特點(diǎn):● 電壓波動(dòng)保護(hù)功能,電源逆連接保護(hù)功能(DC) ● 過(guò)電流保護(hù)功能 ● 壽命長(zhǎng),可靠性 ● 有紅燈,可辨別動(dòng)作是否發(fā)生 ● 經(jīng)濟(jì)性,容易操作 ● 用途廣泛,可代替 Micro 開關(guān),Limit 開關(guān) ● 在電源電壓直流10~30V 交流90~250V的范圍內(nèi),可以直接驅(qū)動(dòng)200mA以下的負(fù)荷 產(chǎn)品規(guī)格:直流二線/三線
經(jīng)銷以下品牌: ◇日本山武YAMATAKE/azbil◇日本竹中TAKEX◇日本基恩斯KEYEN◇日本神視SUNX◇日本◇日本奧普士optex◇日本東邦TOHO◇日本三洋SANYO◇日本富士FUJI◇臺(tái)灣陽(yáng)明FOTEK◇臺(tái)灣士研ANV◇臺(tái)灣瑞科RIKO◇臺(tái)灣天得TEND◇臺(tái)灣茂仁moujen◇臺(tái)灣安良ANLY◇美國(guó)邦納BANNER◇美國(guó)霍尼韋爾HONEYWELL◇◇施克SICK◇瑞士佳樂(lè)CARLO GAVAAZZI◇瑞士科瑞CONTRINEX◇◇瑞士◇
◇◇( Electric)
主營(yíng)產(chǎn)品:接近開關(guān) 、光電開關(guān)、雙向拉繩開關(guān)、兩級(jí)跑偏開關(guān)、限位開關(guān)、氣缸磁性開關(guān)、防爆磁性接近開關(guān)、傾斜開關(guān)、縱向撕裂開關(guān)、井筒磁開關(guān)、熱電偶溜槽堵塞開關(guān)、礦用防爆電氣、電廠輸煤系統(tǒng)。
麻城接近開關(guān)、電感式傳感器:金屬外殼,螺紋圓柱外形,直流2線、3線、4線、交流2線、交直流2線,黃色LED指示燈紅色LED指示燈,IP67防護(hù)等級(jí) ,全螺紋接近開關(guān)、帶插接近開關(guān)、帶線的接近開關(guān)、直徑8mm接近開關(guān)、直徑12mm接近開關(guān)、直徑18mm接近開關(guān)、直徑30mm接近開關(guān),PNP接近開關(guān)、NPN接近開關(guān)。接近開關(guān):
接近開關(guān)LJA71M-4010GK
接近開關(guān)LJA71M-4015GK
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接近開關(guān)YD-A-A15G
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接近開關(guān)PH-D-C20
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接近開關(guān)HT-M12-S15-TO
接近開關(guān)SA3M-1K
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接近開關(guān)HTL-Q05NIS-S
接近開關(guān)GH1-244QX
接近開關(guān)J30-D15NK
接近開關(guān)YS-D-B10
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接近開關(guān)JN1-1805SE1
接近開關(guān)ZLJ-A30-10ALA
接近開關(guān)EM10-G30-L1
接近開關(guān)LD8-G30-A2
接近開關(guān)LZ15-3PK-F
接近開關(guān)EL10X-30YP-AZ3-C2
此型號(hào)霍爾開關(guān)廣泛用于學(xué)生用跳繩,體育器材等計(jì)數(shù)用儀器上
PVD物理氣相沉積鍍膜
顯然,單晶硅材料是目前為止最重要的半導(dǎo)體材料,沒有之一。一方面作為IC芯片引領(lǐng)智能計(jì)算機(jī)/手機(jī)等等和自動(dòng)化控制領(lǐng)域,另一方面又可作為功能材料,為工業(yè)界/實(shí)驗(yàn)室/科研單位等提供良好的單晶/外延載體,為人類的科研北京堯電科技創(chuàng)新事業(yè)再續(xù)力量。
本司提供:2英寸,4英寸,6英寸,8英寸,12英寸單拋,雙拋硅片。并可加工成方片,及其他規(guī)格小片,大片。支持混批,支持私人定制。
材質(zhì):高純硅Si單晶基片 ;
導(dǎo)電類型:N/P型可選,電阻率:0.0001-100歐,
生長(zhǎng)方式: 直拉
晶 向: [111]/[100]/[110];
平 整 度: <1微米(衡量整體翹曲程度)
表面粗糙度:5埃左右(衡量表面微觀形貌);
用 途: 1、PVD/CVD鍍膜做襯底;
2、用作XRD(X射線衍射分析)、SEM(掃描電鏡)、AFM(原子力顯微鏡)、FTIR紅外、
熒光光譜等分析測(cè)試北京堯電科技基底;
3、同步輻射實(shí)驗(yàn)樣品載體;
4、分子束外延生長(zhǎng)的基底;
5、半導(dǎo)體光刻工藝等等
單晶硅-Si基片-IC級(jí)芯片-科研試驗(yàn)作為外延芯片或鍍膜基片
LASF N9 光學(xué)玻璃片
以下來(lái)自百度百科 僅供參考 謝謝!
· 利用硅單晶所生產(chǎn)的太陽(yáng)能電池可以直接把太陽(yáng)能轉(zhuǎn)化為光能,實(shí)現(xiàn)了邁向綠色能源革命的開始,F(xiàn)在,國(guó)外的太陽(yáng)能光伏電站已經(jīng)到了理論成熟階段,正在向?qū)嶋H應(yīng)用階段過(guò)渡,太陽(yáng)能硅單晶的利用將是普及到全世界范圍,市場(chǎng)需求量不言而喻。北京2008年奧運(yùn)會(huì)將把“綠色奧運(yùn)”做為重要展示面向全世界展現(xiàn),單晶硅的利用在其中將是非常重要的一環(huán)。
· 先是石頭,(石頭都含硅),把石頭加熱,變成液態(tài),在加熱變成氣態(tài),把氣體通過(guò)一個(gè)密封的大箱子,箱子里有N多的子晶加熱,兩頭用石墨夾住的,氣體通過(guò)這個(gè)箱子,子晶會(huì)把氣體中的一種吸符到子晶上,子晶慢慢就變粗了,因?yàn)槭菤怏w變固體,所以很慢,一個(gè)月左右,箱子里有就很多長(zhǎng)長(zhǎng)的原生多晶硅,當(dāng)然,還有很多的廢氣啊什么的,(四氯化硅)就是生產(chǎn)過(guò)程中產(chǎn)生的吧,好像現(xiàn)在還不能很好處理這東西,廢話不多說(shuō),原生多晶有了,就開始酸洗,氫氟酸啊硝酸啊,乙酸啊什么的把原生多晶外面的東西洗干凈了,就過(guò)烘房烘干,無(wú)塵檢查打包,送到拉晶,拉晶就是用拉晶爐把多晶硅加熱融化,在用子晶向上拉引,工人先把多晶硅放進(jìn)石英鍋里,(廠里為了減少成本,也會(huì)用一些洗好的電池片,碎硅片一起融)關(guān)上爐子加熱,石英鍋的融點(diǎn)是1700度,硅的融點(diǎn)才1410度左右,融化了硅以后石英鍋慢慢轉(zhuǎn)起來(lái),子晶從上面下降,點(diǎn)到鍋的中心液面點(diǎn),也慢慢反方向轉(zhuǎn),鍋下面同時(shí)在電加熱,液面上加冷,子晶點(diǎn)到液面上就會(huì)出現(xiàn)一個(gè)光點(diǎn),慢慢旋轉(zhuǎn),向上拉引,放肩,轉(zhuǎn)肩,正常拉棒,收尾,一天半左右,一個(gè)單晶棒就出來(lái)了,當(dāng)然還有很多是經(jīng)驗(yàn),我文筆不太好,說(shuō)不清楚,比如放母合金,控制溫度什么的,單晶棒有了就切方,單晶棒一般是做6英寸的,P型,電阻率0。5-6歐姆(一英寸等于2。4厘米左右)切掉棒子四邊,做成有倒角的正方形,在切片,0。22毫米一片吧。
· 單晶硅已滲透到國(guó)民經(jīng)濟(jì)和國(guó)防科技中各個(gè)領(lǐng)域,當(dāng)今全球超過(guò)2000億美元的電子通信半導(dǎo)體市場(chǎng)中95[%]以上的半導(dǎo)體器件及99[%]以上的集成電路用硅。
但我國(guó)硅單晶產(chǎn)量主要集中在技術(shù)含量偏低的太陽(yáng)能用單晶硅上,IC用硅單晶尤其是8英寸以上硅晶片基本依賴進(jìn)口,遠(yuǎn)不能滿足國(guó)內(nèi)IC市場(chǎng)的需求。但在2007年5月24日,國(guó)家“863”計(jì)劃超大規(guī)模集成電路(IC)配套材料重大專項(xiàng)總體組在北京組織專家對(duì)西安理工大學(xué)和北京有色金屬研究總院承擔(dān)的“TDR-150型單晶爐(12英寸MCZ綜合系統(tǒng))”完成了驗(yàn)收。這標(biāo)志著擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的大尺寸集成電路與太陽(yáng)能用硅單晶生長(zhǎng)設(shè)備,在我國(guó)首次研制成功。這項(xiàng)產(chǎn)品初步改變了在晶體生長(zhǎng)設(shè)備領(lǐng)域研發(fā)制造受制于人的局面。
未來(lái)中國(guó)國(guó)內(nèi)的太陽(yáng)能應(yīng)用市場(chǎng)必然會(huì)成長(zhǎng)起來(lái),這可以從國(guó)家對(duì)新能源的政策傾斜看出來(lái)。過(guò)去太陽(yáng)能電池的主要市場(chǎng)是德國(guó),以后,美國(guó)、日本及中國(guó)將可能成為新興市場(chǎng)。太陽(yáng)能電池廣闊的發(fā)展空間,將為單晶硅帶來(lái)巨大的需求。
北京堯電科技有限公司提供單晶硅片和單晶硅-Si基片-IC級(jí)芯片-科研試驗(yàn)作為外延芯片或鍍膜基片
PVD物理氣相沉積鍍膜
非球面透鏡、球、半球透鏡,大功率LED玻璃封裝鏡片,正、超半球透鏡,棒鏡。擁有現(xiàn)代化生產(chǎn)設(shè)備80多臺(tái)套。材料可以是:普通光學(xué)玻璃、K9、石英、藍(lán)寶石、鍺以及很脆的軍工材料ZnS、ZnSe等。加工直徑范圍可以從1mm-40mm。擁有美國(guó)藍(lán)寶石圓球晶軸檢測(cè)和半球鏡檢測(cè)儀器確保品質(zhì)超群、供貨及時(shí)。
快充芯片CHY100一級(jí)代理商 新一代快速充電器快充IC和方案 CHY100 快充握手協(xié)議芯片CHY100 車載充電器 便攜式充電器快充方案CHY100 支持QC .0快速充電功能的移動(dòng)電源CHY100快充芯片 優(yōu)質(zhì)蘋果快充芯片 快速充電器 新一代 快充IC 方案CHY100 快充芯片 車充快充方案CHY100 支持高通協(xié)議 移動(dòng)電源快充充電芯片CHY100 QC2.0快充方案CHY100 USB快充IC,支持高通QC2.0快充協(xié)議CHY100
支持高通快充協(xié)議USB快充IC 車充和旅充QC2.0快充芯片方案CHY100
優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品:1、保證原裝正品,過(guò)高通認(rèn)證CHY1002、QC2.0快充芯片:CHY100
支持高通快充協(xié)議USB快充IC_商品介紹:
產(chǎn)品概述:
自適應(yīng)快速充電是一種最新的USB電池充電技術(shù),其充電速度比傳統(tǒng)充電器快75%。高通的Quick Charge 2.0協(xié)議處于這項(xiàng)技術(shù)的最前列。Quick Charge 2.0的工作原理是:在檢測(cè)到來(lái)自支持Quick Charge 2.0的設(shè)備(如手機(jī)和平板電腦)所發(fā)出的指令后,調(diào)整充電器的輸出電壓,使設(shè)備的電池獲得更大的功率輸入。
為滿足自適應(yīng)快速充電系統(tǒng)的需求,一款支持Quick Charge 2.0(QC 2.0)快速充電協(xié)議的充電接口控制器芯片CHY100,可自動(dòng)識(shí)別充電設(shè)備類型,并通過(guò)充電協(xié)議與設(shè)備握手,使之獲得設(shè)備允許的安全最高充電電壓,在保護(hù)充電設(shè)備的前提下節(jié)省充電時(shí)間。
產(chǎn)品特性:
*; 完全支持 Quick Charge 2.0 規(guī)范
*; A類:5V、9V及12V輸出電壓
*; B類:5V、9V、12V及20V輸出電壓
*; 可選12V或20V輸出限制
*; 兼容USB充電規(guī)范1.2
*; 支持USB充電規(guī)范DCP模式
*; 默認(rèn)5V模式工作
*; 待機(jī)功耗低
*; 5 V輸出電壓時(shí)低于1mW
*; 可靠的保護(hù)功能
*; 引腳間短路保護(hù)
*; 引腳開路保護(hù)及電路故障保護(hù)
*; 封裝形式:SOP8
應(yīng)用范圍:
*; 支持QC 2.0快速充電功能的移動(dòng)電源
*; 便攜式充電器
*; 車載充電器等
我們的優(yōu)勢(shì)=品質(zhì)+成本+服務(wù)!
強(qiáng)大技術(shù)支持團(tuán)隊(duì)是您方案開發(fā)最堅(jiān)實(shí)后盾。
※可提供設(shè)計(jì)資料,免費(fèi)樣品和方案開發(fā),歡迎來(lái)電咨詢!
深圳清馳專業(yè)研發(fā)全數(shù)字式大功率雙向DC/DC變換器,電動(dòng)汽車雙向充電機(jī),超級(jí)電容儲(chǔ)能穩(wěn)壓系統(tǒng),儲(chǔ)能雙向DCDC變流器,電池充放電雙向DCDC變換器,雙向DCDC測(cè)試電源,車載雙向DCDC轉(zhuǎn)換器,雙向直流變換器。
30KW雙向DCDC系列,效率高達(dá)95%以上
產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)
■ 充電、放電自動(dòng)控制,能量雙向傳輸
■ 純數(shù)字化電源,高頻PWM模式,技術(shù)領(lǐng)先
■ 電壓、電流雙反饋環(huán)路控制,輸出更精確、更穩(wěn)定
■ 工控用超大規(guī)模FPGA控制芯片,超強(qiáng)實(shí)時(shí)性與靈活性
■ 恒流、恒壓、恒功率和MPPT模式可在線自動(dòng)切換,切換時(shí)間<1mS
■ 軟開關(guān)技術(shù),效率高達(dá)95%以上
■ 單模塊30KW,可多機(jī)并聯(lián)
■ 友好的人機(jī)界面,智能監(jiān)控功能
■ 帶RS485通信接口,可通過(guò)電腦遠(yuǎn)程控制
■ 嚴(yán)格的系統(tǒng)熱設(shè)計(jì),低溫升,長(zhǎng)壽命
■ 具有欠壓、過(guò)壓、過(guò)流、短路和反接保護(hù)■ 高、低電壓側(cè)任何一側(cè)加電,均可使模塊啟動(dòng)
產(chǎn)品應(yīng)用
■ 大功率雙向充放電系統(tǒng)
■ 微電網(wǎng)系統(tǒng)
■ 超級(jí)電容儲(chǔ)能穩(wěn)壓系統(tǒng)
■ 電池充放電測(cè)試系統(tǒng)
■ 燃料電池能量管理
■ 汽車、航天電源系統(tǒng)
■ 電動(dòng)車、電動(dòng)機(jī)再生發(fā)電
基本參數(shù)
在微流控芯片通道網(wǎng)絡(luò)中,流體主要做層流流動(dòng),因此當(dāng)兩種或多種不同試劑流入同一通道時(shí),各試劑能夠保持各自流型不變,而只在相與相接觸面上發(fā)生反應(yīng)或分子擴(kuò)散現(xiàn)象,形成的濃度梯度具有較高的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性,且通過(guò)改變通道網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)型設(shè)計(jì)及初始液流的濃度和組合順序,可以獲得一系列復(fù)雜的濃度梯度,利用微流控濃度梯度芯片可以模擬外界環(huán)境,建立化學(xué)物質(zhì)濃度梯度,在細(xì)胞以及個(gè)體水平上研究生物體對(duì)外界環(huán)境變化的反應(yīng)。該技術(shù)已廣泛應(yīng)用于藥物篩選,模式生物趨化,毒性評(píng)價(jià)等研究領(lǐng)域。
隨著新藥開發(fā)技術(shù)的發(fā)展,對(duì)新藥化合物的活性實(shí)驗(yàn)從早期的驗(yàn)證性實(shí)驗(yàn)已經(jīng)逐漸轉(zhuǎn)變成篩選性實(shí)驗(yàn),即所謂的藥物篩選。借助于組合化學(xué)和計(jì)算化學(xué)的發(fā)展,人們開始有能力在短時(shí)間內(nèi)合成和分離多種化合物,因而在現(xiàn)代新藥開發(fā)過(guò)程中藥物篩選已經(jīng)成為新藥開發(fā)過(guò)程中的重要環(huán)節(jié)之一。微流控濃度梯度芯片進(jìn)行藥物篩選實(shí)驗(yàn)時(shí),與傳統(tǒng)多孔板技術(shù)相比,省去了配置和分配多種藥物不同濃度溶液的繁雜操作,大大簡(jiǎn)化了細(xì)胞鋪板、上藥、洗滌、標(biāo)記等操作過(guò)程,在顯著減少細(xì)胞和試劑耗量的同時(shí),進(jìn)行高通量地刪選。
模式生物趨化
模式生物能對(duì)液體和空氣中傳播的化學(xué)物質(zhì)產(chǎn)生反應(yīng),感受到微摩爾濃度范圍的水溶性引發(fā)劑和揮發(fā)性物質(zhì),從而產(chǎn)生趨向或回避行為。能否成功的提供可控的濃度梯度成為研究模式生物趨化行為的關(guān)鍵。微流控濃度梯度芯片能夠自由控制和創(chuàng)建化學(xué)物質(zhì)濃度梯度,形成濃度梯度時(shí)間短,提供的實(shí)驗(yàn)條件重復(fù)性高等特點(diǎn),成為研究模式生物趨化行為的有利工具。
微流控濃度梯度芯片能夠生成不同的化學(xué)因子濃度梯度作用于海洋微藻、斑馬魚等受試對(duì)象,通過(guò)受試對(duì)象在不同濃度化學(xué)因子刺激下,將其生化反應(yīng)作為反饋信號(hào)進(jìn)行化學(xué)因子毒性評(píng)價(jià)。
我們提供的濃度梯度芯片基于層流擴(kuò)散的原理,形成的濃度梯度具有較高的穩(wěn)定性和重現(xiàn)性,與傳統(tǒng)的“圣誕樹”型濃度梯度生成器生成的相對(duì)單一的濃度梯度不同,我們可以通過(guò)改變通道網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì),生成包括線性、指數(shù)等多種濃度梯度。圖1為線性八梯度芯片示意圖,其中Input(A)為樣本溶液入口,Input(B)為緩沖溶液入口,樣本溶液次第向下與緩沖溶液混合形成濃度梯度,出口處濃度見表1。芯片上集成濃度梯度生成器的同時(shí),可以按照客戶需求集成多功能培養(yǎng)單元。在材料的選擇方面,可以提供PMMA、玻璃、PDMS等多種材質(zhì)供用戶選擇。
圖1.微流控線性八梯度芯片示意圖
表1.線性八梯度濃度梯度芯片出口處濃度
出口 | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
濃度 | 0 | (1/7)C | (2/7)C | (3/7)C | (4/7)C | (5/7)C | (6/7)C | C |
注:C為樣本溶液濃度。
表征結(jié)果我們使用PMMA材質(zhì)的線性八梯度芯片進(jìn)行熒光表征,圖2為通入流量均為1μL/min的FITC水溶液和去離子水在芯片出口處形成的熒光圖,使用Image-pro軟件進(jìn)行熒光強(qiáng)度分析。從圖中可以看出,出口熒光強(qiáng)度保持良好的線性關(guān)系。
圖2.線性八梯度芯片熒光表征
使用說(shuō)明1.Input(A)流量等于Input(B)流量;
2.樣本溶液與緩沖溶液為黏度相近的稀溶液;
3.注液時(shí)需先將通道中注滿緩沖溶液避免通道中產(chǎn)生氣泡;
4.入口流量小于2μL/min.
定制芯片客戶需提供參數(shù)1.出口流量;
2.出口濃度;
3.通道截面尺寸;
4.樣本溶液與緩沖溶液間擴(kuò)散系數(shù).