晶體管的極限參數(shù)
晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的,當其超過額定值時,輕則影響晶體管的工作性能,嚴重時將使其損壞。以下介紹晶體管的主要極限參數(shù)。1.集電極最大允許耗散功率PcmPcm是指晶體管因溫度升高引起參數(shù)的變化不超過規(guī)定值時,集電極所消耗的最大功率。 晶體管在正常工作時,集電結加的是反向偏置電壓,集電結的反向電阻很高,這樣,集電極電流流過集電結時就要產生大量的熱量,結溫就會升高,若溫度過高,將導致晶體管不可逆轉的損壞。人們根據(jù)晶體管允許結溫定出最大允許耗散功率。為了降低結溫,對于大功率晶體管,人們往往要另設散熱片,散熱片表面積越大,散熱效果越好,晶體管的Pcm就可以適當提高。2.集電極最大允許電流Icm 集電極電流增大,會導致晶體管的電流放大倍數(shù)β下降,當β降至低頻電流放大倍數(shù)βo的額定倍數(shù)(通常規(guī)定為二分之一或三分之一)時,此時的集電極電流稱為集電極最大允許電流Icm。因此,當晶體管的集電極電流達到Icm時,晶體管雖不致?lián)p壞,但電流放大倍數(shù)已大幅度下降。 3.集電極--發(fā)射極擊穿電壓BVCEOBVCEO是指晶體管基極開路時,加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的最大允許電壓。對于NPN型晶體管而言,集電極接電源的正極,發(fā)射極接電源的負極;對于PNP型晶體管而言,集電極接電源的負極,發(fā)射極接電源的正極。當加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的電壓大于BVCEO的值時,流過晶體管的電流會突然增大,導致晶體管性損壞,這種現(xiàn)象稱為擊穿。
產品特點:
BJ2988A型晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測試儀可以同時進行瞬態(tài)熱阻及正偏二次擊穿的一次性檢測。兩種參數(shù)放在同一臺儀器上檢測是為了滿足軍用功率晶體管實際檢測的需要,是軍用功率晶體管最快速篩選測試(用幾十分鐘的參數(shù)測試取代168小時滿功率老化)及貫徹國軍標所必需的測試儀器。這種參數(shù)測試儀不但解決了測試中的燒管問題,也可直接進行正偏二次擊穿功率的檢測。本儀器的配套電源為本廠生產的WD-9型晶體管穩(wěn)壓電源。
BJ2988A 晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測試儀技術指標:
(1) 測試功率:0~750W(2) 集電極—發(fā)射極電壓VCE:0~300V±2%(3) 發(fā)射極電流IE:0~5A ±2%(4) M數(shù)字表:0~ —4.00mV / ℃ ±3%(5) △VBE數(shù)字表:0~999 mV ±3%(6) 脈寬τ:1mS~1000S(分七檔) 脈寬擴展:τ×1、τ×2、τ×5
圖示儀 晶體管測試儀 晶體管圖示儀 二三極管測試儀 WQ4832
集電極掃描信號 輸出電壓范圍及電流容量 0~5V 10A 0~10V 5A 0~50V 1A 0~100V 0.5A 0~500V 0.1A 0~5000V 5mA 0~500VAC 0.1A 功耗限制電阻:0~500kΩ 分11檔 基極階梯信號 階梯電流 0.5μA/級~100mA/級,分17檔 階梯電壓 0.05V級~1V/級,分5檔 Y軸偏轉系數(shù) 集電極電流 0.5μA/div~1A/div,分20檔 二極管電流 50nA/div~1μA/div,分5檔 X軸偏轉系數(shù) 集電極電壓 10mV/div~50V/div,分12檔 一般性能 適應電源 AC220V±10% 50Hz±4% 視在功率 約50VA(非測試狀態(tài)) 約80VA最大功率 外形尺寸 320×210×400mm 重量 18kg
晶體管圖示儀 WQ4832