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光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家

日本RION粒子計(jì)數(shù)器
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kc-22a ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：10000顆/l （誤差值低于5%）,可檢測(cè)從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時(shí)間:2024-11-21
日本RION粒子計(jì)數(shù)器
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kc-22b ( 光散射法）,液體粒子計(jì)數(shù)器，可檢測(cè)從純水到氫氟酸各種各樣的液體。
更新時(shí)間:2024-11-21
日本RION氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器kc-31 ( 光散射法）,測(cè)試粒徑（6個(gè)通道）,大粒子數(shù)濃度：28000000 顆/l
更新時(shí)間:2024-11-21
日本RION氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kc-32 ( 光散射法）測(cè)試粒徑（6個(gè)通道）：≥0.3μm， ≥0.5μm ， ≥1μm ， ≥2μm， ≥5μm, ≥10μm
更新時(shí)間:2024-11-21
日本RION氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kc-20a ( 光散射法）,測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥10μm， ≥20μm ， ≥30μm ， ≥50μm， ≥100μm
更新時(shí)間:2024-11-21
日本RION粒子計(jì)數(shù)器
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：ka-05( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器,測(cè)試粒徑（2個(gè)通道）：≥0.5μm ， ≥5.0μm
更新時(shí)間:2024-11-21
日本RIO液體粒子計(jì)數(shù)器
日本rio液體粒子計(jì)數(shù)器ke-18fx ( 光散射法）,測(cè)試粒徑（4個(gè)通道）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm，
更新時(shí)間:2024-11-21
日本RION氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion液體光學(xué)顆粒度儀 ks-42d ( 光散射法），大粒子數(shù)濃度：10 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（8個(gè)通道，出廠默認(rèn)）：≥2μm， ≥3μm ， ≥5μm ， ≥7μm, ≥10μm， ≥25μm ， ≥50μm ， ≥100μm(可選 ≥150μm）
更新時(shí)間:2024-11-21
日本RION氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion粒子計(jì)數(shù)器：kl-30ax ( 光散射法）,大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個(gè)通道，工廠標(biāo)配）：≥0.04μm， ≥0.08μm ， ≥0.1μm ， ≥0.15μm
更新時(shí)間:2024-11-21
日本理音RION氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kl-30a ( 光散射法）, 測(cè)純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：15 000 顆/l （誤差值低于10%）, 粒徑范圍（4個(gè)通道，出廠設(shè)置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時(shí)間:2024-11-21
日本理音RION 氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：kl-30b ( 光散射法）, 測(cè)純水，可打印。大粒子數(shù)濃度：200 000 顆/l （誤差值低于10%），粒徑范圍（4個(gè)通道，出廠設(shè)置）：≥0.05μm， ≥0.1μm ， ≥0.15μm ， ≥0.2μm
更新時(shí)間:2024-11-21
日本理音RION 手持式粒子計(jì)數(shù)器
日本rion 手持式粒子計(jì)數(shù)器：kc-51( 光散射方式）,大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2024-11-21
日本理音RION 手持式粒子計(jì)數(shù)器
日本rion 手持式粒子計(jì)數(shù)器：kc-52( 光散射方式）,粒徑范圍：5個(gè)通道： 0.3μm ， 0.5μm , 1.0μm , 2.0μm, 5.0μm, 大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/m³ （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2024-11-21
日本理音RION 氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-02( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（2個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2024-11-21
日本理音RION氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-03( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.3μm ， ≥0.5μm ，≥1μm ， ≥2μm ，≥5μm ，大粒子數(shù)濃度：140 000 000顆/l （誤差值低于10%）
更新時(shí)間:2024-11-21
日本理音RION氣體粒子計(jì)數(shù)器
日本rion氣體粒子計(jì)數(shù)器：ka-82( 光散射方式）,多點(diǎn)監(jiān)視用粒子計(jì)數(shù)器，測(cè)試粒徑（5個(gè)通道）：≥0.1μm ， ≥0.15μm， ≥0.2μm ， ≥0.3μm ， ≥0.5μm ，大粒子數(shù)濃度：10 000顆/l （誤差值低于5%）
更新時(shí)間:2024-11-21
綠光納鉆孔設(shè)備
玻璃去油墨設(shè)備,采用訂制紫外納激光器對(duì)玻璃表面進(jìn)行去油墨以及油墨微加工， 將產(chǎn)品損傷降至低。
更新時(shí)間:2024-11-21
美國(guó)OAI光刻機(jī)
oai 800型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng), 是半自動(dòng),four-camera、光學(xué)正面和背面光刻機(jī)。它提供其精確的(1碌m - 2 m碌)對(duì)準(zhǔn)精度,旨在大大超過(guò)任何紅外背后對(duì)準(zhǔn)器性能的一個(gè)非常有競(jìng)爭(zhēng)力的價(jià)格。通用模型800光刻機(jī)是理想的用于低產(chǎn)量、研發(fā)實(shí)驗(yàn)室和大學(xué)。
更新時(shí)間:2024-11-21
瑞士納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)機(jī)
瑞士nanofrazor 3d納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)，源于發(fā)明stm和afm的ibm蘇黎世研發(fā)中心，是其在納米加工技術(shù)的新研究成果。nanofrazor納米3d結(jié)構(gòu)直寫機(jī)第 一次將納米尺度下的3d結(jié)構(gòu)直寫工藝快速化、穩(wěn)定化。
更新時(shí)間:2024-11-21
中國(guó)nanoArch科研3D打印機(jī)
nanoarch科研3d打印機(jī)m160 ，本套系統(tǒng)創(chuàng)新地使用了自動(dòng)化的多材料送料系統(tǒng)，兼顧高精度和多材料打印，可支持同時(shí)打印4種樹(shù)脂基復(fù)合材料進(jìn)行層間或?qū)觾?nèi)多材料3d打印，適用于基礎(chǔ)理論驗(yàn)證及原理創(chuàng)新研究，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。其主要應(yīng)用在點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)材料、功能梯度材料、超材料、復(fù)合材料、復(fù)雜微流控，多材料4d打印等方面。
更新時(shí)間:2024-11-21
中國(guó)nanoArch科研3D打印機(jī)
nanoarch微納3d打印機(jī) p130/s130 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2024-11-21
中國(guó)nanoArch科研3D打印機(jī)
nanoarch 3d打印機(jī)p140/s140 ，科研3d打印系統(tǒng)，擁有10μm的超高打印精度和10μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2024-11-21
理音RION 采樣器統(tǒng)
理音rion kz-30uk采樣器，易于操作的室內(nèi)化學(xué)采樣器，當(dāng)腔體壓力過(guò)高的時(shí)候， 可以排凈空氣，防止發(fā)生故障 ，設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單的化學(xué)防爆采樣器，kz-30uk的設(shè)計(jì)是可以為 離線測(cè)試的液體粒子計(jì)數(shù)器提供加壓。
更新時(shí)間:2024-11-21
美Nano-master熱蒸鍍系統(tǒng)
美nano-master熱蒸鍍系統(tǒng)：nte-4000 獨(dú)立式電子束蒸鍍，nte-3500 緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，nte-3000 雙蒸源臺(tái)式熱蒸鍍系統(tǒng)，nte-1000 簡(jiǎn)便型熱蒸鍍。熱蒸鍍系統(tǒng)可以跟nano-master那諾-馬斯特的其它任意真空系統(tǒng)組成雙系統(tǒng)。
更新時(shí)間:2024-11-21
美Nano-master磁控濺射系統(tǒng)
美nano-master磁控濺射系統(tǒng)：nsc-4000獨(dú)立式磁控濺射系統(tǒng)，可支持共濺射等能力的擴(kuò)展nsc-3500緊湊型獨(dú)立式熱蒸鍍，可以支持金屬材料的dc濺射，介質(zhì)材料的rf濺射，以及脈沖dc濺射等應(yīng)用。nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射nsc-1000單金靶靶材的臺(tái)式濺射系統(tǒng)，不但可用于電鏡制備，也可以用于常規(guī)的金屬濺射
更新時(shí)間:2024-11-21
NANO-MASTER的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)PECVD系統(tǒng)
nano-master的等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)pecvd系統(tǒng)npe-4000,可以制造高質(zhì)量的氧化硅、氮化硅、碳納米管、金剛石和碳化硅等薄膜；蹇梢匀菁{8英寸晶圓，可通過(guò)射頻、脈沖直流或者直流電源提供偏壓，可通過(guò)熱電阻或者紅外燈加熱到800°c。ns
更新時(shí)間:2024-11-21
美NANO-MASTER電子束蒸鍍系統(tǒng)
nano-master電子束蒸鍍系統(tǒng) nee-4000，可通過(guò)樣片掩膜實(shí)現(xiàn)組合蒸鍍，并可通過(guò)電腦控制單個(gè)電子束蒸鍍的蒸鍍速率。系統(tǒng)可支持共蒸鍍功能。能夠升支持自動(dòng)上下片，以及手動(dòng)或自動(dòng)翻轉(zhuǎn)樣片實(shí)現(xiàn)雙面鍍膜。該系列的e-beam電子束蒸鍍系統(tǒng)，也可以跟磁控濺射
更新時(shí)間:2024-11-21
美NANO-MASTER IBM離子銑/IBE離子束刻蝕系統(tǒng)
ibm離子銑/ibe離子束刻蝕系統(tǒng)：nie-4000 獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nie-3500 緊湊型獨(dú)立式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nir-4000 獨(dú)立式 ibe / rie 雙刻蝕系統(tǒng)nie-3000 臺(tái)式 ibe 刻蝕系統(tǒng)nsc-3000可支持多4個(gè)靶的dc濺射或rf濺射
更新時(shí)間:2024-11-21
美Nano-master等離子清洗/灰化系統(tǒng)
nano-master等離子清洗和灰化系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于廣泛的需求，從批處理和單晶圓的光刻膠剝離到晶圓表面改性都可以涵蓋。這些系統(tǒng)通過(guò)計(jì)算機(jī)控制，可以配套不同的等離子源，加熱和不加熱的基片夾具，以及獨(dú)一無(wú)二的從等離子刻蝕切換到rie刻蝕模式的能力。$r
更新時(shí)間:2024-11-21
美Nano-master ALD/PEALD原子層沉積系統(tǒng)
美nano-master ald/peald原子層沉積：nld-4000 獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3500 緊湊型獨(dú)立式ald系統(tǒng)nld-3000 臺(tái)式ald系統(tǒng)
更新時(shí)間:2024-11-21
美國(guó)Trion批量生產(chǎn)用設(shè)備去膠系統(tǒng)
jbx-8100fs 圓形電子束光刻系統(tǒng)· 最新高精密jbx-8100fs圓形電子束光刻系統(tǒng)，通過(guò)全方位的設(shè)計(jì)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更簡(jiǎn)便的操作，更快的刻寫速度，更小的占地面積和安裝空間，并且更加綠色節(jié)能。
更新時(shí)間:2024-11-21
英國(guó)Nanobean 電子束光刻機(jī)
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2024-11-21
美Coherent 準(zhǔn)分子激光器
美coherent excistarxs準(zhǔn)分子激光器超緊湊、輕型、高度可靠的紫外線光源
更新時(shí)間:2024-11-21
英國(guó) Durham 無(wú)掩膜光刻機(jī)
nanoarch p130是科研3d打印系統(tǒng)，擁有2μm的超高打印精度和5μm的超低打印層厚，從而實(shí)現(xiàn)超高精度的樣件制作，非常適合高校和研究機(jī)構(gòu)用于科學(xué)研究及應(yīng)用創(chuàng)新。
更新時(shí)間:2024-11-21
美國(guó) OAI 光功率計(jì)
the oai solar energy meter measures solar simulator irradiance in "sun" units, for example, with one sun equaling 1000 w/m2 at 25 °c at airmass 1.5 global conditions.
更新時(shí)間:2024-11-21
美國(guó) OAI 型UV光源
30型uv光源是高效的，可用于各種應(yīng)用。光由橢圓形反射器收集并聚焦在積分/聚光透鏡陣列上，以在曝光平面產(chǎn)生均勻的照明。這種紫外光源提供多種光束尺寸，最大24英寸平方，輸出光譜范圍從220 nm到450 nm，使用適當(dāng)?shù)臒簦òǎ。輸出功率范圍?00瓦到5千瓦。所有oai uv光源都易于配備快速更換過(guò)濾器組件，使用戶能夠輕松定制輸出光譜？蛇x配遠(yuǎn)程排氣風(fēng)扇。
更新時(shí)間:2024-11-21
美國(guó) OAI 實(shí)驗(yàn)室用手動(dòng)曝光機(jī)
oai 200型光刻機(jī)是一種具有成本效益的高性能掩模對(duì)準(zhǔn)器，采用經(jīng)過(guò)行業(yè)驗(yàn)證的組件，使oai成為光刻設(shè)備行業(yè)的導(dǎo)者。 200型是臺(tái)式面罩對(duì)準(zhǔn)器，需要小的潔凈室空間。它為研發(fā)，或有限規(guī)模，試點(diǎn)生產(chǎn)提供了經(jīng)濟(jì)的替代方案。利用創(chuàng)新的空氣軸承/真空吸盤調(diào)平系統(tǒng)，襯底快速平穩(wěn)地平整，用于平行光掩模對(duì)準(zhǔn)和在接觸曝光期間在晶片上的均勻接觸。該系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)一微米分辨率和對(duì)準(zhǔn)精度。
更新時(shí)間:2024-11-21
美國(guó) OAI 型光學(xué)正面和背面光刻機(jī)系統(tǒng)
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2024-11-21
美國(guó) OAI 自動(dòng)化邊緣曝光系統(tǒng)
2012sm型自動(dòng)邊緣曝光系統(tǒng)為使用標(biāo)準(zhǔn)陰影掩模技術(shù)的邊緣珠去除提供了一種經(jīng)濟(jì)高效的方法。 設(shè)計(jì)用于容納8“到300mm的晶片，該工具具有自動(dòng)foup裝載。 掩模和基材切換可以快速且容易地實(shí)現(xiàn)，從而增加該生產(chǎn)工具的通用性和高產(chǎn)量。
更新時(shí)間:2024-11-21
美國(guó) OAI 邊緣曝光系統(tǒng)
兩種型號(hào)的2000型曝光系統(tǒng)包括uv光源，強(qiáng)度控制電源和機(jī)器人襯底處理子系統(tǒng)。 uv光源提供發(fā)散半角<2.0％的可調(diào)強(qiáng)度光束。電源從200w到2,000w。強(qiáng)度控制器傳感器直接連接到光源，用于精確的強(qiáng)度監(jiān)控。機(jī)器人襯底處理系統(tǒng)是微處理器控制的，并且可以被編程以適應(yīng)各種各樣的襯底尺寸。
更新時(shí)間:2024-11-21
美國(guó) OAI 光刻機(jī)
oai 5000e型大面積掩光刻機(jī)是一種先進(jìn)的高性能，全自動(dòng)掩模對(duì)準(zhǔn)器和曝光工具，可為大型平板應(yīng)用提供超精密，頂，亞微米對(duì)準(zhǔn)和分辨率。 其靈活的設(shè)計(jì)允許在各種基材（圓形或方形）上印刷高達(dá)300mm或20“×20”。 曝光系統(tǒng)兼容近，中，或深紫外范圍的光刻膠，并具有計(jì)算機(jī)控制的led顯微鏡照明，在不太理想的觀察環(huán)境中觀察。
更新時(shí)間:2024-11-21
德國(guó)Eulitha 高分辨紫外光刻系統(tǒng)
phabler 100 紫外光刻機(jī)是一套低成本的光學(xué)曝光系統(tǒng)，但卻能獲得高分辨率的周期性結(jié)構(gòu)。同傳統(tǒng)的紫外曝光機(jī)類似，涂覆了光刻膠的晶片以接近方式放置在掩膜版下面，被紫外光束照射。由于eulitha公司擁有突破性的phable 曝光技術(shù)，在"phable"模式下，分辨率不再受到衍射的限制，從而曝光出亞微米的線性光柵和二維光柵（六角形和正方形），且曝光結(jié)果非常均勻，質(zhì)量很好。
更新時(shí)間:2024-11-21
瑞士 NanoFrazor 3D納米結(jié)構(gòu)高速直寫機(jī)
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2024-11-21
德國(guó) Raith 150 Two 高分辨電子束曝光系統(tǒng)
raith 150 two可實(shí)現(xiàn)亞5nm的曝光結(jié)構(gòu)，可處理8”晶元及以下樣片。環(huán)境屏蔽罩保證了系統(tǒng)的熱穩(wěn)定性，提高設(shè)備對(duì)實(shí)驗(yàn)室環(huán)境的容忍度，即使在相對(duì)糟糕的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，也能保證系統(tǒng)的正常穩(wěn)定運(yùn)行。
更新時(shí)間:2024-11-21
德國(guó)Raith Voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī)
德國(guó)raith voyager 新一代超高分辨率電子束光刻機(jī),系統(tǒng)可實(shí)現(xiàn)8英寸樣品的高速曝光。系統(tǒng)的穩(wěn)定性是非常關(guān)鍵的指標(biāo)，可保證大面積均勻曝光。該系統(tǒng)外部采用環(huán)境屏蔽罩，即使在稍差的實(shí)驗(yàn)室環(huán)境下，仍然能確保系統(tǒng)具有非常好的熱穩(wěn)定性，提高系統(tǒng)對(duì)外界環(huán)境的容忍度。
更新時(shí)間:2024-11-21
德國(guó)Raith 電子束光刻機(jī)
ebpg5150使用了155mm大小的樣品臺(tái)，采用跟ebpg5200一樣的通用光刻平臺(tái)設(shè)計(jì)，對(duì)電子束直寫應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。它可以載入不同大小的樣品,包括多片散片以及完整的硅片。
更新時(shí)間:2024-11-21
德Raith 電子束光刻機(jī)
系統(tǒng)中集成了高精度的激光干涉工作臺(tái)，運(yùn)動(dòng)行程為50 x 50 x 25mm，xy方向定位精度為2nm，可以實(shí)現(xiàn)精確的拼接套刻，拼接套刻精度≤50nm。
更新時(shí)間:2024-11-21
URE-2000B 型紫外單面光刻機(jī)
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，曝光面積：100mmx100mm，分辨力：0.8μm（膠厚 2μm 的正膠）
更新時(shí)間:2024-11-21
URE-2000/600 紫外單面光刻機(jī)
ure-2000/600 紫外單面光刻機(jī)，光束口徑： 650mm×650mm，對(duì)準(zhǔn)精度： ±1.5μm
更新時(shí)間:2024-11-21
無(wú)掩膜單面光刻機(jī)
ds-2000/14k 無(wú)掩膜單面光刻機(jī)，采用 dmd 作為數(shù)字掩模，像素?cái)?shù) 1024×768，采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時(shí)間:2024-11-21

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