-15
2mm 擴展型大光敏面InGaAS光電探測器模塊 1000-2600nm
光譜響應(yīng)范圍 1000-2600nm；光敏面直徑 2mm；響應(yīng)度 75% @1550nm,100@@2000nm；ingaas銦鎵砷探測器模塊；工作帶寬 50mhz
更新時間:2025-02-15
InGaAs光電平衡探測器 800-1700nm 響應(yīng)度0.95@1550nm
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 800~1700nm；帶寬 dc-350m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 75*55*25mm
更新時間:2025-02-15
InGaAs單光子陣列探測器組件 950-1650nm
器件類型 ingaas apd；工作波長 950～1650nm；陣列規(guī)模 4x4；像元大小 100μm x 100μm；光敏面大小 85μm x 85μm；石英光窗；探測效率 ≥10% (1.57+0.05μm)
更新時間:2025-02-15
InGaAs平衡探測器 1510-1590nm 帶寬DC-100M
探測器類型 ingaas；光譜相應(yīng) 1510-1590nm；帶寬 dc-100m；響應(yīng)度 0.95@1550nm；外形尺寸 120*100*25mm
更新時間:2025-02-15
光纖耦合式Si光電探測器 光敏面直徑200um 響應(yīng)速度＜2ns
200um光敏面直徑,單模光纖耦合，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜2ns，fc/apc接頭
更新時間:2025-02-15
2mm SI光電探測器 響應(yīng)波段400-1100nm 響應(yīng)速度＜8ns
2mm直徑光敏面，響應(yīng)波段：400-1100nm，si基材料 響應(yīng)速度：＜8ns，to5封裝
更新時間:2025-02-15
硅Si放大型光電探測器 320-1100nm DC-200kHz
輸入電壓±9vdc, 100ma 探頭silicon pin 感光面3.6mm * 3.6mm 波長320-1100nm 峰值響應(yīng)0.6 a/w @960nm,1 mv/nw @960nm 飽和光功率6uw @960nm(hi-z) 帶寬dc - 200khz
更新時間:2025-02-15
硅Si光電平衡探測器 400-1100nm 100MHz 響應(yīng)度0.55@850nm
工作波長400~1100nm 帶寬100mhz 探測器型號: si硅 探測器響應(yīng)度 0.55@850nm
更新時間:2025-02-15
SI硅光電探測器模塊 光譜響應(yīng)320-1100nm 直徑1.2mm
光譜響應(yīng)范圍 320-1100nm，直徑 1.2mm，響應(yīng)度 0.45a/w @660nm 0.55a/w @830nm，硅光電二管模塊
更新時間:2025-02-15
II型超晶格兩熱電冷卻紅外光導(dǎo)探測器 1.6-11um TO8
響應(yīng)波長范圍 1.6-11μm；峰值波長 6.2±0.3μm；探測率~2.8×10^8cm·hz^(1/2)/w@6.2μm；光敏面積 0.1x0.1mm
更新時間:2025-02-15
超快亞太赫茲探測器 響應(yīng)時間1μs 光譜范圍50GHz-0.7THz
terasense的超快探測器ultrafast，通過直接觀察其脈沖響應(yīng)函數(shù)證實響應(yīng)時間小于150 ps。用廣譜范圍為0.1至3thz的，200nj、1ps的激光脈沖激發(fā)該探測器，其響應(yīng)由高速示波器記錄。響應(yīng)功能顯示了由示波器4 ghz帶寬限制的150 ps的上升和下降時間。測量的短響應(yīng)時間使得我們的探測器可以直接研究thz科學和電信中的快速瞬態(tài)過程。
更新時間:2025-02-15
平衡探測器 1064 nm/1550nm
該bd系統(tǒng)配備了電子混合路徑，用于控制信號的解調(diào)和誤差信號的生成，以鎖定壓縮真空態(tài)和bd本地振蕩器的相對相位。通過這種方式，能夠?qū)崿F(xiàn)長時間測量并穩(wěn)定控制壓縮量子噪聲。調(diào)制/解調(diào)頻率通常設(shè)定在1 mhz到80 mhz之間，具體根據(jù)客戶需求。
更新時間:2025-02-15
款上市INT-E001爆炸物探測儀
int-e001 是種雙傳感器探測器，能夠發(fā)現(xiàn)地下低50cm的爆炸物。該設(shè)備采用的雙傳感器技術(shù)有探地雷達gpr和金屬探測md的功能。 這個設(shè)備操作簡單，操作人員可以接收到有關(guān)物體位置的準確信息。
更新時間:2025-02-15
INT-E001 雙傳感器探測器可探測地下低50cm的爆炸物
int-e001 是種雙傳感器探測器，能夠發(fā)現(xiàn)地下低50cm的爆炸物。該設(shè)備采用的雙傳感器技術(shù)有探地雷達gpr和金屬探測md的功能。 這個設(shè)備操作簡單，操作人員可以接收到有關(guān)物體位置的準確信息。
更新時間:2025-02-15
火焰探測器 紫外火焰探測器 紅外火焰探測器 深圳火焰探測器@臺風快訊
三波段紅外火焰探測器mic-200-ir3mic-200-ir3三波段紅外火焰探測器是一種質(zhì)量可靠的高效能火焰探測器，它運用先進的火焰分析和識別技術(shù)，能快速響應(yīng)火災(zāi)中的紅外輻射，且具有高的誤報免疫力。mic-200-ir3探測器內(nèi)含三個窄帶紅外傳感器（4-6微米）和光學過濾器，對二氧化碳發(fā)射光譜（4.4微米）具有較高的靈敏度，能有效排除干擾，實現(xiàn)更遠距離地有效探測火焰。
更新時間:2025-02-14
漏電火災(zāi)探測器
arcm300l-j4 型漏電火災(zāi)探測器（以下簡稱探測器）是針對 0.4kv 以下的 tt、tn 系統(tǒng)設(shè)計的，通過對 配電回路的剩余電流、導(dǎo)線溫度等火災(zāi)危險參數(shù)實施監(jiān)控和管理，從而預(yù)防電氣火災(zāi)的發(fā)生。
更新時間:2025-02-14
多回路剩余電流式電氣火災(zāi)監(jiān)控探測器
arcm200l-j4t4多回路剩余電流式電氣火災(zāi)監(jiān)控探測器，是針對0.4kv以下的tt、tn系統(tǒng)設(shè)計的，通過對配電回路的剩余電流、導(dǎo)線溫度、過電流、過電壓等火災(zāi)危險參數(shù)實施和管理，從而預(yù)防電氣火災(zāi)的發(fā)生，并實現(xiàn)了對多種電力參數(shù)的實時監(jiān)測,為能耗管理提供數(shù)據(jù)。
更新時間:2025-02-14
醫(yī)療場所漏電保護電氣火災(zāi)監(jiān)測探測器
arcm300-j8醫(yī)療場所漏電保護電氣火災(zāi)監(jiān)測探測器是針對0.4kv 以下的 tt、tn系統(tǒng)設(shè)計的，通過對配電回路的剩余電流、導(dǎo)線溫度等火災(zāi)危險參數(shù)實施和管理，從而預(yù)防電氣火災(zāi)的發(fā)生。產(chǎn)品采用的微控制器技術(shù)，集成度高，體積小巧，安裝方便，集智能化，數(shù)字化，網(wǎng)絡(luò)化于一身，是建筑電氣火災(zāi)預(yù)防、系統(tǒng)絕緣老化預(yù)估等的理想選擇。
更新時間:2025-02-14
路燈系統(tǒng)安全用電電氣火災(zāi)探測器
arcm300-z-4g路燈系統(tǒng)安全用電電氣火災(zāi)探測器采用的微控制器技術(shù)，集成度高，體積小巧，安裝方便，集智能化，數(shù)字化，網(wǎng)絡(luò)化于一身， 是建筑裝置預(yù)防、系統(tǒng)絕緣老化預(yù)估等的理想選擇。同時將原有rs485通訊升為gprs無線通訊方式，解決了現(xiàn)場布線難的問題。作為一種的智能化、數(shù)字化的采集元件，該智能裝置已廣泛應(yīng)用 于各種控制系統(tǒng)、scada 系統(tǒng)和能源管理系統(tǒng)。
更新時間:2025-02-14
景區(qū)售賣機智慧用電裝置
arcm310-nk-4g景區(qū)售賣機智慧用電裝置是針對0.4kv以下的tt、tn系統(tǒng)設(shè)計的智能電力裝置，具有單相交流電測量、漏電監(jiān)測、溫度監(jiān)測、內(nèi)控開合閘以及rs485通訊或gprs無線通訊功能，通過對配電回路的剩余電流、導(dǎo)線溫度等火災(zāi)危險參數(shù)實施和管理。
更新時間:2025-02-14

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熱門儀器： 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗機 酸度計（PH計） 離心機 高速離心機 冷凍離心機 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標準物質(zhì) 生物試劑