一、概述:鍺單晶(棒料、晶片)電阻率測試儀
采用由四探針雙電測量方法測試方阻和電阻率系統(tǒng)與高溫試驗箱結合配置專用的高溫測試探針治具,滿足半導體材料因溫度變化對電阻值變化的測量要求,通過先進的測控軟件可以顯示出溫度與電阻,電阻率,電導率數(shù)據(jù)的變化曲線,是檢驗和分析導體材料和半導體材料質(zhì)量的一種重要的工具。
二、適用行業(yè):鍺單晶(棒料、晶片)電阻率測試儀
廣泛用于:生產(chǎn)企業(yè)、高等院校、科研部門對導電陶瓷、硅、鍺單晶(棒料、晶片)電阻率、測定硅外延層、擴散層和離子注入層的方塊電阻以及測量導電玻璃(ITO)和其它導電薄膜的方塊電阻、電阻率和電導率數(shù)據(jù).
三、功能介紹:液晶顯示,無需人工計算,并帶有溫度補償功能,電阻率單位自動選擇,儀器自動測量并根據(jù)測試結果自動轉換量程,無需人工多次和重復設置。采用高精度AD芯片控制,恒流輸出,結構合理、質(zhì)量輕便,運輸安全、使用方便;配備軟件可以由電腦操控,并保存和打印數(shù)據(jù),自動生成報表;
本儀器采用4.3吋大液晶屏幕顯示,同時顯示液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率,配置不同的測試治具可以滿足不同材料的測試要求。
測試治具可以根據(jù)產(chǎn)品及測試項目要求選購.
雙電測數(shù)字式四探針測試儀是運用直線或方形四探針雙位測量。該儀器設計符合單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準。利用電流探針、電壓探針的變換,進行兩次電測量,對數(shù)據(jù)進行雙電測分析,自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應以及探針不等距和機械游移等因素對測量結果的影響,它與單電測直線或方形四探針相比,大大提高精確度,特別是適用于斜置式四探針對于微區(qū)的測試。
四、技術參數(shù)資料 鍺單晶(棒料、晶片)電阻率測試儀
1.方塊電阻范圍:10-4~2×105Ω/□
2.電阻率范圍:10-5×106cm
3.測試電流范圍:0.1μA ,1μA,10μA,100µA,1mA,10mA,100 mA
4.電流精度:±0.1%讀數(shù)
5.電阻精度:≤0.3%
6.顯示讀數(shù):液晶顯示:電阻、電阻率、方阻、溫度、單位換算、溫度系數(shù)、電流、電壓、探針形狀、探針間距、厚度 、電導率
7.測試方式: 雙電測量
8.工作電源: 輸入: AC 220V±10% ,50Hz 功 耗:<30W
9.整機不確定性誤差: ≤4%(標準樣片結果)
10. 最高溫度: 1200℃可調(diào)節(jié);沖溫值:≤1-3℃;控溫精度:±1°C
11、升溫速度:9999分鐘以內(nèi)自由設定,一般10分鐘內(nèi)即可升到900℃;功率:3kw.
12、爐膛材料:采用復合陶瓷纖維材料,具有真空成型,高溫不掉粉的特征。
13.專用測試PC軟件一套,USB通訊接口,軟件界面同步顯示、分析、保存和打印數(shù)據(jù)!
14.選購:電腦和打印機
還有如下相關產(chǎn)品:FT-351高溫四探針電阻率測試系統(tǒng);FT-352導體材料高溫電阻率測試系統(tǒng); FT-353絕緣材料高溫表面和體積電阻率測試系統(tǒng)
1、拉力測試測試范圍可在0-100G;0-1KG;0-10KG進行選擇; 2、推球測試測試范圍可在250G 或 5KG進行選擇; 3、芯片或CHIP推力測試范圍可在測試到0-100公斤; 0-200KG進行選擇; 4、鑷子撕力測試頭量程為100G 和5KG進行選擇; 5、BGA拔球到0-100G;0-5KG進行選擇;
率微粒表面沉積系統(tǒng)包括進的氣溶膠霧化發(fā)生、靜電分離及沉積技術,用于產(chǎn)生可溯源NIST的PSL球及加工過程顆粒沉積在晶片表面的標準晶片,用于研究不同折射稀疏對晶片檢測系統(tǒng)的影響并標定檢測系統(tǒng),也可用于評價晶片干法/濕法清洗系統(tǒng)的性能。
儀器特點:
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標準單 DMA:0.08 – 1.0 µm
可選雙DMA:0.03 – 3.0 µm
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應用說明:
特點
用途
規(guī)格參數(shù)
產(chǎn)品編碼 | D-Think G02 |
芯片類型 | 可讀寫 |
工作頻率(調(diào)制方式) | ASK, 134.2 KHz |
協(xié)議標準 | 符合 ISO 11785國際標準,符合 ISO 11784/FDX-B 國際標準 |
可寫次數(shù) | 大于 1,000,000 次 |
外型尺寸 | 直徑 <= 2mm 長度 <= 8mm |
材料 | 生化涂層覆蓋、生物玻璃,抗菌,抗過敏 |
防靜電 | 防止靜電擊穿,耐壓 5000V 以上 |
工作溫度 | -20℃ - 85 ℃ |
存儲溫度 | -40℃ - 90 ℃ |
工作年限 | 大于20年 |
最大讀取范圍 * | 50-500 mm |
重量 | 0.07克 |
電源需求 | 不需要 |
率微粒表面沉積系統(tǒng)包括進的氣溶膠霧化發(fā)生、靜電分離及沉積技術,用于產(chǎn)生可溯源NIST的PSL球及加工過程顆粒沉積在晶片表面的標準晶片,用于研究不同折射稀疏對晶片檢測系統(tǒng)的影響并標定檢測系統(tǒng),也可用于評價晶片干法/濕法清洗系統(tǒng)的性能。
儀器特點:
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標準單 DMA:0.08 – 1.0 µm
可選雙DMA:0.03 – 3.0 µm
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1、故障率極低、抗干擾能力強、系統(tǒng)穩(wěn)定性好。
2、全中文人機界面,10英寸TFT觸摸屏,界面直觀、操作簡單。
3、高穩(wěn)定度高壓電源,保證射線穩(wěn)定輸出。
4、采用振動上料,排除人工理片造成的二次污染,大大降低人力資源,實現(xiàn)一人多機操作。
5、晶片方向自動識別,獨創(chuàng)四方向旋轉掃描,正方形晶片亦可辨向,不同厚度晶片切換無需重新設置放大器,辨向準確率極高。
6、全新的三點式測片臺、托臺設計,保證晶片測量精度。
7、系統(tǒng)具有管理和統(tǒng)計功能,適用于生產(chǎn)工藝相結合,數(shù)據(jù)可U盤或本機存貯,亦可打印。
8、機械采用強化設計,結構合理、性能穩(wěn)定、易于維護,大大保證了測量精度。
9、 角度掃描采用進口伺服電機,較步進電機具有精度高、運行平穩(wěn)、無丟步現(xiàn)象等。
10、獨特的下料分選裝置,落差低,晶片平穩(wěn)滑落,有效降低了晶片破損率。分檔準確率 100%。
11、高穩(wěn)定的放大器電路設計,解決了零位漂移現(xiàn)象。
12、采用進口LED聲光報警,可對設備運行及故障進行實時監(jiān)控和必要的提示。
13、安全防護:自動光閘(僅在測片時開啟),X光箱倉門保護,X光管溫度保護,防X射線和防塵的 金屬罩殼防護。
14、開機自動預熱,自動延時關機,有效地保護X光管、延長使用壽命。
系列: | 石英晶體微天平 |
型號l | AC5AP14 |
電極材料: | 金/鉻 |
標準頻率: | 5.000MHz |
中心頻率: | 5.003MHz |
晶片直徑: | 13.67mm |
頻率公差: | ±5KHz@25℃ |
晶體切型: | AT-CUT |
諧振阻抗: | ≤15Ω |
工作溫度: | 25℃~+75℃ |
儲存溫度: | ﹣20℃~+85℃ |
儲存溫度: | RH 30%-50% |
包裝: | 1 片/方盒(真空包裝) |
外型: | 雙面(如圖) |
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