CMBP-1型雙恒電位儀主要與旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極配套用于研究氧化還原反應(yīng)的機(jī)理和動(dòng)力學(xué),亦可作為單恒電位儀應(yīng)用于普通的兩電極或三電極系統(tǒng),儀器控制精度高、功能強(qiáng)、穩(wěn)定性好,是極譜分析、腐蝕研究的理想儀器
技術(shù)指標(biāo):* 給定電壓:±4V* 額定輸出電流:電極Ⅰ:-1A~+1A 電極Ⅱ:-0.8A~+0.8A* 槽 壓:-25V~+25V* 電位控制精度:<1 mV* 掃描速度:0.1~10000mV/s* 掃描范圍:-3V~+3V* 掃描誤差:<0.1%* 參比輸入阻抗:>1×1010 Ω* 外形尺寸:500×170×470(mm)* 重 量:9 kg* 功 耗:50 W特點(diǎn):* 自帶掃描發(fā)生器 掃描范圍寬* 電極開路、短路 自動(dòng)保護(hù)、報(bào)警* 內(nèi)設(shè)假負(fù)載 便于檢查* 精密測量電流。 高輸出電壓 應(yīng)用于大專院校、科研院所的教學(xué)和科研。
CMBP-1型雙恒電位儀主要與旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極配套用于研究氧化還原反應(yīng)的機(jī)理和動(dòng)力學(xué),亦可作為單恒電位儀應(yīng)用于普通的兩電極或三電極系統(tǒng),儀器控制精度高、功能強(qiáng)、穩(wěn)定性好,是極譜分析、腐蝕研究的理想儀器
技術(shù)指標(biāo):* 給定電壓:±4V* 額定輸出電流:電極Ⅰ:-1A~+1A 電極Ⅱ:-0.8A~+0.8A* 槽 壓:-25V~+25V* 電位控制精度:<1 mV* 掃描速度:0.1~10000mV/s* 掃描范圍:-3V~+3V* 掃描誤差:<0.1%* 參比輸入阻抗:>1×1010 Ω* 外形尺寸:500×170×470(mm)* 重 量:9 kg* 功 耗:50 W特點(diǎn):* 自帶掃描發(fā)生器 掃描范圍寬* 電極開路、短路 自動(dòng)保護(hù)、報(bào)警* 內(nèi)設(shè)假負(fù)載 便于檢查* 精密測量電流。 高輸出電壓 應(yīng)用于大專院校、科研院所的教學(xué)和科研。
技術(shù)指標(biāo):給定電壓:±4V額定輸出電流:電極Ⅰ:-1A~ 1A 電極Ⅱ:-0.8A~ 0.8A槽 壓:-25V~ 25V電位控制精度:<1 mV掃描速度:0.1~10000mV/s掃描范圍:-3V~ 3V掃描誤差:<0.1%參比輸入阻抗:>1×1010 Ω外形尺寸:500×170×470(mm)重 量:9 kg功 耗:50 W特點(diǎn):自帶掃描發(fā)生器 掃描范圍寬電極開路、短路 自動(dòng)保護(hù)、報(bào)警內(nèi)設(shè)假負(fù)載 便于檢查精密測量電流高輸出電壓應(yīng)用于大專院校、科研院所的教學(xué)和科研。
CMBP-1型雙恒電位儀:
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產(chǎn)品介紹: CMBP-1型雙恒電位儀主要與旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極配套用于研究氧化還原反應(yīng)的機(jī)理和動(dòng)力學(xué),亦可作為單恒電位儀應(yīng)用于普通的兩電極或三電極系統(tǒng),儀器控制精度高、功能強(qiáng)、穩(wěn)定性好,是極譜分析、腐蝕研究的理想儀器。應(yīng)用于大專院校、科研院所的教學(xué)和科研。 產(chǎn)品特點(diǎn): 1、自帶掃描發(fā)生器,掃描范圍寬2、電極開路、短路,自動(dòng)保護(hù)、報(bào)警3、內(nèi)設(shè)假負(fù)載,便于檢查4、精密測量電流 5、高輸出電壓 技術(shù)參數(shù): 1.型號: CMBP-1 2.給定電壓: ±4V 3.額定輸出電流: 電極Ⅰ:-1A~+1A,電極Ⅱ:-0.8A~+0.8A 4.槽 壓: -25V~+25V 5.電位控制精度: <1 mV 6.掃描速度: 0.1~10000mV/s 7.掃描范圍: -3V~+3V 8.掃描誤差: <0.1% 9.參比輸入阻抗: >1×10 10Ω 10.外形尺寸: 500×170×470mm 11.重 量: 9 kg 12.功 耗: 50 W
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CMBP-1型雙恒電位儀:
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產(chǎn)品介紹: CMBP-1型雙恒電位儀主要與旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極配套用于研究氧化還原反應(yīng)的機(jī)理和動(dòng)力學(xué),亦可作為單恒電位儀應(yīng)用于普通的兩電極或三電極系統(tǒng),儀器控制精度高、功能強(qiáng)、穩(wěn)定性好,是極譜分析、腐蝕研究的理想儀器。應(yīng)用于大專院校、科研院所的教學(xué)和科研。 產(chǎn)品特點(diǎn): 1、自帶掃描發(fā)生器,掃描范圍寬2、電極開路、短路,自動(dòng)保護(hù)、報(bào)警3、內(nèi)設(shè)假負(fù)載,便于檢查4、精密測量電流 5、高輸出電壓 技術(shù)參數(shù): 1.型號: CMBP-1 2.給定電壓: ±4V 3.額定輸出電流: 電極Ⅰ:-1A~+1A,電極Ⅱ:-0.8A~+0.8A 4.槽 壓: -25V~+25V 5.電位控制精度: <1 mV 6.掃描速度: 0.1~10000mV/s 7.掃描范圍: -3V~+3V 8.掃描誤差: <0.1% 9.參比輸入阻抗: >1×10 10Ω 10.外形尺寸: 500×170×470mm 11.重 量: 9 kg 12.功 耗: 50 W
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雙恒電位儀主要與旋轉(zhuǎn)環(huán)盤電極配套用于研究氧化還原反應(yīng)的機(jī)理和動(dòng)力學(xué),亦可作為單恒電位儀應(yīng)用于普通的兩電極或三電極系統(tǒng),儀器控制精度高、功能強(qiáng)、穩(wěn)定性好,是極譜分析、腐蝕研究的理想儀器。技術(shù)指標(biāo):* 給定電壓:±4V* 額定輸出電流:電極Ⅰ:-1A~+1A 電極Ⅱ:-0.8A~+0.8A* 槽 壓:-25V~+25V* 電位控制精度:<1 mV* 掃描速度:0.1~10000mV/s* 掃描范圍:-3V~+3V* 掃描誤差:<0.1%* 參比輸入阻抗:>1×1010 Ω* 外形尺寸:500×170×470(mm)* 重 量:9 kg* 功 耗:50 W特點(diǎn):* 自帶掃描發(fā)生器 掃描范圍寬* 電極開路、短路 自動(dòng)保護(hù)、報(bào)警* 內(nèi)設(shè)假負(fù)載 便于檢查* 精密測量電流 * 高輸出電壓 應(yīng)用于大專院校、科研院所的教學(xué)和科研。
WaveDriver200雙恒電位儀/電化學(xué)工作站
產(chǎn)品簡介:
產(chǎn)品型號:WaveDriver200
品牌:美國PINE
產(chǎn)地:美國
PINE公司推出新一代WaveDriver200恒電位儀/恒電流儀/零電阻電流計(jì),可以用于兩電極、三電極、四電極模式,具有交流阻抗功能(EIS),可以廣泛地應(yīng)用于燃料電池、鋰電池、太陽能電池、隔膜、超級電容器、傳感器、涂層、緩蝕劑、物理化學(xué)等研究領(lǐng)域,經(jīng)典應(yīng)用為旋轉(zhuǎn)圓盤圓環(huán)電極(RRDE)測試。
主要特點(diǎn):
高性價(jià)比、雙恒電位儀(四電極模式)、RRDE測試功能強(qiáng)大(6種測量模式)、EIS交流阻抗測試功能強(qiáng)大、軟件功能強(qiáng)大(可編程、易篩選、好模板)。
詳細(xì)介紹:
接線:兩電極、三電極、四電極模式
具備浮地功能
最小電壓分辨率:78 μV
最小電流分辨率:3.13 pA
轉(zhuǎn)換速率:最快 10 V/μs
紋波噪聲:<10 mVRMS
模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換器:16 bit
順從電壓:±17V
泄漏電流:<10 pA
帶寬(3 dB):>15 MHz
最大采樣點(diǎn):1000萬個(gè)/每次實(shí)驗(yàn)
儀器尺寸:160(寬)*255(高)*324(長)mm
儀器重量:4.6 kg
IR補(bǔ)償:交流阻抗法(EIS)、電流中斷法(CI)、正反饋法(PF)
EIS交流阻抗參數(shù)
交流阻抗頻率范圍:10 μHz-1 MHz
頻率精度:±10 ppm
數(shù)據(jù)曲線:Lissajous、Bode、Nyqusit、 Mott-Schottky
數(shù)據(jù)模型:Circuit fit、Transmission line、Kramers-Kronig
Circuit fitting方法:修正的Levenberg-Marquardt法、Simplex法、Powell法
Circuit fitting選項(xiàng):動(dòng)態(tài)選擇點(diǎn)、單位和參數(shù)
掃描方式:線性、對數(shù)、自定義
RRDE測試方法
Rotating Ring-Disk Voltammetry 旋轉(zhuǎn)圓盤圓環(huán)電極測試方法(RRDE)。 RRDE方法包含6種測試模式,功能強(qiáng)大。
Collection Mode:盤電極設(shè)置CV或LSV方法,環(huán)電極設(shè)置恒電壓CA方法;
Shielding Mode:盤電極設(shè)置恒電壓CA方法,環(huán)電極設(shè)置CV或LSV方法;
Window Mode:盤和環(huán)電極同時(shí)設(shè)置CV或LSV方法;
Diametric Mode:盤電極和環(huán)電極同時(shí)設(shè)置CV或LSV方法,但是呈鏡像測試;
Galvanostatic Mode:盤電極設(shè)置CV方法,環(huán)電極設(shè)置恒電流CP方法;
Galvanostatic Shielding Mode盤電極設(shè)置恒電流CP方法,環(huán)電極設(shè)置CV方法。
電壓參數(shù)
最大施加電壓:±15 V
準(zhǔn)確性:±0.2%(設(shè)定電壓)、±0.05%(測量電壓)
電壓量程:3檔(±2.5 V, ±10 V, ±15 V)
電壓分辨率:對應(yīng)上述3檔量程分別為78 μV/bit、313 μV/bit和469 μV/bit
電流參數(shù)
最大施加電流:±1 A
適用電流工作范圍:±20 pA到±1 A
準(zhǔn)確性:±0.2%(設(shè)定電流)、±0.05%(測量電流)
電流量程:8檔(從±100 nA到±1 A)
電流分辨率:0.0031%
電化學(xué)方法
Open Circuit Potential 開路電位法(OCP)
Bulk electrolysis 電解法(BE)
Cyclic Voltammetry 循環(huán)伏安法(CV)
Linear Sweep Voltammetry 線性掃描伏安法(LSV)
Spectroelectrochemistry 光譜電化學(xué)測試方法(SPECE)
Staircase Voltammetry 階躍伏安法(SCV)
Chronoamperometry 計(jì)時(shí)電流法/恒電位法(CA)
Double Potential Step Chronoamperometry 雙電位階躍計(jì)時(shí)電流法(DPSCA)
Cyclic Step Chronoamperometry 循環(huán)階躍計(jì)時(shí)電流法(CSCA)
Chronopotentiometry 計(jì)時(shí)電位法(CP)
Ramp Chronopotentiometry 斜坡計(jì)時(shí)電位法(RCP)
Staircase Potentiometry 階躍計(jì)時(shí)電位法(SCP)
Cyclic Step Chronopotentiometry 循環(huán)階躍計(jì)時(shí)電位法(CSCP)
Differential pulse Voltammetry 差分脈沖伏安法(DPV)
Square-Wave Voltammetry 方波循環(huán)伏安法 (SWV)
Normal Pulse Voltammetry 常規(guī)脈沖伏安法(NPV)
Rotating Methods 旋轉(zhuǎn)圓盤圓環(huán)電極測試方法
Rotating Disk Voltammetry (RDE)
Rotating Disk Koutecky-Levich (KL-RDE)
Rotating Disk Electrolysis (BE-RDE)
Rotating Disk Chronopotentiometry (CP-RDE)
Rotating Disk Ramp Chronopotentiometry (RCP-RDE)
Rotating Ring-Disk Voltammetry (RRDE)
Rotating Ring-Disk Electrolysis (BE-RRDE)
Rotating Ring-Disk Koutecky-Levich (KL-RRDE)
Corrosion Methods 腐蝕電化學(xué)方法
Linear Polarization Resistance (LPR)
Rotating Cylinder Voltammetry (RCE)
Rotating Cylinder Electrolysis (BE-RCE)
Rotating Cylinder Eisenberg Study (EZB-RCE)
Rotating Cylinder Open Circuit Potential (OCP-RCE)
Rotating Cylinder Polarization Resistance (LPR-RCE)
Rotating Cylinder Chronopotentiometry (CP-RCE)
Rotating Cylinder Ramp Chronopotentiometry (RCP-RCE)