2. 聚合物鋰離子電池,容量密度大,其容量密度是鎳氫電池或鎳鎘電池的1.5~2.5 倍,或者更高。
3. 自放電小,在放置很長(zhǎng)時(shí)間后其容量損失也很小。
4. 壽命長(zhǎng),正常使用其循環(huán)壽命可達(dá)到500 次以上。
5. 沒有記憶效應(yīng),在充電前不必將剩余電量放空,使用方便。
6.安全性能好
深圳市科泰力能源技術(shù)有限公司,聚合物鋰電池在結(jié)構(gòu)上采用鋁塑軟包裝,有別于液態(tài)電芯的金屬外殼,一旦發(fā)生安全隱患,液態(tài)電芯容易爆炸,而聚合物電芯最多只會(huì)氣鼓。
7.聚合物鋰離子電池厚度小,能做得更薄
超薄。普通液態(tài)鋰電采用先定制外殼,后塞正負(fù)極材料的方法,厚度做到3.6mm以下存在技術(shù)瓶頸,聚合物電芯則不存在這一問題,厚度可做到1mm以下,符合時(shí)下手機(jī)需求方向。
8.鋰聚合物電池重量輕
采用聚合物電解質(zhì)的電池?zé)o需金屬殼來作為保護(hù)外包裝。聚合物電池重量較同等容量規(guī)格的鋼殼鋰電輕40%,較鋁殼電池輕20%。
9.容量大
聚合物電池較同等尺寸規(guī)格的鋼殼電池容量高10~15%,較鋁殼電池高5~10%,成為彩屏手機(jī)及彩信手機(jī)的首選,現(xiàn)在市面上新出的彩屏和彩信手機(jī)也大多采用聚合物電芯。
10.內(nèi)阻小
聚合物電芯的內(nèi)阻較一般液態(tài)電芯小,目前國(guó)產(chǎn)聚合物電芯的內(nèi)阻甚至可以做到35mΩ以下,極大的減低了電池的自耗電,延長(zhǎng)手機(jī)的待機(jī)時(shí)間,完全可以達(dá)到與國(guó)際接軌的水平。這種支持大放電電流的聚合物鋰電更是遙控模型的理想選擇,成為最有希望替代鎳氫電池的產(chǎn)品。
11.形狀可定制
制造商不用局限于標(biāo)準(zhǔn)外形,能夠經(jīng)濟(jì)地做成合適的大小。聚合物電池可根據(jù)客戶的需求增加或減少電芯厚度,開發(fā)新的電芯型號(hào),價(jià)格便宜,開模周期短,有的甚至可以根據(jù)手機(jī)形狀量身定做,以充分利用電池外殼空間,提升電池容量。
12.放電特性佳
科泰力聚合物電池采用膠體電解質(zhì),相比液態(tài)電解質(zhì),膠體電解質(zhì)具有平穩(wěn)的放電特性和更高的放電平臺(tái)。
13.保護(hù)板設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單
由于采用聚合物材料,電芯不起火、不爆炸,電芯本身具有足夠的安全性,因此聚合物電池的保護(hù)線路設(shè)計(jì)可考慮省略PTC和保險(xiǎn)絲,從而節(jié)約電池成本。
[聚合物鋰電池缺點(diǎn):
1. 鋰聚合物電池成本高,電解質(zhì)體系提純困難。
2. 需要保護(hù)線路控制,過充或者過放都會(huì)使電池內(nèi)部化學(xué)物質(zhì)的可逆性遭到破壞,從而嚴(yán)重影響電池的壽命。
聚合物鋰電池特點(diǎn):
聚合物鋰離子電池具有以下特點(diǎn) :
①塑形靈活性;
②更高的質(zhì)量比能量(3倍于MH-Ni電池);
③電化學(xué)穩(wěn)定窗口寬,可達(dá)5V;
④完美的安全可靠性;
⑤更長(zhǎng)循環(huán)壽命,容量損失少;
⑥體積利用率高;
聚合物鋰電池原理
鋰離子電池目前有液態(tài)鋰離子電池(LIB)和聚合物鋰離子電池(PLB)兩類。其中,液態(tài)鋰離子電池是指Li+嵌入化合物為正、負(fù)極的二次電池。正極采用鋰化合物LiCoO2,LiNiO2或LiMn2O4,負(fù)極采用鋰—碳層間化合物LixC6,典型的電池體系為:
(-) C | LiPF6—EC+DEC | LiCoO2 (+)
正極反應(yīng)(氧化反應(yīng)):LiCoO2=Li1-xCoO2+xLi++xe- ----------- (2.1)
負(fù)極反應(yīng)(還原反應(yīng)):6C+xLi++xe-=LixC6 ----------- (2.2)
電池總反應(yīng):LiCoO2+6C=Li1-xCoO2+LixC6 ----------- (2.3)
聚合物鋰離子電池的原理與液態(tài)鋰相同,主要區(qū)別是電解液與液態(tài)鋰不同。電池主要的構(gòu)造包括有正極、負(fù)極與電解質(zhì)三項(xiàng)要素。所謂的聚合物鋰離子電池是說在這三種主要構(gòu)造中至少有一項(xiàng)或一項(xiàng)以上使用高分子材料做為主要的電池系統(tǒng)。而在目前所開發(fā)的聚合物鋰離子電池系統(tǒng)中,高分子材料主要是被應(yīng)用于正極及電解質(zhì)。正極材料包括導(dǎo)電高分子聚合物或一般鋰離子電池所采用的無機(jī)化合物,電解質(zhì)則可以使用固態(tài)或膠態(tài)高分子電解質(zhì),或是有機(jī)電解液,一般鋰離子技術(shù)使用液體或膠體電解液,因此需要堅(jiān)固的二次包裝來容納可燃的活性成分,這就增加了重量,另外也限制了尺寸的靈活性。
新一代的聚合物鋰離子電池在形狀上可做到薄形化(ATL電池最薄可達(dá)0.5毫米,相于一張卡片的厚度)、任意面積化和任意形狀化,大大提高了電池造型設(shè)計(jì)的靈活性,從而可以配合產(chǎn)品需求,做成任何形狀與容量的電池,為設(shè)備開發(fā)商在電源解決方案上提供了一些設(shè)計(jì)靈活性和適應(yīng)性,以最大化地優(yōu)化其產(chǎn)品性能。同時(shí),聚合物鋰離子電池的單位能量比目前的一般鋰離子電池提高了20%,其容量、與環(huán)保性能等方面都較鋰離子電池,有一些改善。
聚合物鋰電池性能研究
對(duì)均聚物聚偏氟乙烯(PVdF)、偏氟乙烯與六氟丙烯的二元共聚物(PVdF-HFP)分別作為聚合物鋰離子電池骨架材料的性能進(jìn)行了對(duì)比研究。研究結(jié)果表明,采用適當(dāng)?shù)募夹g(shù)手段,可使PVdF作為聚合物鋰離子電池的骨架材料獲得比PVdF-HFP共聚物更為優(yōu)良的性能。
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試劑盒名稱 | 小鼠IL-10R ELISA試劑盒 | |
規(guī)格 | 48T/96T | |
品牌 | RENJIEBIO | |
檢測(cè)方法 | ELISA酶聯(lián)免疫法 | |
檢測(cè)波長(zhǎng) | 450nm | |
樣本 | 血清、血漿、組織、細(xì)胞上清液等 | |
樣本體積 | 50~100ul | |
產(chǎn)品貨號(hào) | RJ16915 | |
適用范圍 | 僅用于科研實(shí)驗(yàn) | |
保質(zhì)期 | 2~8℃,6個(gè)月避光保存 |
主要產(chǎn)品有:SMD功率電感,貼片繞線電感,陶瓷體繞線電感,鐵氧體繞線電感,高頻陶瓷體電感,射頻電感,晶片電感,塑封電感,閉磁式功率電感,屏蔽功率電感,無磁貼片繞線電感,無磁電感,工字電感,立式電感,磁環(huán)電感,磁棒電感,色碼電感,空心線圈,貼片空心線圈,方型線圈,自粘線圈,感應(yīng)線圈,無線充電器線圈,門禁線圈,IC卡線圈,ID卡線圈,精密線圈,磁珠,六孔磁珠,穿孔磁珠,貼片磁珠,濾波器,變壓器等。所有產(chǎn)品都符合RoHS環(huán)保要求!可按客戶要求訂做。
一、適用范圍
本儀器用于測(cè)定機(jī)織土工布、非織造土工布及其相關(guān)產(chǎn)品的抗磨損性能。原理:將試樣固定在平臺(tái)上,在規(guī)定壓力與摩擦動(dòng)作的條件下,使具有規(guī)定表面特性的磨料與之摩擦,測(cè)試式樣摩擦前后拉伸強(qiáng)力,以強(qiáng)力損失的百分率來描述試樣的耐磨損性能。二、符合標(biāo)準(zhǔn)
GB/T17636《土工布及其有關(guān)產(chǎn)品——抗磨損性能的測(cè)定砂布/滑塊法》。三、技術(shù)參數(shù) 1、上平板:50mm×200mm 2、下平板:a)尺寸:50mm×200mm b)行程:25±1mm c) 頻率:90次/分鐘 3、試樣承受重量:6±0.01(kg) 4、磨擦次數(shù):2 - 99999次,任意設(shè)定。 5、外形尺寸:935×275×350(mm)四、使用方法 1.在GB6529規(guī)定的標(biāo)準(zhǔn)大氣中試驗(yàn)已調(diào)試過的試樣。
2.將已調(diào)試過的試樣放在靜止的上平板上,在平板的兩端用夾具將試樣夾緊。將磨料放在可往復(fù)運(yùn)動(dòng)的下平板上,用夾具在平板的兩端夾緊。
3.將上平板放在下平板之上,使試樣和磨料對(duì)齊。
4.將上平板施加包括上平板重量在內(nèi)共(6±0.01)㎏的荷量。
5.打開電源開關(guān),設(shè)定好所需磨損周期,本試驗(yàn)儀開啟磨損試驗(yàn),本機(jī)每分鐘90周期的頻率進(jìn)行工作,以規(guī)定的頻率磨750周期,或者直到試樣磨穿。如果試樣在規(guī)定的周期之前磨穿,需報(bào)告試樣磨穿和試樣磨穿時(shí)的周期數(shù),如中途有異常情況,可按下停止鍵停車,下次試驗(yàn)時(shí)需按下計(jì)數(shù)器清零鍵。
6.如果試樣或磨料在夾子內(nèi)產(chǎn)生滑移,舍棄試樣,驚醒調(diào)整后試驗(yàn)另一塊試樣,每次試驗(yàn)后更換磨料,按CB/T3923.1的規(guī)定分別對(duì)參照樣和磨損樣進(jìn)行拉伸試驗(yàn)。
7.結(jié)果的計(jì)算和表示:
計(jì)算每組試驗(yàn)的強(qiáng)力損失百分率,精確到1%:
強(qiáng)力損失率(%)=[ (FA-FB) ÷FA] ×100
式中:FA—參照樣斷裂強(qiáng)力,N;
FB—磨損樣的斷裂強(qiáng)力,N.
計(jì)算5組試樣的平均強(qiáng)力損失百分率及其變異系數(shù)。
8.試驗(yàn)報(bào)告:
試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包括下述內(nèi)容:
a)本標(biāo)準(zhǔn)的編號(hào);
b)樣品的標(biāo)識(shí)(按GB14798的規(guī)定);
c)被試方向和正反面;
d)平均強(qiáng)力損失率,%;
e)強(qiáng)力損失變異系數(shù),%;
f)偏離本標(biāo)準(zhǔn)的任何細(xì)節(jié),例如周期數(shù)、負(fù)荷等;
g)試驗(yàn)中異常情況,例如磨穿等。
五、試驗(yàn)完畢,把儀器擦拭干凈,以備下次使用。
1.1 簡(jiǎn)介 SOM-2498是一款極高性價(jià)比、尺寸及其緊湊的嵌入式控制模塊,SOM-2498 板載高性能16位處理器,該處理器內(nèi)部為32位RISC架構(gòu)并且與80C186 處理器兼容,具有極高的性能,主頻高達(dá)100MHz,內(nèi)置了100M的以太網(wǎng),并且支持1MB的SDRAM。其指令與其他X86微處理器兼容。 板上功能包括10/100M高速以太網(wǎng)接口,支持模擬屏、TFT、LVDS和VGA等顯示接口,四個(gè)串口、USB接口、RTC實(shí)時(shí)時(shí)鐘、DOC接口、非易失性存儲(chǔ)器、軟驅(qū)、并口、看門狗、蜂鳴器接口、和8位精簡(jiǎn)ISA總線等。 在一單片閃存芯片上集成了系統(tǒng)BIOS、1.44M 閃存盤(Flash Flopy Disk -- FFD)和16點(diǎn)陣二級(jí)漢字庫,以最少數(shù)量的芯片實(shí)現(xiàn)最小尺寸的模塊的最多的功能。 如果需要更多的其他功能可以通過精簡(jiǎn)ISA總線去擴(kuò)展相關(guān)的功能模塊。 1.2 特性1.2.1高性能CPU BBPC 1610C CPU應(yīng)用了RISC的技術(shù),64bit指令隊(duì)列,5級(jí)流水線,相對(duì)于傳統(tǒng)的CISC 技術(shù),指令周期短。不分頻的系統(tǒng)時(shí)鐘(386是2分頻),外部時(shí)鐘100MHz,內(nèi)部時(shí)鐘100MHz。高速內(nèi)存總線(200Mbyte/S),在數(shù)據(jù)通訊應(yīng)用方面可以充分發(fā)揮大數(shù)據(jù)量吞吐的優(yōu)勢(shì)。8KB的高速緩存。性能高,速度快,經(jīng)過測(cè)試,實(shí)際性能相當(dāng)于486SX-100MHz。CPU運(yùn)算性能方面: INTEL 386ex 25MHz -- 6MIPSAMD 186 50MHz -- 6MIPSINTEL 486 66MHz -- 54MIPSRDC 1610C 100MHz -- 86MIPS
1.2.2顯示 自主研發(fā)的顯卡控制器,通過SDRAM共享8M顯存,通過不同的配置可以支持模擬屏、TFT 、LVDS和VGA等。
1.2.3完備的GUI軟件 BC3.1、BC4.5兼容圖形庫、SVGACC圖形兼容庫、BBGUI專用圖形庫。
1.2.4個(gè)性化BIOS 自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的BIOS,與標(biāo)準(zhǔn)PC規(guī)范兼容,可以直接運(yùn)行DOS軟件,用戶可以使用豐富的免費(fèi)資源進(jìn)行開發(fā),降低了開發(fā)難度。工業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì),快速啟動(dòng)引導(dǎo),無需用戶配置任何數(shù)據(jù)。
1.2.5無所不能的電子盤存儲(chǔ)方案 SOM-2498提供了非常完善的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案,BIOS中集成了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的高性能1.44M 或更高容量的Flash電子盤,用于存貯應(yīng)用程序及數(shù)據(jù),對(duì)于小程序及數(shù)據(jù)的用戶不需要另外購買DOC或硬盤,就能直接建立完整的應(yīng)用系統(tǒng),降低了系統(tǒng)成本。應(yīng)用程序訪問Flash電子軟盤與PC上的訪問普通軟盤一樣,但是訪問速度和重復(fù)壽命要遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過普通軟盤。 由于BIOS提供了對(duì)IDE設(shè)備的直接支持,用戶也可以使用CF卡等大容量存儲(chǔ)設(shè)備,或與電子軟盤交換文件。系統(tǒng)啟動(dòng)時(shí)首先查找IDE設(shè)備,并優(yōu)先從IDE設(shè)備引導(dǎo)系統(tǒng),如果沒有IDE設(shè)備,則從電子軟盤引導(dǎo)系統(tǒng)。同時(shí)還提供了DOC電子盤接口,支持8~1G的M-system DOC電子盤。通過USB接口,支持U盤,可以熱插拔,快速方便數(shù)據(jù)交換方式。
1.2.6板載非易失性存儲(chǔ)器 支持電池后備的512K SRAM方案。解決了要求擦寫次數(shù)特別頻繁場(chǎng)合,掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)問題。電池后備的512K SRAM方案:擦寫次數(shù)無限,容量較大。同時(shí)支持串行鐵電存儲(chǔ)器方案。解決了要求擦寫次數(shù)特別頻繁場(chǎng)合,掉電保持?jǐn)?shù)據(jù)問題。鐵電存儲(chǔ)器:1億次擦寫次數(shù),十年以上保存期,無需后備電池。
1.2.7高性能以太網(wǎng) 片內(nèi)快速以太網(wǎng),使用片內(nèi)的DMA操作直接訪問高速內(nèi)存,不存在ISA總線上掛接以太網(wǎng)芯片時(shí)的帶寬1MB/S左右的瓶頸(由于ISA網(wǎng)卡不使用DMA傳輸,必需軟件干預(yù)數(shù)據(jù)包的存取,實(shí)際上10M和100M以太網(wǎng)性能無差別),從而大大提高了網(wǎng)絡(luò)性能。
1.2.8高強(qiáng)度的加密算法 為電子盤上應(yīng)用軟件提供128位的加密算法,幫助用戶保護(hù)自己的知識(shí)產(chǎn)權(quán)。
1.2.9完備的開發(fā)環(huán)境 BIOS中還集成了自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的虛擬顯示技術(shù),用戶可獲得與本地PC的DOS環(huán)境相仿的效果,如對(duì)A:(電子盤)列目錄等DOS命令。用戶也可在虛擬顯示環(huán)境下,啟動(dòng) TC2.0,進(jìn)行較小規(guī)模的程序編寫。或者運(yùn)行性能測(cè)試程序測(cè)試系統(tǒng)性能。本功能一般用于調(diào)試,運(yùn)行系統(tǒng)中,用戶可以選擇關(guān)閉。
1.2.10易擴(kuò)展的硬件結(jié)構(gòu) SOM-2498具有精簡(jiǎn)的8位ISA總線接口(在嵌入式領(lǐng)域,ISA總線也就是PC104總線),用于IO型外設(shè)的擴(kuò)展。本接口不支持DMA傳輸。
1.2.11豐富的軟件資源 應(yīng)用軟件開發(fā)的簡(jiǎn)單性和快速性是SOM-2498的另一大特點(diǎn)。與大多數(shù)嵌入式系統(tǒng)不同的是,SOM-2498并不需要客戶購買昂貴的開發(fā)調(diào)試系統(tǒng),而是充分利用現(xiàn)有PC上大量的廉價(jià)的軟件作為開發(fā)工具,如Borland C/C++,Turbo C 。這樣就大大降低了客戶快速應(yīng)用高性能嵌入式處理器的門檻。在網(wǎng)絡(luò)開發(fā)應(yīng)用方面, TCP/IP協(xié)議棧軟件包(源代碼提供)可幫助客戶設(shè)備快速"上網(wǎng)",輕松實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)單元互聯(lián)。對(duì)復(fù)雜的應(yīng)用需求,我們還為客戶準(zhǔn)備了基于實(shí)時(shí)多任務(wù)操作系統(tǒng)RTOS的應(yīng)用方案,在RTOS環(huán)境下SOM-2498同樣可客戶應(yīng)用開發(fā)的簡(jiǎn)單性和快速性。作為與PC兼容的嵌入式系統(tǒng),SOM-2498可支持DOS上大多數(shù)工具。 1.3 規(guī)格CPU處理器--RISC架構(gòu)--流水線技術(shù)--指令集與80C186處理器兼容--主頻100M Hz
SDRAM 內(nèi)存--在板1MB SDRAM內(nèi)存--擴(kuò)展內(nèi)存8M和顯存共享--SDRAM 時(shí)鐘頻率高達(dá)100 MHz
存儲(chǔ)--板載1.44M 快速閃存虛擬軟盤(系統(tǒng)A:盤)、最大可支持7.2M--精簡(jiǎn)IDE 接口支持一個(gè)IDE設(shè)備,(可接CF卡),由BIOS自動(dòng)檢測(cè)--DOC接口--FDD軟盤接口(系統(tǒng)B:盤)--U盤接口,支持熱插拔,快速方便數(shù)據(jù)交換方式(可選項(xiàng))--板載非易失性存儲(chǔ)器, 支持電池后備的512K SRAM(可選項(xiàng))和串行鐵電存儲(chǔ)器
顯示--UMA 架構(gòu),共享系統(tǒng)SDRAM高速內(nèi)存8MB --支持模擬屏接口,320 x 234(5.6”)、800X600(8”)的4:3顯示效果以及480 x 234(7”)、800X480(8”、10.2”)的16:9顯示效果--支持TFT1024 x 768真彩色--支持LVDS1024 x 768真彩色--支持VGA接口。
系統(tǒng)--自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的BIOS固件--內(nèi)嵌固化的點(diǎn)陣二級(jí)漢字庫和字符庫,點(diǎn)陣大小支持16*16,12*12--掉電非易失的實(shí)時(shí)時(shí)鐘--CPU自帶看門狗可以產(chǎn)生系統(tǒng)復(fù)位,看門狗啟動(dòng)周期可由軟件設(shè)置
接口和資源--高速以太網(wǎng)接口 --4個(gè)串口,2個(gè)16C550兼容UART ,兩個(gè)CPU自帶,所有COM口都為TTL電平。--手動(dòng)復(fù)位口 --外接電池后備口--電源接口(5V)--8位可用擴(kuò)展ISA總線
擴(kuò)展接口--精簡(jiǎn)ISA總線擴(kuò)展
機(jī)械尺寸--尺寸: (L x W): 100mm x70 mm
環(huán)境參數(shù)--工作溫度:-10° ~ 70° C 、-25° ~ 70° C (工業(yè)級(jí)可選)、-75° ~ 125° C (軍工級(jí)可選)--存儲(chǔ)溫度:-40° ~ 85° C --工作濕度:0% to 95% 相對(duì)濕度(非凝結(jié))--工作電壓:+ 5 V ± 5 %;--工作電流:460mA@+ 5 V260mA@+ 5 V(低功耗版本可選)
軟件--操作系統(tǒng):可以直接安裝、運(yùn)行MS-DOS6.22以下的版本(不是ROM-DOS),以及其他的自由版權(quán)的兼容DOS,包括DR-DOS、FREE-DOS等。--提供外掛在DOS上RTOS操作系統(tǒng),包括ERTOS、UCOS II--提供完整的TCP/IP網(wǎng)絡(luò)通訊協(xié)議。 --直接支持BorlandC集成開發(fā)環(huán)境(包括BC3.1、BC4.0等),Turbo Debugger源碼調(diào)試(交叉調(diào)試環(huán)境) --可以直接運(yùn)行大部分DOS下的軟件,例如Debug、TurboC2.0,直接開發(fā)調(diào)試程序。--獨(dú)立Watchdog看門狗單元來防止系統(tǒng)程序死鎖,可以調(diào)用廠家?guī)靵硎褂每撮T狗。--提供常用的例子程序源代碼:串口中斷、顯示、看門狗、GPIO等
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智能功率模塊(Intelligent Power Module,IPM)是以IGBT為內(nèi)核的先進(jìn)混合集成功率部件,由高速低功耗管芯(IGBT)和優(yōu)化的門極驅(qū)動(dòng)電路,以及快速保護(hù)電路構(gòu)成。IPM內(nèi)的IGBT管芯都選用高速型的,而且驅(qū)動(dòng)電路緊靠IGBT,驅(qū)動(dòng)延時(shí)小,所以IPM開關(guān)速度快,損耗小。IPM內(nèi)部集成了能連續(xù)檢測(cè)IGBT電流和溫度的實(shí)時(shí)檢測(cè)電路,當(dāng)發(fā)生嚴(yán)重過載甚至直接短路時(shí),以及溫度過熱時(shí),IGBT將被有控制地軟關(guān)斷,同時(shí)發(fā)出故障信號(hào)。此外IPM還具有橋臂對(duì)管互鎖、驅(qū)動(dòng)電源欠壓保護(hù)等功能
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