項目 | 技術指標 |
儀器型號 | EM13 LD/635 (或其它選定波長) |
激光波長 | 635 nm (或其它選定波長,高穩(wěn)定半導體激光器) |
膜厚測量重復性(1) | 0.5nm (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
折射率測量重復性(1) | 5x10-3 (對于平面Si基底上100nm的SiO2膜層) |
單次測量時間 | 與測量設置相關,典型3s |
的膜層范圍 | 透明薄膜可達1000nm 吸收薄膜則與材料性質相關 |
光學結構 | PSCA(Δ在0°或180°附近時也具有極高的準確度) |
激光光束直徑 | 2mm |
入射角度 | 40°-90°可手動調節(jié),步進5° |
樣品方位調整 | Z軸高度調節(jié):±6.5mm 二維俯仰調節(jié):±4° 樣品對準:光學自準直和顯微對準系統(tǒng) |
樣品臺尺寸 | 平面樣品直徑可達Φ170mm |
外形尺寸 | 887 x 332 x 552mm (入射角為90º時) |
儀器重量(凈重) | 25Kg |
選配件 | 水平XY軸調節(jié)平移臺,真空吸附泵 |
軟件(ETEM) | * 中英文界面可選 * 多個預設項目供快捷操作使用 * 單角度測量/多角度測量操作和數(shù)據(jù)擬合 * 方便的數(shù)據(jù)顯示、編輯和輸出 * 豐富的模型和材料數(shù)據(jù)庫支持 |