光學(xué)平臺(tái)產(chǎn)品及廠家
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡，可選擇多種鍍膜材料，精確的膜厚控制，樣品臺(tái)控制靈活，多個(gè)樣品座，樣品室?guī)缀慰勺，寬范圍的操作壓力，緊湊、現(xiàn)代的桌上型設(shè)計(jì)，操作容易。
更新時(shí)間:2025-02-14
oai 6000 fsa 全自動(dòng)上側(cè)或后側(cè)光刻機(jī),具有完全自動(dòng)化的亞微米分辨率的頂側(cè)或背側(cè)對(duì)齊，提供無(wú)與倫比的性價(jià)比。
更新時(shí)間:2025-02-14
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，四探頭系統(tǒng)，同時(shí)使用4只換能器
更新時(shí)間:2025-02-14
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)，該系統(tǒng)同時(shí)使用8只換能器，能最大限度的確？焖賵D像采集和高效能。
更新時(shí)間:2025-02-14
ksi v1000e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，用于研發(fā)和生產(chǎn)部門(mén)檢測(cè)特大件樣品
更新時(shí)間:2025-02-14
ksi v400e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡，是實(shí)驗(yàn)室、研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)線主流機(jī)型。
更新時(shí)間:2025-02-14
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機(jī)和最多四個(gè)工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負(fù)載鎖對(duì)接，既能夠以生產(chǎn)模式運(yùn)行，也能夠作為單個(gè)系統(tǒng)獨(dú)立作業(yè)。 oracle iii是市場(chǎng)上最靈活的系統(tǒng)，既可以為實(shí)驗(yàn)室環(huán)境進(jìn)行配置(使用單基片裝卸)，也可以為批量生產(chǎn)進(jìn)行配置(使用真空盒升降機(jī)進(jìn)行基片傳送)。
更新時(shí)間:2025-02-14
titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動(dòng)化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強(qiáng)型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置。可對(duì)單個(gè)基片或帶承片盤(pán)的基片(3”-300mm)進(jìn)行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價(jià)格適宜且占地面積小。
更新時(shí)間:2025-02-14
美國(guó)trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺(tái)上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨(dú)特的反應(yīng)器設(shè)計(jì)可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺(tái)階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實(shí)驗(yàn)室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全，設(shè)施和工藝標(biāo)準(zhǔn)要求。
更新時(shí)間:2025-02-14
orion hdcvd 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù)，在惰性氣體進(jìn)入口安裝感應(yīng)線圈，周?chē)贾锰沾晒堋Ｉ漕l創(chuàng)建等離子體,通過(guò)氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當(dāng)惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時(shí)，會(huì)發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時(shí)間:2025-02-14
德zeiss sigma sem 電子束直寫(xiě)儀,利用曝光抗蝕劑，采用電子束直接曝光，可在各種襯底材料表面直寫(xiě)各種圖形，圖形結(jié)構(gòu)（小線寬為10mm），是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件，光子晶體，低維半導(dǎo)體等沿域。
更新時(shí)間:2025-02-14
俄羅斯 optosystem 準(zhǔn)分子激光器：cl7000, 準(zhǔn)分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器，由于波長(zhǎng)短（紫外），短脈沖寬度，高脈沖能量，是激光器家族不可替代的品種！應(yīng)用上，準(zhǔn)分子激光器在脈沖沉積鍍膜（pld），光纖光柵刻寫(xiě)，lasik，光刻，微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
更新時(shí)間:2025-02-14
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺(tái),提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時(shí)間:2025-02-14
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機(jī)meb550sl3，可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜，目全球主要超導(dǎo)量子實(shí)驗(yàn)室均使用該設(shè)備制備超導(dǎo)al結(jié)（量子比特和約瑟夫森結(jié)）和量子器件，可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復(fù)性超導(dǎo)結(jié)。
更新時(shí)間:2025-02-14
美arradiance 臺(tái)式三維原子沉積系統(tǒng)ald，在小巧的機(jī)身（78 x56 x28 cm）中集成了原子層沉積所需的所有功能，可最多容納9片8英寸基片同時(shí)沉積。gemstar xt全系配備熱壁，結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱，管路加熱，橫向噴頭等設(shè)計(jì)，使溫度均勻性高達(dá)99.9%，氣流對(duì)溫度影響減少到0.03%以下。
更新時(shí)間:2025-02-14
德國(guó) sentech pe-ald 等離子體增強(qiáng)--原子層沉積系統(tǒng)，是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過(guò)在工藝循環(huán)過(guò)程中在真空腔室分步加入置物實(shí)現(xiàn)。等離子增強(qiáng)原子層沉積（peald）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來(lái)增強(qiáng)ald性能的先進(jìn)方法。
更新時(shí)間:2025-02-14
德國(guó) sentech si 500 d 等離子沉積機(jī)，具有特殊的等離子體特性，如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時(shí)間:2025-02-14
德國(guó)sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機(jī),。它是基于平面電容耦合等離子體源，真空加載鎖定，控溫基片電，可選配低頻混頻，全控?zé)o油真空系統(tǒng)采用先進(jìn)的森泰克控制軟件，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)，具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時(shí)間:2025-02-14
pecvd depolab 200 等離子體沉積機(jī),將平行板等離子體源設(shè)計(jì)與直接負(fù)載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機(jī)、低頻電源和額外的燃?xì)夤艿馈?/div>
更新時(shí)間:2025-02-14
sentech etchlab200 經(jīng)濟(jì)型反應(yīng)離子刻蝕機(jī)(可升級(jí))，包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
更新時(shí)間:2025-02-14
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機(jī)是一種將rie平行板電設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)與直接負(fù)載的低成本設(shè)計(jì)相結(jié)合的直接負(fù)載等離子體蝕刻機(jī)系列。etchlab 200具有簡(jiǎn)單快速的樣品加載功能，從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時(shí)間:2025-02-14
entech rie si591 平板電容式反應(yīng)離子刻蝕機(jī)，兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝；小型化和高度模塊化；sentech控制軟件
更新時(shí)間:2025-02-14
德國(guó)sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機(jī)，代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢(shì)。它以ptsa等離子體源、動(dòng)態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進(jìn)的sentech 控制軟件為基礎(chǔ)，采用遠(yuǎn)程現(xiàn)場(chǎng)總線技術(shù)，為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。
更新時(shí)間:2025-02-14
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng)，感應(yīng)耦合等離子刻蝕機(jī)臺(tái)，低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕，高速率刻蝕，內(nèi)置icp等離子源，動(dòng)態(tài)溫控。
更新時(shí)間:2025-02-14
ure-2000系列紫外單面光刻機(jī)，主要型號(hào)有：ure-2000a，ure-2000b，ure-20000/35,ure-20000/35a，ure-2000/25,ure-2000/17.由中國(guó)科學(xué)院制造生產(chǎn)。
更新時(shí)間:2025-02-14
ure-2000/a8 紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)。曝光面積： 200mm×200mm
更新時(shí)間:2025-02-14
ure-2000a 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：150mmx150mm
更新時(shí)間:2025-02-14
ure-2000b 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：100mmx100mm
更新時(shí)間:2025-02-14
ure-2000/35 型紫外單面光刻機(jī)，中科院設(shè)計(jì)生產(chǎn)，曝光面積：4 英寸 ，非常適合工廠（效率高，操作傻瓜型，自動(dòng)化程度高）和高校教學(xué)科研 （可靠性好，演示方便） 。
更新時(shí)間:2025-02-14
芬蘭 picosun r-200標(biāo)準(zhǔn)型ald,為液體、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長(zhǎng)顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個(gè)獨(dú)立的，完全分離的源入口匹配多種類(lèi)型的前驅(qū)源。
更新時(shí)間:2025-02-14
德國(guó) picosun p-1000 pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī),156 mm x 156 mm硅片800～1000片/批次（雙面/背對(duì)背）,高達(dá)400 mm x 600 mm玻璃基板30～50片/批次（雙面/背對(duì)背）,(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝.
更新時(shí)間:2025-02-14
picosun p-300 advanced ald 高級(jí)型原子層沉積機(jī).156 mm x 156 mm硅片50～100片/批次（雙面/背對(duì)背），高達(dá)300 mm x 300 mm玻璃基板10～20片/批次（雙面/背對(duì)背）；roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動(dòng)轉(zhuǎn)載，用工業(yè)機(jī)器人實(shí)現(xiàn),標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝 .
更新時(shí)間:2025-02-14
picosun p-300b advanced ald 高級(jí)原子沉積機(jī),基片尺寸和類(lèi)型 300mm晶圓10片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）,200mm晶圓25+2片/批次（標(biāo)準(zhǔn)間距）,(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備驗(yàn)收標(biāo)準(zhǔn)為 al2o3 工藝.
更新時(shí)間:2025-02-14
p-300s 生產(chǎn)線型原子層沉積機(jī),最大300mm晶圓/單片,25片晶圓盒對(duì)盒式全自動(dòng)裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™ 300集群系統(tǒng)實(shí)現(xiàn),尺寸：(w x h x d) 160 cm x 80 cm x 240 cm
更新時(shí)間:2025-02-14
p-300f,p-300bv 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī)，p-300f pro: 27片晶圓盒對(duì)盒式全自動(dòng)裝載（cassette-to-cassette），用picoplatform™200集群系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)。p-300bv pro: 52片晶圓盒對(duì)盒式全自動(dòng)裝載，用真空批量load lock實(shí)現(xiàn)。
更新時(shí)間:2025-02-14
picosun p-200s pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機(jī) ，襯底尺寸和類(lèi)型： 。50 – 200 mm /單片 。156 mm x 156 mm 太陽(yáng)能硅片 。150 mm x 150 mm 顯示面板
更新時(shí)間:2025-02-14
芬蘭picosun™ r-200高級(jí)型 ald，襯底尺寸和類(lèi)型 ： 。50-200 mm /單片 。156 mm x 156 mm太陽(yáng)能硅片 。3d復(fù)雜表面襯底 。粉末與顆粒 。roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm 。多孔，通孔，高深寬比（har）樣品
更新時(shí)間:2025-02-14
picosun™ r-200標(biāo)準(zhǔn)型原子層沉積機(jī)，picosun™ r系列設(shè)備提供高質(zhì)量ald薄膜的沉積技術(shù)，并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性，包括最具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。 我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學(xué)物提供的更高級(jí)的，易更換的前驅(qū)源系統(tǒng)，能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長(zhǎng)顆粒度最小的薄膜層。
更新時(shí)間:2025-02-14
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機(jī),是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
更新時(shí)間:2025-02-14
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機(jī),是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
更新時(shí)間:2025-02-14
plasmapro 80 icpcvd 牛津icp等離子沉積機(jī)，是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開(kāi)式系統(tǒng)，可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝性能。直開(kāi)式設(shè)計(jì)可實(shí)現(xiàn)快速晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過(guò)優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高性能工藝。
更新時(shí)間:2025-02-14
牛津oxford system 100 等離子刻蝕與沉積設(shè)備,該設(shè)備是一個(gè)靈活和功能強(qiáng)大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備,具有工藝靈活性，適用于化合物半導(dǎo)體，光電子學(xué)，光子學(xué)，微機(jī)電系統(tǒng)和微流體技術(shù).
更新時(shí)間:2025-02-14
plasmapro 80 icp 英國(guó)牛津oxford 等離子體刻蝕機(jī),是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開(kāi)式系統(tǒng)，可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置，便于使用，且能夠確保工藝質(zhì)量。直開(kāi)式設(shè)計(jì)允許快速的進(jìn)行晶圓裝卸，是科學(xué)研究、原型設(shè)計(jì)和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設(shè)備通過(guò)優(yōu)化了的電冷卻技術(shù)和出色的襯底溫度控制來(lái)實(shí)現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結(jié)果。
更新時(shí)間:2025-02-14
牛津opal開(kāi)放式樣品載入ald設(shè)備，緊湊型開(kāi)放式樣品載入原子層沉積（ald）系統(tǒng)，opal提供了業(yè)的熱ald設(shè)備，可以簡(jiǎn)單明了的升使用等離子體，使得在同一緊湊設(shè)備中集成了等離子體和熱ald。
更新時(shí)間:2025-02-14
已獲得利的高速襯底架（高達(dá)1000rpm）設(shè)計(jì)，并配備了白光光學(xué)監(jiān)視器（wlom）——更為準(zhǔn)確的實(shí)時(shí)光學(xué)薄膜控制
更新時(shí)間:2025-02-14
plasmapro 100 estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng)，旨在提供深硅蝕刻（dsie）域的全方位的靈活性以滿足微電子機(jī)械系統(tǒng)（mems）、 先進(jìn)封裝以及納米技術(shù)市場(chǎng)的各種工藝要求？紤]到研究和生產(chǎn)的市場(chǎng)發(fā)展，plasmapro 100 estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
更新時(shí)間:2025-02-14
plasmapro 100 ale 牛津原子層刻蝕機(jī)，市場(chǎng)應(yīng)用廣，包括但不限于： mems和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術(shù)。它具有足夠的靈活性，可用于研究和開(kāi)發(fā)，通過(guò)打造質(zhì)量滿足生產(chǎn)需求。
更新時(shí)間:2025-02-14
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