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DBC-352晶閘管少子壽命測試儀/可控硅控制器

晶閘管少子壽命測試儀主要技術(shù)參數(shù)：

少子壽命測量范圍：0.1-99us外形尺寸：440X×440×150mm整機重量：10kg

晶閘管少子壽命測試儀用于測試可控硅或PN結(jié)（二極管）的長基區(qū)少子壽命。數(shù)字顯示測試結(jié)果，自動測試。

DBC-051晶閘管測試儀/晶閘管少子壽命測試儀

晶閘管測試儀主要技術(shù)參數(shù)：

斷態(tài)峰值電壓VDM : 0-2000V；電壓臨界上升率dV/dt: 30-1000V/us外形尺寸：440×440×150mm整機重量：15kg

晶閘管測試儀用于測試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的斷態(tài)電壓臨界上升率dV/dt。數(shù)字顯示斷態(tài)峰值電壓VDM

DBC-013A晶閘管測試儀/晶閘管少子壽命測試儀

晶閘管測試儀主要技術(shù)參數(shù)：峰值電流測量范圍： 30-3000A峰值壓降測量范圍： 0-7V外形尺寸： 440×440×150mm 2箱整機重量： 35kg

晶閘管測試儀使用范圍：◇ 用于測試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅、可控硅模塊的通態(tài)峰值電流ITM和峰值壓降VTM◇ 用于測試整流管的正向峰值電流 IFM和峰值壓降VFM。數(shù)字顯示測試結(jié)果，自動測試。通態(tài)峰值電流值測試前可設(shè)定，并具有良好的測試重復性。

DBC-023B晶閘管伏安特性測試儀/晶閘管少子壽命測試儀

晶閘管伏安特性測試儀主要技術(shù)參數(shù)：

正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測量范圍：0-6000V正向斷態(tài)和反向阻斷電流測量范圍： 0-199mA保護電流設(shè)定:0-199mA外形尺寸：440×440×150mm整機重量：15kg

晶閘管伏安特性測試儀用于測試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管參數(shù)；數(shù)字顯示測試結(jié)果。對被測器件具有保護功能。注：保護電流值大小根據(jù)需要自行設(shè)定。

DBC-023A晶閘管伏安特性測試儀/晶閘管少子壽命測試儀

晶閘管伏安特性測試儀主要技術(shù)參數(shù)：

正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測量范圍：0-3000V正向斷態(tài)和反向阻斷電流測量范圍：0-99mA 保護電流設(shè)定:0-99mA 外形尺寸：440×440×150mm整機重量：15kg

晶閘管伏安特性測試儀用于測試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管參數(shù)，數(shù)字顯示測試結(jié)果。對被測器件具有保護功能。注：保護電流值大小根據(jù)需要自行設(shè)定。

DBC-031晶閘管測試儀/晶閘管少子壽命測試儀

晶閘管測試儀主要技術(shù)參數(shù)：

測量范圍：觸發(fā)電流1-450mA；觸發(fā)電壓0-7V；維持電流1-450mA。外形尺寸：440×440×150mm整機重量：10kg

晶閘管測試儀用于測試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的參數(shù)。

北京SN/LT-2單晶少子壽命測試儀操作方法

單晶少子壽命測試儀非平衡少數(shù)載流子壽命測定儀

型號：SN/LT-2

北京SN/LT-2單晶少子壽命測試儀操作方法是參考美國 A.S.T.M 標準而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導體材料的少數(shù)載流子壽命測量，是半導體的常規(guī)測試項目之一。本儀器靈敏度較高，配備有紅外光源，可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶，以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。

北京SN/LT-2單晶少子壽命測試儀操作方法本儀器根據(jù)國際通用方法高頻光電導衰退法的原理設(shè)計，由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器，特制的InGaAsp／InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機結(jié)構(gòu)緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。

北京SN/LT-2單晶少子壽命測試儀操作方法技　術(shù)　指　標：

測試單晶電阻率范圍	>2Ω.cm
可測單晶少子壽命范圍	5μS～7000μS
配備光源類型	波長：1.09μm；余輝<1 μS；閃光頻率為：20～30次／秒；閃光頻率為：20～30次／秒；
高頻振蕩源	用石英諧振器，振蕩頻率：30MHz
前置放大器	放大倍數(shù)約25，頻寬2 Hz-1 MHz
儀器測量重復誤差	<±20％
測量方式	采用對標準曲線讀數(shù)方式
儀器消耗功率	<25W
儀器工作條件	溫度： 10-35℃、濕度 < 80％、使用電源：AC 220V，50Hz
可測單晶尺寸	斷面豎測：φ25mm—150mm； L 2mm—500mm；縱向臥測：φ25mm—150mm； L 50mm—800mm；
配用示波器	頻寬0—20MHz；電壓靈敏：10mV／cm；

該公司產(chǎn)品分類：測距儀、測速儀硬度計流量計其他行業(yè)專用儀器儀表軸承測試儀、軸承加熱器汽車行業(yè)檢測儀位移傳感器/位移測量儀水文儀器轉(zhuǎn)速測量儀/轉(zhuǎn)速儀/轉(zhuǎn)速表振動分析儀/測振儀激光測試儀器設(shè)備/機械故障檢測儀前照燈檢測儀行業(yè)專用儀器儀表其他物理學儀器反射率儀白度計/白度儀比色計/比色儀/色度儀測色儀/色差計冰點儀/比重計

北京SN/LT-3單晶少子壽命測試儀說明書下載

單晶少子壽命測試儀非平衡少數(shù)載流子壽命測試儀

型號：SN/LT-3

*.北京SN/LT-3單晶少子壽命測試儀說明書下載該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；*.前置放大器：放大倍數(shù)約25；*.測量方式：采用對標準曲線讀數(shù)方式；北京SN/LT-3單晶少子壽命測試儀說明書下載

*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標準而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；*.測試單晶電阻率范圍： >0.3Ω.cm；*.可測單晶少子壽命范圍： 1μS-10000μS；*.配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；余輝<1 μS；閃光頻率為：20-30次／秒；*.前置放大器：放大倍數(shù)約25；*.測量方式：采用對標準曲線讀數(shù)方式；

DLY-2型 DSY－II型 FJDY－I導電類鑒別儀單晶少子壽命測試儀非接觸硅片電阻率測試儀

DLY-2型導電類鑒別儀 DSY－II型單晶少子壽命測試儀 FJDY－I FJDY-I非接觸硅片電阻率測試儀DLY2型導電類型測試儀本儀器采用溫差電法(也稱冷熱探筆法)和整流法來判斷單晶硅的導電類型的新一代專用測試儀器.特別采用了平面輕觸式開關(guān)設(shè)計;可隨機調(diào)零;各種工作狀態(tài)LED指示;自動加熱,恒溫;以及大型LED數(shù)碼管直接顯示單晶(或多晶)的導電類型(N型或P型).具有體積小、重量輕、性能穩(wěn)定、測試簡便、等優(yōu)點。DLY2導電類型測試儀本儀器符合硅單晶物理測試國家標準及美國A.S.T.M.標準中有關(guān)要求�？蓾M足大專院校，科研及生產(chǎn)單位對硅材料棒的縱向、截面及片子的導電類型判斷的需要。DLY－2導電類型測試儀技術(shù)指標1、可判斷硅材料的電阻率范圍：溫差電法：0.0001－104Ω.cm; 整流法: 0.01-104Ω.cm2、硅單晶直徑及長度：不受限制；3、顯示方式：用大型LED數(shù)碼管分別直接顯示；4、探頭：溫差電法：采用冷熱兩根探筆，熱筆為鎢棒，冷筆為高速鋼棒或鎢棒；整流法：采用三根探針，用鎢針或高速鋼針；5、電源及功耗：AC 220V±10%; 50Hz;功率〈30W;6、外形尺寸：主機 360X 365 X125mm；7、使用環(huán)境：溫度：室溫；相對濕度≤80％；無高頻干擾；無強光照射。訂購指南編號品名單價(元/套) 142098 DLY－2型導電類型測試儀 8977.00 142100 DSY-Д型單晶少子壽命測試儀(高頻光電導法;配示波器) 36800.00 142102 FJDY-1型非接觸硅片電阻率測試儀 34500.00

JC03-LT-3單晶少子壽命測試儀，硅單晶非平衡少數(shù)載流子壽命測量儀

單晶少子壽命測試儀硅單晶非平衡少數(shù)載流子壽命測量儀

型號JC03-LT-3

特點:

該儀器參考美國A.S.T.M標準而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；

測試單晶電阻率范圍：>0.3Ω.cm；

可測單晶少子壽命范圍：1μS-10000μS；

配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；

余輝<1μS；閃光頻率為：20-30次／秒；

前置放大器：放大倍數(shù)約25；

測量方式：采用對標準曲線讀數(shù)方式；

該公司產(chǎn)品分類：教學儀器照度光譜系列邏輯棒/筆測氡儀氧氣檢測儀氫氣檢測報警儀氣體檢測報警儀熏蒸氣體檢測儀空氣質(zhì)量檢測儀垃圾場氣體檢測酒精測試儀有毒氣體檢測儀甲烷檢測儀可燃氣體檢測儀/探測儀復合氣體檢測儀苯檢測儀揮發(fā)性有機氣體臭氧檢測分析儀甲醛檢測/分析氧氣檢測報警儀

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