晶閘管少子壽命測試儀主要技術(shù)參數(shù):
少子壽命測量范圍:0.1-99us外形尺寸:440X×440×150mm整機(jī)重量:10kg
晶閘管少子壽命測試儀用于測試可控硅或PN結(jié)(二極管)的長基區(qū)少子壽命。數(shù)字顯示測試結(jié)果,自動測試。
晶閘管測試儀主要技術(shù)參數(shù):
斷態(tài)峰值電壓VDM : 0-2000V;電壓臨界上升率dV/dt: 30-1000V/us外形尺寸:440×440×150mm整機(jī)重量:15kg
晶閘管測試儀用于測試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的斷態(tài)電壓臨界上升率dV/dt。數(shù)字顯示斷態(tài)峰值電壓VDM
晶閘管測試儀主要技術(shù)參數(shù):峰值電流測量范圍: 30-3000A峰值壓降測量范圍: 0-7V外形尺寸: 440×440×150mm 2箱整機(jī)重量: 35kg
晶閘管測試儀使用范圍:◇ 用于測試普通可控硅、雙向可控 硅、快速可控硅、可控硅模塊的 通態(tài)峰值電流ITM和峰值壓降VTM◇ 用于測試整流管的正向峰值電流 IFM和峰值壓降VFM。 數(shù)字顯示測試結(jié)果,自動測試。 通態(tài)峰值電流值測試前可設(shè)定,并具有良好的測試重復(fù)性。
晶閘管伏安特性測試儀主要技術(shù)參數(shù):
正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測量范圍:0-6000V正向斷態(tài)和反向阻斷電流測量范圍: 0-199mA保護(hù)電流設(shè)定:0-199mA外形尺寸:440×440×150mm整機(jī)重量:15kg
晶閘管伏安特性測試儀用于測試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管參數(shù);數(shù)字顯示測試結(jié)果。對被測器件具有保護(hù)功能。 注: 保護(hù)電流值大小根據(jù)需要自行設(shè)定。
晶閘管伏安特性測試儀主要技術(shù)參數(shù):
正向斷態(tài)和反向阻斷電壓測量范圍:0-3000V正向斷態(tài)和反向阻斷電流測量范圍:0-99mA 保護(hù)電流設(shè)定:0-99mA 外形尺寸:440×440×150mm整機(jī)重量:15kg
晶閘管伏安特性測試儀用于測試普通可控硅、快速可控硅、雙向可控硅、可控硅模塊、整流管參數(shù),數(shù)字顯示測試結(jié)果。對被測器件具有保護(hù)功能。 注:保護(hù)電流值大小根據(jù)需要自行設(shè)定。
晶閘管測試儀主要技術(shù)參數(shù):
測量范圍: 觸發(fā)電流1-450mA; 觸發(fā)電壓0-7V; 維持電流1-450mA。外形尺寸:440×440×150mm整機(jī)重量:10kg
晶閘管測試儀用于測試普通可控硅、雙向可控硅、快速可控硅和可控硅模塊的參數(shù)。
單晶少子壽命測試儀 非平衡少數(shù)載流子壽命測定儀
型號:SN/LT-2
北京SN/LT-2單晶少子壽命測試儀操作方法是參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命。半導(dǎo)體材料的少數(shù)載流子壽命測量,是半導(dǎo)體的常規(guī)測試項(xiàng)目之一。本儀器靈敏度較高,配備有紅外光源,可測量包括集成電路級硅單晶在內(nèi)的各種類型硅單晶,以及經(jīng)熱處理后壽命驟降的硅單晶、多晶磷檢棒的壽命測量等。 | ||||||||||||||||||||||||
北京SN/LT-2單晶少子壽命測試儀操作方法本儀器根據(jù)國際通用方法高頻光電導(dǎo)衰退法的原理設(shè)計(jì),由穩(wěn)壓電源、高頻源、檢波放大器,特制的InGaAsp/InP紅外光源及樣品臺共五部份組成。采用印刷電路和高頻接插連接。整機(jī)結(jié)構(gòu)緊湊、測量數(shù)據(jù)可靠。 | ||||||||||||||||||||||||
北京SN/LT-2單晶少子壽命測試儀操作方法技 術(shù) 指 標(biāo): | ||||||||||||||||||||||||
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單晶少子壽命測試儀 非平衡少數(shù)載流子壽命測試儀
型號:SN/LT-3
*.北京SN/LT-3單晶少子壽命測試儀說明書下載該儀器參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于 測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命;*.測試單晶電阻率范圍: >0.3Ω.cm;*.可測單晶少子壽命范圍: 1μS-10000μS;*.配備光源類型:紅外光源,波長:1.09μm; 余輝<1 μS;閃光頻率為:20-30次/秒;*.前置放大器:放大倍數(shù)約25;*.測量方式:采用對標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式;北京SN/LT-3單晶少子壽命測試儀說明書下載
*.北京SN/LT-3單晶少子壽命測試儀說明書下載該儀器參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于 測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命;*.測試單晶電阻率范圍: >0.3Ω.cm;*.可測單晶少子壽命范圍: 1μS-10000μS;*.配備光源類型:紅外光源,波長:1.09μm; 余輝<1 μS;閃光頻率為:20-30次/秒;*.前置放大器:放大倍數(shù)約25;*.測量方式:采用對標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式;
*.該儀器參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于 測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命;*.測試單晶電阻率范圍: >0.3Ω.cm;*.可測單晶少子壽命范圍: 1μS-10000μS;*.配備光源類型:紅外光源,波長:1.09μm; 余輝<1 μS;閃光頻率為:20-30次/秒;*.前置放大器:放大倍數(shù)約25;*.測量方式:采用對標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式;
單晶少子壽命測試儀 硅單晶非平衡少數(shù)載流子壽命測量儀
型號JC03-LT-3
特點(diǎn):
該儀器參考美國A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計(jì)的用于測量硅單晶的非平衡少數(shù)載流子壽命;
測試單晶電阻率范圍:>0.3Ω.cm;
可測單晶少子壽命范圍:1μS-10000μS;
配備光源類型:紅外光源,波長:1.09μm;
余輝<1μS;閃光頻率為:20-30次/秒;
前置放大器:放大倍數(shù)約25;
測量方式:采用對標(biāo)準(zhǔn)曲線讀數(shù)方式;