組織芯片制備儀制備儀包括操作平臺(tái)（即底座板樣品架），特殊打孔采樣裝置，前后左右上下移動(dòng)和定位系統(tǒng)等組成。打孔與采樣管刀的重合可由螺釘調(diào)整，方便，。前后左右位移量有刻度顯示和數(shù)字顯示兩種，方便、、直觀。上下移動(dòng)的下止點(diǎn)由螺栓擋塊調(diào)整，打孔深度和樣品柱放置的一致性。 組織芯片制備儀特點(diǎn)：
打孔采樣裝置經(jīng)過專家設(shè)計(jì)，性能好，強(qiáng)度高，可用國(guó)產(chǎn)蠟塊，樣本直徑0.5mm或0.8mm。 儀器所用材料為不銹鋼和表面處理過的銅和鋁，均不會(huì)生銹。
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ZDMCI微流控芯片檢測(cè)儀特點(diǎn)介紹 產(chǎn)品描述:微全分析系統(tǒng)（Miniaturized Total Analysis System, μ-TAS）是一個(gè)多學(xué)科交叉的新領(lǐng)域，它借助微機(jī)電加工技術(shù)與生物技術(shù)，將采樣、稀釋、加試劑、反應(yīng)、分離、檢測(cè)等化學(xué)分析的全過程都集成在一塊郵票大小的微芯片上，因此被通俗地稱為“芯片實(shí)驗(yàn)室” （Lab-on-a-chip）。與傳統(tǒng)的電泳分離手段相比較而言，具有微型化、可集成化、速度快、進(jìn)樣量小等特點(diǎn)？蓮V泛應(yīng)用于生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用氨基酸分析、核酸分析、蛋白質(zhì)分析、細(xì)胞分析、藥物手性分析；同時(shí)在新藥物的合成與篩選、食品和商品檢驗(yàn)、興奮劑檢測(cè)、環(huán)境污染的監(jiān)測(cè)、刑事科學(xué)、軍事科學(xué)及航天科學(xué)等方面也有著廣泛的應(yīng)用。
產(chǎn)品特點(diǎn):1.采用激光誘導(dǎo)熒光檢測(cè)，采用共聚焦光路，檢測(cè)靈敏度高，為紫外/可見光檢測(cè)器的100，000倍，可與玻璃、高聚物、石英芯片等芯片配套使用。2.分離效率高。將樣品的分析時(shí)間減小到數(shù)分鐘甚至數(shù)秒中之內(nèi)，分析速度大大提高，并且重復(fù)性高。3.樣品消耗量少。樣品和試劑消耗降低到納升甚至皮升級(jí)。4.采用六路電壓夾流進(jìn)樣，六路高壓?jiǎn)为?dú)控制，各路高壓都在0－3KV可調(diào)，高壓浮地形式，安全性好。。5.三維調(diào)節(jié)臺(tái)，檢測(cè)點(diǎn)可根據(jù)不同芯片規(guī)格或檢測(cè)要求，可以調(diào)節(jié)。6電極三維可調(diào)，適用于不同通道構(gòu)形和規(guī)格的芯片。7.一體化的芯片電泳平臺(tái)。集成度高，操作簡(jiǎn)便。8應(yīng)用范圍廣？蛇m用于氨基酸、PCR產(chǎn)物、蛋白等多種樣品的分離分析。9檢測(cè)范圍廣，發(fā)射光波長(zhǎng)500nm以上都可以被檢測(cè)到。10配套軟件（附后） ZDMCI微流控芯片檢測(cè)儀技術(shù)參數(shù) 技術(shù)指標(biāo):靈敏度 10-9（FITC）遷移時(shí)間重復(fù) RSD≤1.54%(FITC)（n=10）高壓電源 0～6000V 不帶電流顯示0～3000V 帶電流顯示三維光路調(diào)整精度 0.25/360mm溫度范圍 常溫激光類型 固體激光器濾光片類型 窄帶、高通、低通一套光電倍增管 單光子可測(cè)電極 4/6/8(個(gè)) 鉑金電極倒置顯微鏡 40倍供電電源要求 220V，50Hz軟件環(huán)境 Win98,Win2000,WinXP外觀尺寸 28cm×33cm×45cm重量 20kg
CRZ鉑金薄膜鉑熱電阻芯片是一個(gè)劃時(shí)代溫度傳感器發(fā)展的產(chǎn)物。采用進(jìn)高科技方法，像激光噴鍍，顯微照相和平版印刷光刻技術(shù)。而電阻值則以數(shù)字修整方式作出微調(diào)，因而能提供最精確的電阻值。1: 薄膜鉑熱電阻芯片技術(shù)性能描述1.1 產(chǎn)品性能符合IEC751-1995和JIS1604有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，1.2 溫度系數(shù) R100/R0=1.38511.3 經(jīng)過嚴(yán)格質(zhì)撿并注明每只元件在攝氏0 ℃時(shí)的阻值。1.4 薄膜鉑熱元件用陶瓷和鉑特制而成，在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在 -50 ℃ ∽ 500 ℃ 的溫度下使用.1.5 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而薄膜鉑熱電阻元件具有良好的防振動(dòng)和防沖擊性能。1.6 薄膜表面覆蓋以陶瓷，因此元件能夠承受高電壓并有良好的絕緣性。1.7 鉑熱電阻芯片除了提供 Pt100Ω的外，尚有Pt500和 Pt1000Ω的元件。1.8 精度：除了提供A級(jí)和B 級(jí)外，尚有更精確的1/3B級(jí)供用戶選用。2: CRZ系列產(chǎn)品規(guī)格2.1 溫度使用范圍: -50 ℃ ∽ 500 ℃ .2.2 精度: A級(jí)，B級(jí)，尚有更精確的1/3B級(jí)。2.3 規(guī)定電流（mA）2mA（最大）2.4 引線材料： 鈀金合金。 型號(hào) 分度號(hào) 規(guī)定電流 精度 尺寸(寬＊長(zhǎng)＊厚)mmCRZ-1632-100 Pt100 1mA A,B 1.6X3.2X1.0CRZ-2005-100 Pt100 1mA 2.0X5.0X1.0CRZ-2005-500 Pt500 0.5mA 2.0X5.0X1.0CRZ-2005-1000 Pt1000 0.5mA 2.0X5.0X1.04:容限與物理特性精度 公差 公差阻值（0℃) 熱電阻系數(shù)（α）(Ohm/Ohm/deg.C)1/3B＊ +/-(0.1+0.0017t) +/-0.04 Ohm 0.003851+/-0.000004A +/-(0.15+0.002t) +/-0.06 Ohm 0.003851+/-0.000005B +/-(0.3+0.005t) +/-0.12 Ohm 0.003851+/-0.0000122B +/-(0.6+0.01t) +/-0.25 Ohm 0.003851+/-0.0000245: 穩(wěn)定性描連續(xù)加溫1000小時(shí)（400℃)，CRZ-1632的誤差范圍（0℃）為0.008 Ohm(0.02℃)以內(nèi)。6: 自動(dòng)加溫由於電流流經(jīng)電阻元件會(huì)是其加溫，故此規(guī)定電流《1mA7: 應(yīng)用范圍7.1 CRZ 膜片鉑熱電阻芯片廣泛應(yīng)用于世界各地儀器儀表制造業(yè)，用于制造各種溫度傳感器。7.2 特別是對(duì)溫度測(cè)量精度要求比較高的科研領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域更適合。7.3 廣泛應(yīng)用于世界各地戶型和熱電聯(lián)產(chǎn)熱量表配對(duì)溫度傳感器的制造。7.4 應(yīng)用于軸瓦，缸體，油，水，汽管，中央空調(diào)，熱水器等狹小空間工業(yè)設(shè)備測(cè)溫和控制。7.5 其它測(cè)溫控制領(lǐng)域。(PH值溫度補(bǔ)償?shù)?