多功能磁控濺射儀(濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā))
NPGS美國電子束曝光系統(tǒng)(納米圖形發(fā)生系統(tǒng))（南京覃思）
電子束曝光系統(tǒng)（electron beam lithography, EBL）是一種利用電子束在工件面上掃描直接產(chǎn)生圖形的裝置。由于SEM、STEM及FIB的工作方式與電子束曝光機(jī)十分相近，美國JC Nabity Lithography Systems公司成功研發(fā)了基于改造商品SEM、STEM或FIB的電子束曝光裝置（Nanometer Pattern Generation System納米圖形發(fā)生系統(tǒng)，簡稱NPGS，又稱電子束微影系統(tǒng)）。電子束曝光技術(shù)具有可直接刻畫精細(xì)圖案的優(yōu)點(diǎn)，且高能電子束的波長短（< 1 nm），可避免繞射效應(yīng)的困擾，是實(shí)驗(yàn)室制作微小納米電子元件理想選擇。相對(duì)于購買昂貴的用電子束曝光機(jī)臺(tái)，以既有的SEM等為基礎(chǔ)，外加電子束控制系統(tǒng)，透過電腦介面控制電子顯微鏡中電子束之矢量掃描，以進(jìn)行直接刻畫圖案，在造價(jià)方面可大幅節(jié)省，且兼具原SEM 的觀測功能，在功能與價(jià)格方面均具有優(yōu)勢。由于其具有高分辨率以及低成本等特點(diǎn)，在北美研究機(jī)構(gòu)中，JC Nabity的NPGS是非常熱銷的配套于掃描電鏡的電子束微影曝光系統(tǒng)，而且它的應(yīng)用在各地越來越廣泛。NPGS的技術(shù)目標(biāo)是提供一個(gè)功能強(qiáng)大的多樣化簡易操作系統(tǒng)，結(jié)合使用市面上已有的掃描電鏡、掃描透射電鏡或聚焦離子束裝置，用來實(shí)現(xiàn)藝術(shù)的電子束或離子束平版印刷技術(shù)。NPGS能成功滿足這個(gè)目的，得到了當(dāng)眾多用戶的強(qiáng)烈推薦和一致肯定。一. 技術(shù)描述：為滿足納米電子束曝光的要求，JC Nabity的NPGS系統(tǒng)設(shè)計(jì)了一個(gè)納米圖形發(fā)生器和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路，并采用PC機(jī)控制。PC機(jī)通過圖形發(fā)生器和數(shù)模轉(zhuǎn)換電路去驅(qū)動(dòng)SEM等儀器的掃描線圈，從而使電子束偏轉(zhuǎn)并控制束閘的通斷。通過NPGS可以對(duì)標(biāo)準(zhǔn)樣片進(jìn)行圖像采集以及掃描場的校正。配合精密定位的工件臺(tái)，還可以實(shí)現(xiàn)曝光場的拼接和套刻。利用配套軟件也可以新建或?qū)攵喾N通用格式的曝光圖形。（一） 電子源（Electron Source）曝照所需電子束是由既有的SEM、STEM或FIB產(chǎn)生的電子束（離子束）提供。（二） 電子束掃描控制（Beam Scanning Control）電子射出后，受數(shù)千乃至數(shù)萬伏特之加速電壓驅(qū)動(dòng)沿顯微鏡中軸向下移動(dòng)，并受中軸周圍磁透鏡（magnetic lens）作用形成聚焦電子束而對(duì)樣本表面進(jìn)行掃描與圖案刻畫。掃描方式可分為循序掃描（raster scan）與矢量掃描（vector scan）。循序掃描是控制電子束在既定的掃描范圍內(nèi)進(jìn)行逐點(diǎn)逐行的掃描，掃描的點(diǎn)距與行距由程式控制，而當(dāng)掃描到有微影圖案的區(qū)域時(shí)，電子束開啟進(jìn)行曝光，而當(dāng)掃描到無圖案區(qū)域時(shí)，電子束被阻斷；矢量掃描則是直接將電子束移動(dòng)到掃描范圍內(nèi)有圖案的區(qū)域后開啟電子束進(jìn)行曝光，所需時(shí)間較少。掃描過程中，電子束的開啟與阻斷是由電子束阻斷器（beam blanker）所控制。電子束阻斷器通常安裝在磁透鏡組上方，其功效為產(chǎn)生一大偏轉(zhuǎn)磁場使電子束完全偏離中軸而無法到達(dá)樣本。（三） 阻劑（光阻）阻劑（resist）是轉(zhuǎn)移電子束曝照?qǐng)D案的媒介。阻劑通常是以薄膜形式均勻覆蓋于基材表面。高能電子束的照射會(huì)改變阻劑材料的特性，再經(jīng)過顯影（development）后，曝照（負(fù)阻劑）或未曝照（正阻劑）的區(qū)域?qū)?huì)留在基材表面，顯出所設(shè)計(jì)的微影圖案，而后續(xù)的制程將可進(jìn)一步將此圖案轉(zhuǎn)移到阻劑以下的基材中。PMMA（poly-methyl methacrylate）是電子束微影中很常用的正阻劑，是由單體甲基丙烯酸甲酯（methyl methacrylate, MMA）經(jīng)聚合反應(yīng)而成。用在電子阻劑的PMMA 通常分子量在數(shù)萬至數(shù)十萬之間，受電子束照射的區(qū)域PMMA 分子量將變成數(shù)百至數(shù)千，在顯影時(shí)低分子量與高分子量PMMA 溶解度的對(duì)比非常大。負(fù)阻劑方面，多半由聚合物的單體構(gòu)成。在電子束曝照的過程中會(huì)產(chǎn)生聚合反應(yīng)形成長鏈或交叉鏈結(jié)（crosslinking）聚合物，所產(chǎn)生的聚合物較不易被顯影液溶解因而在顯影后會(huì)留在基板表面形成微影圖案。目常用的負(fù)阻劑為化學(xué)倍增式阻劑（chemically amplified resist），經(jīng)電子束曝照后產(chǎn)生氫離子催化鏈結(jié)反應(yīng)，具有高解析度、高感度，且抗蝕刻性高。（四） 基本工序電子束微影曝光技術(shù)的基本工序與光微影曝光技術(shù)相似，從上阻、曝照到顯影，各步驟的參數(shù)（如溫度、時(shí)間等等）均有賴于使用者視需要進(jìn)行校對(duì)與調(diào)整。二. 主要技術(shù)指標(biāo)：型號(hào)：NPGS細(xì)線寬（μm）：根據(jù)SEM小束斑（μm）：根據(jù)SEM掃描場：可調(diào)加速電壓：根據(jù)SEM，一般為0-40kV速度：5MHz（可選6MHz）A. 硬件：微影控制介面卡：NPGS PCI-516A High Speed Lithography Board，high resolution （0.25%）控制電腦：Pentium IV 3.0GHz/ 512Mb RAM/ 80G HD/ Windows XP皮可安培計(jì)：KEITHLEY 6485 PicoammeterB. 軟件：微影控制軟件 NPGS V9.1 for Windows2000 或 XP 圖案設(shè)計(jì)軟件 DesignCAD LT 2000 for Windows三. 應(yīng)用簡述NPGS電鏡改裝系統(tǒng)能夠制備出具有高深寬比的微細(xì)結(jié)構(gòu)納米線條，從而為微電子域如高精度掩模制作、微機(jī)電器件制造、新型IC研發(fā)等相關(guān)的微/納加工技術(shù)提供了新的方法。NPGS系統(tǒng)作為制作納米尺度的微小結(jié)構(gòu)與電子元件的技術(shù)平臺(tái)，以此為基礎(chǔ)可與各種制程技術(shù)與應(yīng)用結(jié)合。應(yīng)用范圍和域取決于客戶的現(xiàn)有資源，例如： NPGS電子束曝光系統(tǒng)可與等離子應(yīng)用技術(shù)做很有效的整合，進(jìn)行各項(xiàng)等離子制程應(yīng)用的開發(fā)研究，簡述如下：（一） 半導(dǎo)體元件制程等離子制程已廣泛應(yīng)用于當(dāng)半導(dǎo)體元件制程，可視為電子束微影曝光技術(shù)的下游工程。例如：（1） 等離子刻蝕（plasma etching）（2） 等離子氣相薄膜沉積（plasma-enhanced chemical vapor deposition, PECVD）（3） 濺鍍（sputtering）（二） 微機(jī)電元件制程（Semiconductor Processing）微機(jī)電元件在制程上與傳統(tǒng)半導(dǎo)體元件制作有其差異性。就等離子相關(guān)制程而言，深刻蝕（deep etching）是主要的應(yīng)用，其目標(biāo)往往是完成深寬比達(dá)到102 等的深溝刻蝕或晶圓穿透刻蝕。而為達(dá)成高深寬比，深刻蝕采用二種氣體等離子交替的過程？涛g完成后可輕易以氧等離子去除側(cè)壁覆蓋之高分子。在微機(jī)電元件制作上，深刻蝕可與電子束微影曝光技術(shù)密切結(jié)合。電子束微影曝光技術(shù)在圖案設(shè)計(jì)上之自由度十分符合復(fù)雜多變化的微機(jī)電元件構(gòu)圖。一旦完成圖案定義，將轉(zhuǎn)由深刻蝕技術(shù)將圖案轉(zhuǎn)移到晶圓基板。
電子束實(shí)驗(yàn)儀
美國Temescal公司電子束蒸發(fā)鍍膜系統(tǒng)
| 設(shè)備型號(hào) | FC/BJD-2000 | FC/BCD-2800 | FC-3800 | FC-4400 |
| 2inch 晶圓 | 42 | N/A | N/A | N/A |
| 3inch 晶圓 | 17 | 47 | N/A | N/A |
| 100mm晶圓 | 13 | 25 | 53 | 55 |
| 150mm晶圓 | 5 | 12 | 25 | 30 |
| 200mm晶圓 | N/A | 6 | 14 | 15 |
聯(lián)系人：張先生 139- （#qq.com）
真空電子束焊機(jī)真空泵
供應(yīng)真空電子束焊機(jī)真空泵，電子束在配置大路通DLT.V0300真空泵的真空環(huán)境里焊接因具有不用焊條、不易氧化、工藝重復(fù)性好及熱變形量小的優(yōu)點(diǎn)而廣泛應(yīng)用于航空航天、原子能、國防及軍工、汽車和電氣電工儀表等眾多行業(yè)。電子束焊接要求真空度很高，一般是需要配置多臺(tái)真空泵才能達(dá)到要求，大路通DLT.V0300真空泵是一款結(jié)構(gòu)緊湊,堅(jiān)固耐用,安全環(huán)保的真空泵,轉(zhuǎn)子具有良好的幾何對(duì)稱性，故振動(dòng)小，運(yùn)轉(zhuǎn)平穩(wěn)，真空泵高，所以多作為真空電子束焊機(jī)的前級(jí)泵配置。本公司技術(shù)人員集多年的行業(yè)應(yīng)用經(jīng)驗(yàn),借鑒多款歐美產(chǎn)品的優(yōu)點(diǎn),結(jié)合中國用戶的使用維護(hù)習(xí)慣而獨(dú)立開發(fā)的產(chǎn)品.選用優(yōu)質(zhì)配套件,采用先進(jìn)的加工裝配工藝,確保產(chǎn)品的高品質(zhì)及可靠性.DLT.V0300真空泵能長期不間斷運(yùn)行.DLT.V0300真空泵參數(shù)抽氣速率: 300立方米/小時(shí)極限壓力: 0.1mbar電 源：380V 電機(jī)功率: 7.5KW重量: 約210KG可按應(yīng)用要求配置多種附件, 體積緊湊，運(yùn)行寧靜，尤其適合各類機(jī)械設(shè)備配套.產(chǎn)品特點(diǎn)：1.設(shè)計(jì)精密.結(jié)構(gòu)堅(jiān)固.重量輕.易于安裝及維護(hù).1.低噪音,低震動(dòng),工作環(huán)境不會(huì)受影響 2.內(nèi)置高效油霧過濾器,所排出的氣體不含油霧 3.采用風(fēng)冷卻,但較大型的真空泵配有冷卻風(fēng)管,利用風(fēng)扇將風(fēng)管內(nèi)的潤滑油冷卻,提高冷卻效果 4.內(nèi)置止回閥及氣鎮(zhèn)閥，可避免停機(jī)后泵逆轉(zhuǎn)而造成油逆流及避免高真空環(huán)境下，空氣所含水氣經(jīng)壓縮凝結(jié)成水點(diǎn)，造成潤滑油乳化變質(zhì)5.抽風(fēng)量強(qiáng)勁,極限真空可達(dá)到0.1mbar（10Pa）6.運(yùn)轉(zhuǎn)聲音小.大路通真空泵已普遍應(yīng)用于各類儀器真空包裝，橡膠和塑料工業(yè)上的真空吸塑成形，印刷工業(yè)上的紙張輸送，各類鑄件的真空浸漬防漏，機(jī)械加工上的真空夾具，電子半導(dǎo)體工業(yè)上的元器件真空裝夾定位，化工上的真空干燥，過濾，大型機(jī)械零件在空真狀態(tài)下的動(dòng)平衡試驗(yàn)以及醫(yī)院手術(shù)室的真空吸引等在本型泵所能達(dá)到的真空范圍的各種真空處理。適用機(jī)械:硫化機(jī)/加硫機(jī)/吸塑機(jī)/層壓機(jī)/橡膠硫化機(jī)/精雕機(jī)/自動(dòng)化機(jī)械手/吸附加工/真空貼膜機(jī)/食品包裝機(jī)/線路板/薄膜開關(guān)/模具抽真空/真空機(jī)床吸盤/雕銑機(jī)/高光機(jī)/CD紋機(jī)/數(shù)控批花機(jī)/含浸機(jī)/浸漆機(jī)/破波機(jī)/脫泡機(jī)/灌膠機(jī)/點(diǎn)膠機(jī)/注型機(jī)/電子束焊機(jī)
電子束蒸發(fā)系統(tǒng)
| 技術(shù)參數(shù)
1.電子束源&電源 •單個(gè)或者可自由切換換電子束源： －－蒸發(fā)室數(shù)量 1 ~ 12(標(biāo)配: 4, 6) －－坩堝容量：7 ~ 40 cc (最大可達(dá)200 cc) －－－－標(biāo)準(zhǔn)：25 cc (4 or 6 Pocket), 40 cc (4 Pocket) －－－－最大：200 cc (156cc for UHV) 可用于長時(shí)間的沉積 •偏轉(zhuǎn)角度：180º, 270º •輸出功率：6, 10, 15, 20 kW •支持兩個(gè)或者三個(gè)電子束源在一個(gè)系統(tǒng)上 •可連續(xù)或者同時(shí)沉積兩種或三種材料 •高速率沉積 2.薄膜沉積控制： •IC-5 ( or XTC, XTM) 和計(jì)算機(jī)控制 －－沉積過程參數(shù)可控 －－石英晶體振蕩傳感器 －－光學(xué)檢測系統(tǒng)用于光學(xué)多層薄膜沉積：測量波長范圍350-2000 nm，分辨率1 nm •薄膜厚度檢測和處理過程可通過計(jì)算機(jī)程序控制 •薄膜厚度檢測和沉積速率可通過計(jì)算機(jī)程序控制 －－支持大面積沉積 －－支持在線電子束蒸發(fā)沉積 －－基底尺寸：20~100英寸 －－薄膜均勻性 <±1.0 to 5.0 % 3.真空腔體： •圓柱形腔體 －－直徑：φ500 ~ 1,500 mm －－高度：800 ~ 1500 mm •方形腔體 －－根據(jù)客戶的需求定制 4.真空泵和測量裝置： •低真空：干泵和convectron真空規(guī) •高真空：渦輪分子泵，低溫泵和離子規(guī) •超高真空：雙級(jí)渦輪分子泵，離子泵和離子規(guī) 5.控制系統(tǒng)PLC和 觸摸屏計(jì)算機(jī)： •硬件: PLC, 觸摸屏計(jì)算機(jī) －－包括模擬和數(shù)字輸入/輸出卡 －－顯示器: LCD •自動(dòng)和手動(dòng)程序控制 －－程序控制：加載，編輯和保存 －－程序激活控制： －－－－泵抽真空，蒸發(fā)沉積，加熱， 旋轉(zhuǎn)等 －－－－膜厚度檢測和控制多層薄膜沉積 －－－－系統(tǒng)狀態(tài)，數(shù)據(jù)加載等 －－－－問題解答和聯(lián)動(dòng)狀態(tài)
| ||
| 主要特點(diǎn)
擴(kuò)展功能： •質(zhì)量流量控制器：反應(yīng)和等離子體輔助惰性氣體控制 •離子源和控制器：等離子體輔助沉積 •射頻電源：基底預(yù)先處理 •溫度控制器：基底加熱 •熱蒸發(fā)器：1 or 2 boat •蒸鍍?cè)碿ell：1 or 2 for doping •冷卻器：系統(tǒng)冷卻
| ||
全球?qū)I(yè)的沉積設(shè)備制造商，為各個(gè)領(lǐng)域的客戶提供完善的薄膜沉積解決方案：電子束蒸發(fā)系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)、超高真空蒸發(fā)系統(tǒng)、分子束外延MBE、有機(jī)分子束沉積OMBD、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)PECVD/ICP Etcher、電子回旋共振等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積、離子泵等； 電子束蒸發(fā)系統(tǒng)： 1.膜電子束蒸發(fā)系統(tǒng)E -Beam Evaporation System 2.高真空電子束蒸發(fā)系統(tǒng)High Vacuum E -Beam Evaporation System 3.超高真空電子束蒸發(fā)系統(tǒng)Ultra-high Vacuum (UHV) E -Beam Evaporation System 4.離子輔助蒸發(fā)系統(tǒng)Ion Beam Assisted Evaporation System 5.離子電鍍系統(tǒng)Ion Plating System 6.Cluster Tool E -Beam Evaporation System 7.在線電子束蒸發(fā)系統(tǒng)In-line E -Beam Evaporation System | ||
EB-4電子束實(shí)驗(yàn)儀
型號(hào):M292648 電子束實(shí)驗(yàn)儀
| 電子束實(shí)驗(yàn)儀 型號(hào):M292648 | |
| 研究電子在電場和磁場中運(yùn)動(dòng)變化規(guī)律，可進(jìn)行電偏轉(zhuǎn)、電聚焦磁偏轉(zhuǎn)、磁聚焦、電子荷質(zhì)比實(shí)驗(yàn)。 1、一體化結(jié)構(gòu)，有5只數(shù)顯表獨(dú)立顯示各部分電壓、電流，無須轉(zhuǎn)換就可同時(shí)讀數(shù)。 2、采用模塊化設(shè)計(jì)，有完善的保護(hù)電路，配以高且?guī)в凶o(hù)套的專用連接線，確保實(shí)驗(yàn)安全、、經(jīng)久耐用。 3、配有可達(dá)3.5A的磁偏轉(zhuǎn)電流源可方便地實(shí)現(xiàn)二次聚焦。 |
DL08-24053電子束演示儀
電子束演示儀采用8SJ31G型靜電偏轉(zhuǎn)陰極射線演示管。當(dāng)該管各極加上工作電壓后，從陰極射出具有能量的電子束，由于電子束是不可以用肉眼觀察到的，所以通過將電子束加速增加其動(dòng)量去轟擊用特殊材料制作成的熒光屏幕，使屏幕發(fā)光，顯示電子束的徑跡。
儀器的主要用途：(1)演示加速后的電子，在沒有外來電場或磁場的作用時(shí)，按直線運(yùn)動(dòng)。(2)觀察電子束在電場的作用下發(fā)生偏轉(zhuǎn)。(3)觀察電子束在磁場中所受的洛侖茲力。(4)說明熱電子發(fā)射現(xiàn)象。該儀器設(shè)計(jì)合理，體積小重量輕，使用方便，安全可靠，維護(hù)、維修極為便利。
二、技術(shù)性能：
2-1、加速電壓：0～700伏 連續(xù)可調(diào)。
2-2、偏轉(zhuǎn)電壓：幅度為0～50伏 連續(xù)可調(diào)。
2-3、偏轉(zhuǎn)方向：上、下、左、右四個(gè)方向。（電場作用）
2-4、顯示方式：熒光屏幕顯示電子束徑跡。
2-5、電源：220V±10％ 50Hz。
2-6、功耗：＜30W。
2-7、工作環(huán)境：a)溫度：0～40℃。
b)相對(duì)濕度：＜85%。
2-8、連續(xù)工作時(shí)間：小時(shí)。
DT306-EB-Ⅲ電子束實(shí)驗(yàn)儀 電子束實(shí)驗(yàn)計(jì)
最新產(chǎn)品
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì)選配件 2025/4/5 3:19:05
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì)選配件 2025/4/5 3:18:11
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì)選配件 2025/4/5 3:16:06
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì)選配件 2025/4/5 3:15:03
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì)選配件 2025/4/5 2:57:28
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì)選配件 2025/4/5 2:53:23
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì)選配件 2025/4/5 2:52:14
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì)選配件 2025/4/5 2:51:08
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì)選配件 2025/4/5 2:49:44
- 日本ONOSOKKI小野傳感器用高速模塊 2025/4/5 2:14:05
- 日本ONOSOKKI小野傳感器電纜 2025/4/5 1:41:26
- 日本ONOSOKKI小野傳感器用復(fù)位信號(hào)電纜 2025/4/5 1:40:24
- 日本ONOSOKKI小野傳感器用電纜 2025/4/5 1:38:45
- 日本ONOSOKKI小野傳感器用電纜 2025/4/5 1:35:37
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì)控制器 2025/4/5 0:53:48
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì)控制器 2025/4/5 0:52:39
- 日本ONOSOKKI小野激光表面速度計(jì) 2025/4/5 0:50:28
- 小野測器ONOSOKKI電荷放大器 2025/4/4 23:41:03
- 小野ONOSOKKI電荷/電壓轉(zhuǎn)換器 2025/4/4 23:24:08
- 小野ONOSOKKI電荷/電壓轉(zhuǎn)換器 2025/4/4 23:22:41
- 日本ONOSOKKI小野3通道傳感放大器 2025/4/4 23:05:56
- 日本ONOSOKKI小野2通道傳感放大器 2025/4/4 22:37:55
- 日本小野ONOSOKKI加速度傳感器 2025/4/4 20:56:39
- 日本ONOSOKKI小野傳感器信號(hào)電纜 2025/4/4 20:26:57
- 日本ONOSOKKI小野傳感器信號(hào)電纜 2025/4/4 20:26:12
- 日本ONOSOKKI小野傳感器信號(hào)電纜 2025/4/4 20:24:57
- 日本ONOSOKKI小野傳感器信號(hào)電纜 2025/4/4 20:23:00
- 日本ONOSOKKI小野傳感器信號(hào)電纜 2025/4/4 20:22:00
- 日本ONOSOKKI小野傳感器信號(hào)電纜 2025/4/4 20:21:06
- 日本ONOSOKKI小野傳感器信號(hào)電纜 2025/4/4 20:20:07