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電壓擊穿試驗(yàn)儀-微機(jī)控制

DDJ-50KV

滿足標(biāo)準(zhǔn)：GB/T 1408-2006 絕緣材料電氣強(qiáng)度試驗(yàn)方法

          GB/T1695-2005 硫化橡膠工頻電壓擊穿強(qiáng)度和耐電壓強(qiáng)度試驗(yàn) 

          GB/T3333 電纜紙工頻電壓擊穿試驗(yàn)方法 

          HG/T 3330絕緣漆漆膜擊穿強(qiáng)度測(cè)定法 

          GB/T 12656 電容器紙工頻電壓擊穿試驗(yàn)方法

          ASTM D149 固體電絕緣材料在工業(yè)電源頻率下的介電擊穿電壓和介電強(qiáng)度的試驗(yàn)方法. … … …

一、適用范圍及功能

主要適用于固體絕緣材料（如：塑料、橡膠、層壓材料、薄膜、樹(shù)脂、云母、陶瓷、玻璃、絕緣漆等絕緣材料及絕緣件）在工頻電壓或直流電壓下?lián)舸?qiáng)度和耐電壓的測(cè)試。

二、系統(tǒng)組成：

控制模組：本儀器由電腦上位機(jī)軟件控制，是我公司自主研發(fā)的全新第三代介電強(qiáng)度檢測(cè)儀器，本儀器核心控制系統(tǒng)是通過(guò)西門子PLC控制，數(shù)據(jù)采集部分由西門子數(shù)字量集成模塊完成，和電腦通訊數(shù)據(jù)采集由光電隔離線完成，有效解決試驗(yàn)過(guò)程中的抗干擾問(wèn)題，電壓采集和電流采集由高精度傳感器完成。

調(diào)壓模組：本模組主要應(yīng)用于調(diào)壓，可以對(duì)升壓速率進(jìn)行調(diào)節(jié)，有高壓歸零限位及高壓升壓限位。主要硬件組成有調(diào)壓器、電機(jī)等部件組成。軟件操作使用方便，能夠?qū)崟r(shí)顯示升壓曲線、泄露電流動(dòng)態(tài)曲線，同時(shí)升壓速率無(wú)可調(diào)，可以根據(jù)自己的需要進(jìn)行升壓速率調(diào)節(jié)，使升壓速率真正做到勻速、準(zhǔn)確，擊穿后自動(dòng)判停，自動(dòng)記錄測(cè)試結(jié)果，顯示試驗(yàn)數(shù)據(jù)，判斷準(zhǔn)確，并可保存，分析，打印試驗(yàn)數(shù)據(jù)。

高壓模組：本模組主要是通過(guò)高壓發(fā)生器，使電壓從低壓按照設(shè)定的升壓速率進(jìn)行升壓，核心部件主要由變壓器及配套的抗干擾配件組成。

試驗(yàn)?zāi)＝M：本部分主要有配套的試驗(yàn)電、試驗(yàn)油槽、試驗(yàn)支架組成，可根據(jù)用戶需要，在高溫試驗(yàn)環(huán)境中進(jìn)行。

二、軟件功能:

    01、軟件平臺(tái)：WINDOWS窗口操作平臺(tái)，界面直觀，便于操作

02、曲線顯示：在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中可以動(dòng)態(tài)顯示試驗(yàn)曲線

03、數(shù)據(jù)導(dǎo)出：可以對(duì)試驗(yàn)結(jié)果導(dǎo)入EXCEL表格

04、實(shí)驗(yàn)報(bào)告：可以人為設(shè)置報(bào)告名稱，并對(duì)實(shí)驗(yàn)報(bào)告進(jìn)行打印

05、試驗(yàn)方式：可以根據(jù)需求對(duì)直流試驗(yàn)和交流試驗(yàn)進(jìn)行靈活選擇

06、試驗(yàn)方法：可以根據(jù)需求自行選擇擊穿電壓、耐壓試驗(yàn)、梯度試驗(yàn)

07、參數(shù)設(shè)置：可以根據(jù)不同的試驗(yàn)方式及試驗(yàn)方法靈活設(shè)置所需的不同參數(shù)值

08、試樣設(shè)置：可對(duì)不同標(biāo)準(zhǔn)的試樣參數(shù)靈活設(shè)置

09、連續(xù)操作：連續(xù)操作試驗(yàn)時(shí)，可直接在軟件里結(jié)束試驗(yàn)，進(jìn)行二次試驗(yàn)

10、試驗(yàn)狀態(tài)：軟件里實(shí)時(shí)顯示當(dāng)試驗(yàn)狀態(tài)，如：試驗(yàn)門是否關(guān)閉，升壓指示、歸零復(fù)位指示等

技術(shù)要求：

01電氣容量5KVA10KVA20KVA

02輸出電壓AC/DC-20KVAC/DC-50KVAC/DC-100KV

03輸入電壓AC-220V/50HZAC-380V/50HZ

04升壓速率0.1KV/S-5KV/S可手動(dòng)設(shè)置

05升壓方式勻速升壓/梯度升壓/耐壓試驗(yàn)

06擊穿判停電壓判停/電流判停

07試驗(yàn)介質(zhì)空氣中試驗(yàn)/油浴中試驗(yàn)/高溫試驗(yàn)

08數(shù)據(jù)采集光電隔離線，抗干擾性強(qiáng)

09電壓精度≤1.5%

10泄露電流0-100mA傳感器量程

11電壓傳感器0-100V傳感器量程

12電規(guī)格片材電：φ25mm-2個(gè)，φ75mm-1個(gè)可根據(jù)要求定制電

13試驗(yàn)放電電動(dòng)自動(dòng)放電

14   電升降手動(dòng)放置/自動(dòng)升降自動(dòng)升降為選配

15試驗(yàn)油槽長(zhǎng)寬高-300mm*150mm*200mm槽內(nèi)有懸空架，方便更換試樣

16試驗(yàn)照明內(nèi)置照明燈

17試驗(yàn)排風(fēng)內(nèi)置排風(fēng)扇

18試驗(yàn)指示主機(jī)集成試驗(yàn)多色塔燈，指示試驗(yàn)狀態(tài)

19試驗(yàn)門氣動(dòng)桿試驗(yàn)門/滑動(dòng)門滑動(dòng)門為自動(dòng)升降電用

20安全防護(hù)超壓保護(hù)/過(guò)流保護(hù)/短路保護(hù)/漏電保護(hù)

21工作環(huán)境室溫，濕度≤65%

22主機(jī)尺寸長(zhǎng)寬高-1600mm*850mm*1700mm

23試驗(yàn)空間尺寸長(zhǎng)寬高-7500mm*600mm*800mm

24試驗(yàn)門觀察窗玻璃門尺寸-長(zhǎng)寬800mm*300mm大視窗便于觀察

25設(shè)備重量約300KG

 傳統(tǒng)型

傳統(tǒng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)其內(nèi)存控制器位于主板芯片組北橋芯片內(nèi)部，CPU要與內(nèi)存進(jìn)行數(shù)據(jù)交換，需要經(jīng)過(guò)“CPU－－北橋－－內(nèi)存－－北橋－－CPU”5個(gè)步驟，在該模式下數(shù)據(jù)經(jīng)由多級(jí)傳輸，數(shù)據(jù)延遲顯然比較大從而影響計(jì)算機(jī)系統(tǒng)整體性能；

整合型

集成內(nèi)存控制器，就是在CPU的基板上內(nèi)置一個(gè)內(nèi)存控制器，先說(shuō)說(shuō)沒(méi)有內(nèi)存控制器時(shí)系統(tǒng)是如何工作的。26個(gè)數(shù)據(jù)A~Z，要傳送到CPU，這時(shí)候CPU就向北橋發(fā)出指令（因?yàn)?/span>內(nèi)存控制器是集成在北橋上，說(shuō)所以要經(jīng)過(guò)北橋），內(nèi)存通過(guò)內(nèi)存控制器接受到了指令，這個(gè)指令就是把內(nèi)存上b單元的A~Z數(shù)據(jù)傳送到CPU，內(nèi)存這個(gè)時(shí)候開(kāi)始取數(shù)據(jù)，也就是平常所說(shuō)的尋址。當(dāng)內(nèi)存找到了這個(gè)數(shù)據(jù)，而這26個(gè)數(shù)據(jù)每個(gè)數(shù)據(jù)為500MB，所有數(shù)據(jù)總和

就約為12GB，假設(shè)內(nèi)存為雙通道R2 800，數(shù)據(jù)傳輸率就為800MHZ乘以128BIT除以8比特每字節(jié)=12GB每秒，通過(guò)分析，認(rèn)為只需一秒就能傳送到CPU，此時(shí)的數(shù)據(jù)在一秒的時(shí)間內(nèi)只傳送到了北橋，內(nèi)存控制器在北橋，在北橋的數(shù)據(jù)如何傳送到CPU呢，這就要通過(guò)FSB前端總線了，假設(shè)FSB的頻率為800MHZ，那么數(shù)據(jù)傳輸率就為800MHZ乘以64BIT除以8比特每秒=6.4GB每秒，從北橋到CPU要2秒，所以數(shù)據(jù)傳送到CPU的總時(shí)間為3秒，接下來(lái)再來(lái)看看CPU集成內(nèi)存控制器的時(shí)候系統(tǒng)是如何工作的；數(shù)據(jù)從內(nèi)存?zhèn)鬏數(shù)娇刂破骱螅瑯訛?/span>1秒，所不同的是這個(gè)時(shí)候不用再通過(guò)慢吞吞的前端總線了，CPU直接從內(nèi)存控制器讀取數(shù)據(jù)就行了，因?yàn)閮?nèi)存控制器在CPU的門口羅，打個(gè)比方，一件東西在你門口的時(shí)候，大家就可以直接拿了，就是這個(gè)原理，算了一下，集成內(nèi)存控制器的CPU讀取12GB的數(shù)據(jù)是才用了1秒的時(shí)間，所以大大節(jié)省了運(yùn)算時(shí)間，也充分發(fā)揮了CPU的性能。

最后總結(jié)一下：CPU沒(méi)有內(nèi)存控制器時(shí)：數(shù)據(jù)以內(nèi)存控制器－－-北橋－－－－CPU的方式傳輸有內(nèi)存控制器時(shí)：數(shù)據(jù)以內(nèi)存控制器－－－－－－CPU的方式傳輸，一步到位。^[1]

2工作原理編輯

CPU內(nèi)部整合內(nèi)存控制器的優(yōu)點(diǎn)，就是可以有效控制內(nèi)存控制器工作在與CPU核心同樣的頻率上，而且由于內(nèi)存與CPU之間的數(shù)據(jù)交換無(wú)需經(jīng)過(guò)北橋，可以有效降低傳輸延遲。打個(gè)比方，這就如同將貨物倉(cāng)庫(kù)直接搬到了加工車間旁邊，大大減少原材料和制成品在貨物倉(cāng)庫(kù)與加工車間之間往返運(yùn)輸所需要的時(shí)間，極大地提高了生產(chǎn)效率。這樣一來(lái)系統(tǒng)的整體性能也得到了提升。^[2]

內(nèi)存頻率

和CPU一樣，內(nèi)存也有自己的工作頻率，頻率以MHz為單位內(nèi)存主頻越高在一定程度上代表著內(nèi)存所能達(dá)到的速度越快。內(nèi)存主頻決定著該內(nèi)存最高能在什么樣的頻率正常工作。最為主流的內(nèi)存頻率為DDR2-800和DDR3-1333，作為DDR2的替代者，DDR3內(nèi)存的頻率已經(jīng)在向3000MHz進(jìn)發(fā)。

內(nèi)存容量

內(nèi)存的容量不但是影響內(nèi)存價(jià)格的因素，同時(shí)也是影響到整機(jī)系統(tǒng)性能的因素。過(guò)去Windows XP平臺(tái)，512M的內(nèi)存還是主流，1GB已經(jīng)是大容量；64位系統(tǒng)開(kāi)始普及，Windows Vista、Windows 7越來(lái)越多人使用，沒(méi)有2GB左右的內(nèi)存都不一定能保證操作的流暢度。單根內(nèi)存的容量主要有1GB、2GB、4GB，最高已經(jīng)達(dá)到單根8GB。

工作電壓

內(nèi)存正常工作所需要的電壓值，不同類型的內(nèi)存電壓也不同，但各自均有自己的規(guī)格，超出其規(guī)格，容易造成內(nèi)存損壞。DDR2內(nèi)存的工作電壓一般在1.8V左右，而DDR3內(nèi)存則在1.6V左右。有的高頻內(nèi)存需要工作在高于標(biāo)準(zhǔn)的電壓值下，具體到每種品牌、每種型號(hào)的內(nèi)存，則要看廠家了。只要在允許的范圍內(nèi)浮動(dòng)，略微提高內(nèi)存電壓，有利于內(nèi)存超頻，但是同時(shí)發(fā)熱量大大增加，因此有損壞硬件的風(fēng)險(xiǎn)。

時(shí)序參數(shù)

tCL : CAS Latency Control（tCL）

一般我們?cè)诓殚唭?nèi)存的時(shí)序參數(shù)時(shí)，如“8-8-8-24”這一類的數(shù)字序列，上述數(shù)字序列分別對(duì)應(yīng)的參數(shù)是“CL-tRCD-tRP-tRAS”。這個(gè)第一個(gè)“8”就是第1個(gè)參數(shù)，即CL參數(shù)。

CAS Latency Control（也被描述為tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay），CAS latency是“內(nèi)存讀寫(xiě)操作前列地址控制器的潛伏時(shí)間”。CAS控制從接受一個(gè)指令到執(zhí)行指令之間的時(shí)間。因?yàn)?/span>CAS主要控制十六進(jìn)制的地址，或者說(shuō)是內(nèi)存矩陣中的列地址，所以它是最為重要的參數(shù)，在穩(wěn)定的前提下應(yīng)該盡可能設(shè)低。

內(nèi)存是根據(jù)行和列尋址的，當(dāng)請(qǐng)求觸發(fā)后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay），預(yù)充電后，內(nèi)存才真正開(kāi)始初始化RAS。一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）開(kāi)始進(jìn)行需要數(shù)據(jù)的尋址。首先是行地址，然后初始化tRCD，周期結(jié)束，接著通過(guò)CAS訪問(wèn)所需數(shù)據(jù)的精確十六進(jìn)制地址。期間從CAS開(kāi)始到CAS結(jié)束就是CAS延遲。所以CAS是找到數(shù)據(jù)的最后一個(gè)步驟，也是內(nèi)存參數(shù)中最重要的。

這個(gè)參數(shù)控制內(nèi)存接收到一條數(shù)據(jù)讀取指令后要等待多少個(gè)時(shí)鐘周期才實(shí)際執(zhí)行該指令。同時(shí)該參數(shù)也決定了在一次內(nèi)存突發(fā)傳送過(guò)程中完成第一部分傳送所需要的時(shí)鐘周期數(shù)。這個(gè)參數(shù)越小，則內(nèi)存的速度越快。必須注意部分內(nèi)存不能運(yùn)行在較低的延遲，可能會(huì)丟失數(shù)據(jù)。而且提高延遲能使內(nèi)存運(yùn)行在更高的頻率，所以需要對(duì)內(nèi)存超頻時(shí)，應(yīng)該試著提高CAS延遲。

該參數(shù)對(duì)內(nèi)存性能的影響最大，在保證系統(tǒng)穩(wěn)定性的前提下，CAS值越低，則會(huì)導(dǎo)致更快的內(nèi)存讀寫(xiě)操作。

tRCD : RAS to CAS Delay

該值就是“8-8-8-24”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第2個(gè)參數(shù)，即第2個(gè)“8”。RAS to CAS Delay（也被描述為：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD），表示"行尋址到列尋址延遲時(shí)間"，數(shù)值越小，性能越好。對(duì)內(nèi)存進(jìn)行讀、寫(xiě)或刷新操作時(shí)，需要在這兩種脈沖信號(hào)之間插入延遲時(shí)鐘周期。在JEDEC規(guī)范中，它是排在第二的參數(shù)，降低此延時(shí)，可以提高系統(tǒng)性能。如果你的內(nèi)存的超頻性能不佳，則可將此值設(shè)為內(nèi)存的默認(rèn)值或嘗試提高tRCD值。

tRP : Row Precharge Timing（tRP）

該值就是“8-8-8-24”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的第3個(gè)參數(shù)，即第3個(gè)“8”。Row Precharge Timing （也被描述為：tRP、RAS Precharge、Precharge to active），表示"內(nèi)存行地址控制器預(yù)充電時(shí)間"，預(yù)充電參數(shù)越小則內(nèi)存讀寫(xiě)速度就越快。tRP用來(lái)設(shè)定在另一行能被激活之前，RAS需要的充電時(shí)間。

tRAS : Min RAS Active Timing

該值就是該值就是“8-8-8-24”內(nèi)存時(shí)序參數(shù)中的最后一個(gè)參數(shù)，即“24”。Min RAS Active Time （也被描述為：tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time），表示“內(nèi)存行有效至預(yù)充電的最短周期”，調(diào)整這個(gè)參數(shù)需要結(jié)合具體情況而定，一般我們最好設(shè)在24~30之間。這個(gè)參數(shù)要根據(jù)實(shí)際情況而定，并不是說(shuō)越大或越小就越好。

如果tRAS的周期太長(zhǎng)，系統(tǒng)會(huì)因?yàn)闊o(wú)謂的等待而降低性能。降低tRAS周期，則會(huì)導(dǎo)致已被激活的行地址會(huì)更早的進(jìn)入非激活狀態(tài)。如果tRAS的周期太短，則可能因缺乏足夠的時(shí)間而無(wú)法完成數(shù)據(jù)的突發(fā)傳輸，這樣會(huì)引發(fā)丟失數(shù)據(jù)或損壞數(shù)據(jù)。該值一般設(shè)定為CAS latency + tRCD + 2個(gè)時(shí)鐘周期。

對(duì)于大多數(shù)人來(lái)說(shuō)，內(nèi)存這個(gè)小硬件選好容量和頻率，然后插上主板用上就行了，對(duì)它的很多小參數(shù)完全不在意。所以，行業(yè)廠商也會(huì)提供比較傻瓜式的讀取內(nèi)存SPD芯片的參數(shù)信息，自動(dòng)設(shè)置各項(xiàng)小參，簡(jiǎn)單好用；更有簡(jiǎn)單的超頻設(shè)置——XMP技術(shù)，讓普通用戶也能簡(jiǎn)單地享受超頻增值的樂(lè)趣。當(dāng)然，真正的玩家在超頻時(shí)為了達(dá)到最理想的效果，還是更傾向于手動(dòng)設(shè)置各項(xiàng)小參。希望通過(guò)這篇文章，大家能對(duì)內(nèi)存的各項(xiàng)參數(shù)有更深的理解，并在使用上有一定的幫助。

HT-IV地下電纜故障檢測(cè)儀

產(chǎn)品概述

功能描述：-  地下電纜探測(cè)檢漏儀是應(yīng)用于檢測(cè)600V以下電纜及通訊電纜的走向、深度、故障點(diǎn)及絕緣層漏蝕點(diǎn)的專用設(shè)備。能在不開(kāi)挖浮土的情況下查出地下電纜走向、深度、斷路、短路及絕緣層漏蝕損傷、故障點(diǎn)的精確位置，使整個(gè)線路地表面不屢遭開(kāi)膛破肚之苦，是通訊、電力、廠礦、水電等部門為地下電纜的施工質(zhì)量和故障點(diǎn)維修的一種精確、的探測(cè)儀器。

技術(shù)指標(biāo)

適用范圍：-檢測(cè)埋土深度在5m以內(nèi)的地下電纜

發(fā)射功率：-＞24W可調(diào)

發(fā)射頻率：-512HZ±10HZ

發(fā)射距離：-2m-10km

檢漏阻抗：-10-1MΩ

工作電源：-DC12v±5% AC220V±10%

位置偏差：-<10cm

準(zhǔn) 確 率：->98%

SIVACON－多用途的低壓開(kāi)關(guān)柜

SIVACON 8PT是由西門子公司設(shè)計(jì)的新型低壓配電裝置，它具有斷路器技術(shù)，固定安裝式技術(shù)，抽出式技術(shù)及插入式技術(shù)設(shè)計(jì)。白云電氣設(shè)備有限公司以其的生產(chǎn)設(shè)備，雄厚的技術(shù)基礎(chǔ)成為西門子公司SEVACON8PT技術(shù)合作伙伴，把的SIVACON低壓配電裝置技術(shù)推薦給您。

SIVACON低壓配電裝置具有用于建筑行業(yè)和工業(yè)技術(shù)領(lǐng)域的標(biāo)準(zhǔn)型結(jié)構(gòu)。SIVACON是根據(jù)世界市場(chǎng)需要而開(kāi)發(fā)的低壓配電裝置，也就是說(shuō)，它一方面考慮到標(biāo)準(zhǔn)型解決方案的各項(xiàng)要求，另一方面，它又兼顧到當(dāng)?shù)厣a(chǎn)以及由此給財(cái)務(wù)和生產(chǎn)運(yùn)行帶來(lái)的利益。SIVACON是向世界各地推廣的配電裝置，它可應(yīng)用在最大額定電流至7400A的各種容量等級(jí)的層面上，它既可采用固定安裝式設(shè)計(jì)，也可采用抽出式設(shè)計(jì)。

通過(guò)型式試驗(yàn)的標(biāo)準(zhǔn)模塊(TTA)標(biāo)準(zhǔn)化的母線位于柜體的頂部 3極或4極的主母線可至7400A額定峰值耐受電流Ipk可至375kA器件隔室較深，適用于各種安裝 器件隔室為模數(shù)化結(jié)構(gòu)裝置可采用單面或背靠背安裝電纜可從上部或下部進(jìn)入柜內(nèi)電纜的連接可在正面或后面進(jìn)行

額定工作電壓：690V額定絕緣電壓：1000V 水平母線額定電流：7400A額定短時(shí)受耐電流：150kA額定峰值耐受電流：375kA

OV-1301,毛細(xì)管色譜柱,色譜柱

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由廈門億辰科技有限公司專業(yè)銷售提供：Velocity系列毛細(xì)柱Velocity-1毛細(xì)柱Velocity-5毛細(xì)柱Velocity-Wax毛細(xì)柱大量現(xiàn)貨超優(yōu)惠供應(yīng)，色譜柱來(lái)電咨詢價(jià)格更優(yōu)惠，PE耗材配件系列產(chǎn)品請(qǐng)聯(lián)系PE耗材配件產(chǎn)品線負(fù)責(zé)人：吳小姐：150-8031-7079 QQ：411732019 座機(jī)分機(jī)號(hào) 823林小姐：158-8024-1491 QQ：860233254 座機(jī)分機(jī)號(hào) 827QQ交流群：24272506  

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Velocity-1,Velocity-5和Velocity-WaxPerkinElmer速度柱特別適合于標(biāo)準(zhǔn)日常的測(cè)試應(yīng)用，集高質(zhì)量和承載力與可重復(fù)性能于一體。特色和優(yōu)勢(shì) 的理論塔板、選擇性和拖尾因子測(cè)試結(jié)果堅(jiān)固的柱架基線噪音低Velocity-1—100%乙烷聚硅氧烷通用柱，具有適用范圍廣的固定相，非常牢固，體現(xiàn)的柱壽命，工作溫度高。 理想用于分析非極性石化樣品，例如詳細(xì)分析烴類、烴類氣體、石油含氧化合物、石油芳烴、燃料、蠟、油、含硫化合物、硫醇和二硫化碳等等。它也是適用于溶劑、化學(xué)品、香精、香料、精油、空氣毒素、氯代烴、縱火分析、農(nóng)藥和烴類的良好相。熱穩(wěn)定性達(dá)到 350°C。 Velocity-1           15M x 0.25毫米x 0.25μm            N9306319 Velocity-1           15M x 0.25毫米x 1.00μm            N9306310 Velocity-1           30M x 0.25毫米x 0.25μm            N9306312 Velocity-1           30M x 0.25毫米x 1.00μm            N9306323 Velocity-1           30M x 0.32毫米x 0.25μm            N9306318 Velocity-1           30M x 0.32毫米x 1.00μm            N9306321 Velocity-1           30M x 0.32毫米x 3.00μm            N9306329 Velocity-1           60M x 0.25毫米x 0.25μm            N9306320 Velocity-1           60M x 0.25毫米x 1.00μm            N9306328 Velocity-1           60M x 0.32毫米x 1.00μm            N9306324Velocity-Wax —聚乙二醇 該毛細(xì)柱是高極性化合物的理想介質(zhì)。熱穩(wěn)定性達(dá)250 °C。Velocity-Wax               30M x 0.32毫米x 0.25μm             N9306314 Velocity-Wax               30M x 0.25毫米x 0.25μm             N9306315 Velocity-Wax               30M x 0.32毫米x 0.50μm             N9306317 Velocity-Wax               30M x 0.53毫米x 1.00μm             N9306322

Velocity-5—5%二苯基和95%二甲基聚硅氧烷這種色譜柱適用于藥品、農(nóng)藥、烴類、精油和半揮發(fā)物以及溶劑雜質(zhì)的一般分析。極性低，熱穩(wěn)定性達(dá)350°C。Velocity-5            15M x 0.32毫米x 0.25μm           N9306325 Velocity-5            30M x 0.25毫米x 0.25μm           N9306311 Velocity-5            30M x 0.32毫米x 0.25μm           N9306313 Velocity-5            30M x 0.32毫米x 1.00μm           N9306316 Velocity-5            30M x 0.53毫米x 0.50μm           N9306326 Velocity-5            30M x 0.53毫米x 1.50μm           N9306327柱切割陶瓷片 Perkin-Elmer陶瓷片價(jià)格低廉，適合切割聚酰亞胺熔融石英毛細(xì)柱和保護(hù)柱。陶瓷片易于把持，使用簡(jiǎn)單。全部四個(gè)邊都可以用作切割工具。（每包10個(gè)）柱切割陶瓷片（每包10個(gè)）         N9301376

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