泰安 德國賀利氏薄膜熱電阻 防腐熱電阻WZGK-4365
采用新型防腐材料，外包覆聚四氟乙烯F46，適合于石油化工各種腐蝕性介質(zhì)中測溫。是氯堿行業(yè)的專用測溫儀表。
2、主要技術(shù)參數(shù)
電氣出口：M20x1.5，NPTI1/2
熱響應(yīng)時間：≤8S
防護(hù)等級：IP65
隔爆等級：d‖BT4.d‖CT5濟(jì)南創(chuàng)銳儀表有限公司是集科研、開發(fā)、生產(chǎn)、貿(mào)易和服務(wù)的新型企業(yè)，掌握著國內(nèi)領(lǐng)先的熱電偶、熱電阻傳感技術(shù)和工業(yè)自動控制技術(shù)，是國內(nèi)知名的傳感器及自動化控制、智能儀器儀表制造商，10多年來研究開發(fā)的產(chǎn)品中溫度傳感器已成功為真空爐、滲碳爐、銅/鋁熔煉爐用溫度傳感器實現(xiàn)國產(chǎn)化。
創(chuàng)銳儀表是全國儀表協(xié)會會員，中國石化設(shè)備資源市場成員廠，是本行業(yè)的后起之秀，擁有一支實力超凡技術(shù)專家和一批訓(xùn)練有素的技術(shù)隊伍。公司視質(zhì)量為生命，以信譽(yù)求生存，以科技促發(fā)展，以優(yōu)質(zhì)的品牌為用戶服務(wù)，資深的銷售和應(yīng)用工程師，隨時為您提供廣泛而專業(yè)服務(wù)，并一站式解決您的各種問題。
KT-006KT-006翅片式空氣干燒加熱管，薄膜熱電阻
PT100SMD0805。德國原裝進(jìn)口鉑電阻。電路板貼片式薄膜熱電阻。源裝全新.有假一罰十！
德國賀利氏（Heraeus） SMD0805 SMD0603 SMD1206 原裝進(jìn)口貼片鉑電阻B級精度為：正負(fù)0.2℃ ~ 0.3℃
·–70℃-350℃
·100或1000歐，DIN鉑電阻
·1/3 DIN,A級,B級
SMD系列是大規(guī)模使用的薄膜元器件。這些元器件具有特別小的尺寸，長期穩(wěn)定性很好，寬溫度范圍內(nèi)精度很高。用于汽車工業(yè)、白色家電，HVAC，食品加工業(yè)、醫(yī)療行業(yè)。
技術(shù)指標(biāo)：尺寸大。篠MD0805 SMD0603 SMD1206
溫度范圍：-70℃ - +350℃長期穩(wěn)定性：
R0漂移小于等于0.04％ （500℃，1000小時后）
抗振動等級：
至少40g加速度（10-2000Hz）
絕緣電阻：
＞100MΩ，20℃時
＞2MΩ，500℃時
抗沖擊等級：
至少100g加速度（波動8.5mS后）
自熱系數(shù)：
0.4K／mW（0℃時）
響應(yīng)時間：
水@0.4m/s t0.5=0.05S t0.9=0.15S
空氣@2m/s t0.5=3.0S t0.9=10.0S
環(huán)境條件：
未保護(hù)時只能用于干燥環(huán)境
測量電流：PT100 0.3-最大1.0 mA
PT1000 0.1至0.3mA
PT1000SMD0805德國原裝進(jìn)口鉑電阻，電路板貼片式薄膜熱電阻。全新源裝，假一罰十！
德國賀利氏（Heraeus） SMD0805 SMD0603 SMD1206 原裝進(jìn)口貼片鉑電阻B級精度為：正負(fù)0.2℃ ~ 0.3℃
·–70℃-350℃
·100或1000歐，DIN鉑電阻
·1/3 DIN,A級,B級
SMD系列是大規(guī)模使用的薄膜元器件。這些元器件具有特別小的尺寸，長期穩(wěn)定性很好，寬溫度范圍內(nèi)精度很高。用于汽車工業(yè)、白色家電，HVAC，食品加工業(yè)、醫(yī)療行業(yè)。
技術(shù)指標(biāo)：尺寸大小：SMD0805 SMD0603 SMD1206
溫度范圍：-70℃ - +350℃長期穩(wěn)定性：
R0漂移小于等于0.04％ （500℃，1000小時后）
抗振動等級：
至少40g加速度（10-2000Hz）
絕緣電阻：
＞100MΩ，20℃時
＞2MΩ，500℃時
抗沖擊等級：
至少100g加速度（波動8.5mS后）
自熱系數(shù)：
0.4K／mW（0℃時）
響應(yīng)時間：
水@0.4m/s t0.5=0.05S t0.9=0.15S
空氣@2m/s t0.5=3.0S t0.9=10.0S
環(huán)境條件：
未保護(hù)時只能用于干燥環(huán)境
測量電流：PT100 0.3-最大1.0 mA
PT1000 0.1至0.3mA
WZPK403U鎧裝薄膜熱電阻，WZPK-403U,
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應(yīng)時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK304U鎧裝薄膜熱電阻，WZPK-304U，
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應(yīng)時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK205U鎧裝薄膜熱電阻，WZPK-205U，
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應(yīng)時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
WZPK234U鎧裝薄膜熱電阻，WZPK-234U，
1． 測溫范圍、允差
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2.熱響應(yīng)時間
在溫度出現(xiàn)階躍變化時,熱電阻的電阻值變化至相當(dāng)于該階躍變化的50%，所需要的時間稱為熱響應(yīng)時間，用t0.5表示。
3.自熱影響
鉑電阻允許通過電流1mA，最大測量電流為5mA，由此產(chǎn)生的升溫不大于0.3℃。
4.電阻溫度系數(shù)（α）與標(biāo)稱值的偏差
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5.絕緣電阻
當(dāng)周圍空氣溫度15-35℃和相對濕度小于80%時熱電阻絕緣電阻不小于100MΩ。
薄膜鉑電阻元件
、 概述
CRZ系列薄膜鉑熱電阻元件是把金屬鉑研制成粉漿，采用的激光噴濺薄膜技術(shù)及光刻法和干燥蝕刻法把附著在陶瓷基片上形成膜，引線經(jīng)過激光調(diào)阻制成，自動的生產(chǎn)程序了產(chǎn)品符合IEC標(biāo)準(zhǔn)。
二、 技術(shù)特點(diǎn)
1． 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑制成，因而在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在-50～400℃的溫度下使用。
2． 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而它具有良好的防震和防沖擊性能。
3． 薄膜表面蓋以陶瓷，因而元件能夠承受高壓，并具有良好的絕緣性。
4． 引線材料為鎳鍍金和純鈀兩種。
5． 規(guī)格：
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6． 精度：
| 等級 | α | 0℃時的電阻值（Ω） | 允許偏差（Ω） |
| A | 0.003851 | 100.00 | ±0.150+0.002t |
| B | 0.003851 | 100.00 | ±0.30+0.005t |
進(jìn)口UST薄膜熱電阻進(jìn)口UST薄膜熱電阻
| 進(jìn)口UST薄膜熱電阻 | |||||
| 加入時間：2008-7-18 13:23:03 | |||||
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| ∷產(chǎn)品簡介∷ | |||||
| 德國進(jìn)口UST薄膜鉑熱電阻芯片 鉑金薄膜鉑熱電阻芯片是一個劃時代溫度傳感器發(fā)展的產(chǎn)物。采用進(jìn)高科技方法，像激光噴鍍，顯微照相和平版印刷光刻技術(shù)。而電阻值則以數(shù)字修整方式作出微調(diào)，因而能提供最精確的電阻值。 1: 技術(shù)性能描述 * 產(chǎn)品性能符合IEC751-1995和JIS1604有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)， * 溫度系數(shù)： R100/R0=1.3851 * 經(jīng)過嚴(yán)格質(zhì)撿并注明每只元件在攝氏0 ℃時的阻值。 * 薄膜鉑熱電阻元件用陶瓷和鉑特制而成，在高溫下能夠保持優(yōu)良的穩(wěn)定性，適合在 -50 ℃ ∽ 4OO ℃ 的溫度下使用. * 鉑薄膜通過激光噴濺在陶瓷表層，因而薄膜鉑熱電阻元件具有良好的防振動和防沖擊性能。 * 薄膜表面覆蓋以陶瓷，因此元件能夠承受高電壓并有良好的絕緣性。 * 鉑熱電阻芯片除了提供 Pt100Ω的外，尚有Pt500和 Pt1000Ω的元件。 * 精度：除了提供A級和B 級外，尚有更精確的1/3B級供用戶選用。 2: CRZ系列產(chǎn)品規(guī)格 * 溫度使用范圍： -50 ℃ ∽ 4OO ℃ . * 精度：A級，B級，，尚有更精確的1/3B級。 * 規(guī)定電流（mA）： 2mA（最大） * 引線材料： 鈀金合金。 *薄膜膜片鉑熱電阻芯片廣泛應(yīng)用于世界各地儀器儀表制造業(yè)，用于制造各種溫度傳感器。 * 特別是對溫度測量精度要求比較高的科研領(lǐng)域和工業(yè)領(lǐng)域更適合。 * 廣泛應(yīng)用于世界各地戶型和熱電聯(lián)產(chǎn)熱量表配對溫度傳感器的制造。 * 應(yīng)用于中央空調(diào)的溫度控制。 ） * 其它測溫控制領(lǐng)域。（PH值溫度補(bǔ)償?shù)龋?/p>
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