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晶閘管少子壽命測試儀主要技術(shù)參數(shù)：

少子壽命測量范圍：0.1-99us外形尺寸：440X×440×150mm整機重量：10kg

 晶閘管少子壽命測試儀用于測試可控硅或PN結(jié)（二極管）的長基區(qū)少子壽命。數(shù)字顯示測試結(jié)果，自動測試。

晶閘管測試儀主要技術(shù)參數(shù)：

斷態(tài)峰值電壓VDM : 0-2000V；電壓臨界上升率dV/dt:  30-1000V/us外形尺寸：440×440×150mm整機重量：15kg

晶閘管測試儀用于測試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的斷態(tài)電壓臨界上升率dV/dt。數(shù)字顯示斷態(tài)峰值電壓VDM

晶閘管測試儀主要技術(shù)參數(shù)：峰值電流測量范圍： 30-3000A峰值壓降測量范圍： 0-7V外形尺寸： 440×440×150mm 2箱整機重量： 35kg

晶閘管測試儀使用范圍：◇ 用于測試普通可控硅、雙向可控   硅、快速可控硅、可控硅模塊的   通態(tài)峰值電流ITM和峰值壓降VTM◇ 用于測試整流管的正向峰值電流   IFM和峰值壓降VFM。   數(shù)字顯示測試結(jié)果，自動測試。   通態(tài)峰值電流值測試前可設(shè)定，并具有良好的測試重復性。

晶閘管伏安特性測試儀主要技術(shù)參數(shù)：

正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測量范圍：0-6000V正向斷態(tài)和反向阻斷電流測量范圍： 0-199mA保護電流設(shè)定:0-199mA外形尺寸：440×440×150mm整機重量：15kg

 晶閘管伏安特性測試儀用于測試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管參數(shù)；數(shù)字顯示測試結(jié)果。對被測器件具有保護功能。   注： 保護電流值大小根據(jù)需要自行設(shè)定。

晶閘管伏安特性測試儀主要技術(shù)參數(shù)：

正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測量范圍：0-3000V正向斷態(tài)和反向阻斷電流測量范圍：0-99mA 保護電流設(shè)定:0-99mA 外形尺寸：440×440×150mm整機重量：15kg

 晶閘管伏安特性測試儀用于測試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管參數(shù)，數(shù)字顯示測試結(jié)果。對被測器件具有保護功能。    注：保護電流值大小根據(jù)需要自行設(shè)定。

晶閘管測試儀主要技術(shù)參數(shù)：

測量范圍： 觸發(fā)電流1-450mA；           觸發(fā)電壓0-7V；           維持電流1-450mA。外形尺寸：440×440×150mm整機重量：10kg

晶閘管測試儀用于測試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的參數(shù)。

單晶少子壽命測試儀 非平衡少數(shù)載流子壽命測定儀

型號：SN/LT-2

 單晶少子壽命測試儀 硅單晶非平衡少數(shù)載流子壽命測量儀

型號JC03-LT-3

特點:

該儀器參考美國A.S.T.M標準而設(shè)計的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命；

測試單晶電阻率范圍：>0.3Ω.cm；

可測單晶少子壽命范圍：1μS-10000μS；

配備光源類型：紅外光源，波長：1.09μm；

余輝<1μS；閃光頻率為：20-30次／秒；

前置放大器：放大倍數(shù)約25；

測量方式：采用對標準曲線讀數(shù)方式；