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DF4822晶體管特性圖示儀

DF4822晶體管特性圖示儀

● 集電極掃描電壓達(dá)到500V，最大電流達(dá)2A

● 具備交替測(cè)量顯示，可同時(shí)顯示二極管的正、反相特性

● 集電極電流范圍：10uA-0.2A/度。

● 基極電壓范圍：50mV-0.5V/度。

● 集電極電壓范圍：50mV-50V/度。

● 階梯電流范圍：5uA-10mA/級(jí)。

● 階梯電壓范圍：50mV-0.5V/級(jí)。

● 極性：正，負(fù)二檔。

● 每族級(jí)數(shù)：10級(jí)/族。

 

DF4822型圖示儀

外形尺寸

 310×138×300mm

價(jià)格 2200元
重量 10kg
特點(diǎn)
該儀器在標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體特性圖示儀基礎(chǔ)上進(jìn)行了優(yōu)化設(shè)計(jì)，具有體積小，性高，使用簡(jiǎn)便的特點(diǎn)。具有交替測(cè)量顯示功能，可同時(shí)顯示二極管的正、反相特性。低售價(jià)，性高。
主要技術(shù)參數(shù)
型號(hào)DF4822DF4810
顯示屏幕5×5cm10×10cm
集電極電流10μA～0.2A/div0.5μA～1A/div
誤差10%3%
集電極電壓50mV～50V/divVD 500V/divVC 10mV～50V/div
誤差10%5%
階梯電壓50mV～0.5V/div50mV～1V/div
誤差10%5%
階梯電流5μA～10mA/級(jí)5μA～100mA/級(jí)
誤差10%5%
集電極掃描信號(hào)范圍及容量0～20V,2A0～50V,1A0～500V,0.1A0～100V,0.5A0～500V,0.1A0～5kV,5mA0～500VAC,0.1A

XJ4832型 數(shù)字存儲(chǔ)100A半導(dǎo)體管特性圖示儀

本機(jī)是新一代數(shù)字化測(cè)量?jī)x器。采用新穎電路設(shè)計(jì)技術(shù)，通過微處理器集中控制整個(gè)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)采集、顯示、打印、存儲(chǔ)，處理人機(jī)交互信息等。具有高集成度、高性。以屏幕顯示測(cè)試檔級(jí)及用光標(biāo)測(cè)試被測(cè)器件的各種直流參數(shù)，并可將測(cè)試結(jié)果存儲(chǔ)、打印、隨時(shí)調(diào)用。本機(jī)具有友好的人機(jī)界面，有中、英文兩種語言供選擇。

    綜合的存儲(chǔ)能力
    被測(cè)器件的各種特性曲線可存儲(chǔ)在機(jī)內(nèi)，可隨時(shí)調(diào)用。并可同時(shí)顯示二簇特性曲線，便于用戶對(duì)被測(cè)器件的比較和配對(duì)。
    自動(dòng)光標(biāo)測(cè)量
    提供自動(dòng)光標(biāo)測(cè)量功能，通過屏幕顯示測(cè)試值、β、Gfs。
    應(yīng)用范圍廣
    最大測(cè)試電流(IC)達(dá)100A，最大測(cè)試電壓(VC)達(dá)1000V，并且階梯電壓(VB)具有Δ VB±l0V偏置電壓，除滿足一般二端、三端半導(dǎo)體器件測(cè)試以外，特別適宜大功率VMOS、IGBT管等場(chǎng)控器件的測(cè)試。
    友好的人機(jī)操作界面
    采用8英寸彩色LCD顯示系統(tǒng)，并具有中、英文兩種語言選擇，最大方便用戶的控制操作。
集電極掃描信號(hào)
 
輸出電壓范圍及電流最大容量：
0-10V 100A 0-50V 10A 0-200V 0.25A 0-1000V 0.05A
集電極掃描信號(hào)工作方式
 
 
自動(dòng)：0．5S、1S、2S 手動(dòng)：?jiǎn)未?/div>
功耗限制電阻：
0-500k Ω，按1、2、5進(jìn)制共12檔
基極階梯信號(hào)
 
階梯電流(IB)：
2μA／級(jí)-1A／級(jí)，按1、2、5進(jìn)制共18檔
階梯電壓(VB)：
50mV／級(jí)-2V／級(jí)，按1、2、5進(jìn)制共5檔
階梯偏置電壓(Δ VB)：
±10V
Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)
 
集電極電流（IC）：10μA/div-10A/div，按1、2、5進(jìn)制共19檔
X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)
 
集電極電壓(VC)：50mV/div-100V/div，按1、2、5進(jìn)制共11檔
基極電壓(VB)： 50mV/div-2V/div，按1、2、5進(jìn)制共6檔
屏幕顯示 水平X： 顯示V／div
垂直Y： 顯示A／div
階梯S： 顯示A／級(jí)、V／級(jí)、階梯偏置電壓
轉(zhuǎn)換因子： β、Gfs
掃描電壓： 顯示掃描電壓峰值輸出百分比
功耗電阻： 電阻值
顯示系統(tǒng)
顯示類型： 8英寸彩色液晶顯示器
顯示分辨率： 640×480
顯示對(duì)比度： 可調(diào)
—般性能
使用電源： AC 220V/50Hz
視在功率： 最大功率約400W
外形尺寸： 325B×395H×630Dmm
重量：約28kg

聯(lián)系我們：http://www.1718sh.com    電話：021-51575232 51575252     傳真：021-51575133     地址：上海市中山西路2281號(hào)徐匯晶典大廈15樓

CA4810A圖示儀

CA4810A半導(dǎo)體管圖示儀是一種用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線的儀器，并可測(cè)量低頻靜態(tài)參數(shù)。是從事半導(dǎo)體管研究制造及無線電領(lǐng)域工作者的一種必不可少的儀器。 產(chǎn)品特性
  • 集電極功耗電源電壓范圍：0～500V電流范圍：0.1A～10A功耗電阻：0～500kΩ分11檔
  • 階梯電壓范圍：0.05V/級(jí)～2V/級(jí)
  • 具有雙簇顯示功能
  • 特有場(chǎng)效應(yīng)管配對(duì)和測(cè)試功能
  • 5kV高壓測(cè)試臺(tái)
產(chǎn)品附件
  • 用戶使用手冊(cè)
  • 高壓測(cè)試臺(tái)（選配）
  • 電源線
  • 合格證
該公司產(chǎn)品分類： 可編程直流電源 安規(guī)測(cè)試儀 晶體管特性圖示以 電參數(shù)測(cè)試儀 LCR數(shù)字電橋 電子負(fù)載 示波器

YB6600半導(dǎo)體特性圖示儀、誼邦電子圖示儀、分立器件圖示儀

一、YB6600誼邦電子半導(dǎo)體特性圖示儀特點(diǎn)

1.  曲線基于計(jì)算機(jī)顯示
2.  多種器件的多種曲線
3.  數(shù)據(jù)點(diǎn)是可控的
4.  增量可以是線性或?qū)?shù)
5.  可控的關(guān)斷時(shí)間，以減小器件發(fā)熱
6.  可保存和調(diào)用曲線程序
7.  保存和調(diào)用先前捕獲的曲線圖片
8.  完全自動(dòng)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)到excel
9.  預(yù)置最大電壓和最大電流限制防止器件損壞和發(fā)熱
10. 存儲(chǔ)/調(diào)用測(cè)試程序
11. 多樣的連續(xù)曲線
12. 在測(cè)試程序中的電流限制
13. 使用方便
①選擇曲線 ②輸入范圍 ③按下啟動(dòng)
14. 使用高速ATE系統(tǒng)生成曲線
二、YB6600誼邦電子半導(dǎo)體特性圖示儀系統(tǒng)指標(biāo)
a-k 極間加壓范圍:                   ±2.500mv－－2000v  
a-k 極間測(cè)流范圍:                   ±100pa－－49.90a      
a-k 極間加流范圍:                   ±100na－－49.90a   
a-k 極間測(cè)壓范圍:                   ±2.500mv－－2000v 
g-k 極間加壓范圍:                   ±2.500mv－－20v   
g-k 極間測(cè)流范圍:                   ±100pa－－10a        
g-k 極間加流范圍:                   ±100na－－10a      
g-k 極間測(cè)壓范圍:                   ±2.500mv－－20v
a-k 極間加/測(cè)壓精度:              1%+10mv
a-k 極間加/測(cè)流精度:              1%+10na+20pa/v
g-k 極間加/測(cè)壓精度:             1%+5mv
g-k 極間加/測(cè)流精度:              1%+10na+20pa/v
電參數(shù)測(cè)試重復(fù)性：                  2%
最大電壓分辨率:                      1mv
最大電流分辨率:                      0.1na
三、YB6600誼邦電子半導(dǎo)體特性圖示儀可實(shí)現(xiàn)曲線（13類器件32種曲線）
1、mosfet（n-channel＆p- channel）（金屬-氧化物-半導(dǎo)體 場(chǎng)效應(yīng)管）
id vs vds （在vgs范圍內(nèi)）
id vs vgs （在一個(gè)固定的id）
is vs vsd
rds vs vgs （在一個(gè)固定的vds）
rds vs id （在vgs范圍內(nèi)）
2、晶體管（transisitor）
hfe vs ic
bvce（o.s.r.v） vs ic
bvebo vs ie
bvcbo vs ic
vce（sat）（在一定的ic/ib比率）
vce（sat） vs ib（在ic的范圍內(nèi)）
vbe（sat） vs ib （在一定的ic/ib比率）
vbe（on） vs ic （在一定的vce）
3、igbt（n-channel＆p- channel）（絕緣柵雙極晶體管）
ic vs vce （在vge范圍內(nèi)）
ic vs vge （在一定的vce）
ices vs vce
if vs vf
4、diode （二極管）
if vs vf
ir vs vr
5、zener （穩(wěn)壓管）
if vs vf
ir vs vr
6、triac （雙向可控硅）
it vs vt（+/-）  （在一個(gè)固定的ig）
7、scr （單項(xiàng)可控硅）
it vs vtm （在一個(gè)固定的ig）
8、ssvop（固態(tài)過壓保護(hù)器）
it vs vt（+/-）  （在一個(gè)固定的ibo）
9、sidac（高壓觸發(fā)二極管）
it vs vt（+/-）  （在一個(gè)固定的ibo）
10、diac（雙向觸發(fā)二極管）
id vs vf（+/-）
11、regulator（穩(wěn)壓器）
electronic load vs v out（在一個(gè)固定最大電流）
12、j-fet（（n-channel＆p- channel）） （結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管）
id（off） vs vds（在vgs范圍內(nèi)）
id（off） vs vgs（在一個(gè)固定的vds）
id（on） vs vds（在vgs范圍內(nèi)）
id（on） vs vgs（在一個(gè)固定的vds）
13、curve tracer mode only（曲線跟蹤模式）
ic vs vce（在一個(gè)固定的ib）

 

該公司產(chǎn)品分類： 功率器件測(cè)試儀 半導(dǎo)體測(cè)試儀 測(cè)試儀 圖示儀

海門XJ4822讀出半導(dǎo)體管特性圖示儀珠海CA4810A半導(dǎo)體管特性圖示儀珠海

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:WQ4832晶體管特性圖示儀WQ4832型晶體管特性圖示儀WQ4832型晶體管特性圖示儀采用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線。本儀器具有二簇曲線顯示，雙向集電極掃描功能，可以對(duì)被測(cè)半導(dǎo)體器件的特性進(jìn)行對(duì)比分析，便于晶體管的配對(duì)。設(shè)有5kV高壓裝置。本儀器適用于各種半導(dǎo)體三極管、二極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、穩(wěn)壓二極管、及三端穩(wěn)壓器等器件的測(cè)試。Ｙ軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)：集電極電流范圍（IC）0.5μA/div—1A/div 分２０檔　。↖R）50nA/div—1μA/div 分５檔　　基極電流或基極源電壓（　 ）0.01V/div　　外接輸入0.01V/divＸ軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)：集電極電壓范圍（VC）10mV/div—50V/div 分12檔(VD) 500V/div基極電流或基極源電壓（ ）0.01V/div外接輸入 0.01V/div階梯信號(hào)階梯電流范圍：0.5μA/級(jí)－－100mA/級(jí) 分17檔階梯電壓范圍：0.05V/級(jí)—1V/級(jí) 分5檔串聯(lián)電阻：O、10KΩ、1MΩ 分３檔每簇級(jí)數(shù)：1—10級(jí) 連續(xù)可調(diào)。每秒級(jí)數(shù)：200極性：正、負(fù)、異 分三檔。集電極掃描信號(hào)峰值電壓范圍及電流容量：0—10V檔 (10A)0—50V檔 (1A)0—100V檔 (0.5A)0—500V檔 (0.1A)0—5KV檔 (5mA)0－－500VAC檔 (0.1A)功耗限制電阻： 0~500KΩ 分11檔一般性能形式： 臥式外形尺寸：320×210×400(mm)重量： 約18kg電源電壓：220V±10%頻率： 50Hz±5%視在功率：非測(cè)試狀態(tài) 約50VA功率 約80VA1、海門XJ4822讀出半導(dǎo)體管特性圖示儀珠海CA4810A半導(dǎo)體管特性圖示儀珠海熱門搜索:CA4810A半導(dǎo)體管特性圖示儀     HM6042圖示儀     WQ4832晶體管特性圖示儀     XJ4829數(shù)字存儲(chǔ)半導(dǎo)體管特性圖示儀     QT2型大功率晶體管特性圖示儀     WQ4832晶體管圖示儀     【河北慧采科技開發(fā)有限公司】中國(guó)工業(yè)品售后服務(wù)行業(yè)500強(qiáng)★★工業(yè)行業(yè)典范品牌★★行業(yè)引領(lǐng)品牌★★7年無售后記錄★★消費(fèi)者放心滿意品牌★★撥打電話請(qǐng)告訴我產(chǎn)品訂貨號(hào)2、海門XJ4822讀出半導(dǎo)體管特性圖示儀珠海CA4810A半導(dǎo)體管特性圖示儀珠海多種型號(hào)圖片
型號(hào):RL145761XJ4829數(shù)字存儲(chǔ)半導(dǎo)體管特性圖示儀型號(hào):RL145767QT2型大功率晶體管特性圖示儀型號(hào):RL145771WQ4832晶體管圖示儀
【海門XJ4822讀出半導(dǎo)體管特性圖示儀珠海CA4810A半導(dǎo)體管特性圖示儀珠海一共有★★30★★多種型號(hào)以上只顯示1-3種型號(hào)，如沒有合適您的產(chǎn)品請(qǐng)咨詢 河北慧采科技開發(fā)有限公司】3、海門XJ4822讀出半導(dǎo)體管特性圖示儀珠海CA4810A半導(dǎo)體管特性圖示儀珠海多種型號(hào)內(nèi)容型號(hào):RL145761XJ4829數(shù)字存儲(chǔ)半導(dǎo)體管特性圖示儀
特點(diǎn)：
  • 采用彩色LCD顯示
  • 具有數(shù)字存儲(chǔ)功能
  • 能滿足對(duì)半導(dǎo)體管特性、三端穩(wěn)壓集成電路進(jìn)行圖示、參數(shù)測(cè)量
  • 能對(duì)模擬器件進(jìn)行分析、參數(shù)挑選、配對(duì)等
  • 半導(dǎo)體管測(cè)試單元能滿足對(duì)二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、VMOS等器件的直流參數(shù)的特性測(cè)試。
  • 具有β、gm值的自動(dòng)測(cè)量
  • 帶△Ub：    ±8V
  • 二極管測(cè)試電壓達(dá)3000V
  • 具有過載保護(hù)功能，能自動(dòng)保護(hù)被測(cè)器件和測(cè)試儀器
  • 帶計(jì)算機(jī)接口(USB)
 
主要技術(shù)指標(biāo)：
 
集電極電壓：    0.05V/div～50V/div    誤差 ±3％
二極管測(cè)試電壓：   0～3000V           誤差 ±5％
基極電壓：       0.05V～1V/ div       誤差 ±3％
集電極電流：    10μA～1A/div          誤差 ±3％
集電極漏電流：      0.2μA～5μA/div    誤差 ±3％～10％
IC、IR倍率：  ×0.1
階梯電壓：       0.05V～1V/級(jí)         誤差 ±3％
階梯電流：      0.2uA～50mA/級(jí)        誤差 ±5％～7％
△Ub：    ±8V
集電極電壓檔級(jí)：0 -10V、0-50V、0 -100V、0 -500V  每檔連續(xù)可調(diào)
功耗限制電阻:   0～500KΩ             誤差 ±10％
 
一般性能指標(biāo)
 
  使用電源     AC 220V/50Hz
  視在功率     80VA
  外形尺寸     300B×360H×530Dmm
   重    量     19kg
欄目頁面:http://www.runlian365.com/chanpin/9992.html圖示儀來源網(wǎng)址:http://www.runlian365.com/chanpin/did-145761-pid-9992.htmlXJ4829數(shù)字存儲(chǔ)半導(dǎo)體管特性圖示儀型號(hào):RL145767QT2型大功率晶體管特性圖示儀

產(chǎn)品簡(jiǎn)介:QT2型大功率晶體管特性圖示儀可測(cè)量二極管、三極管的低頻直流參數(shù)，集電極電流超過50A，能滿足500VA以下器件的測(cè)試。本機(jī)附有高壓測(cè)裝置，可對(duì)5KV以下的二極管、三極管進(jìn)行擊穿電壓及反向漏電腦測(cè)試。其測(cè)試電流靈敏度可達(dá)0.5μ/div。

集電極掃描信號(hào)

三極管

輸出電壓范圍

電流容量

0～10V

50A（脈沖階梯）

20A（平均值）

0～50V

10A（平均值）

0～100V

5A（平均值）

0～500V

0.5A（平均值）

二極管

0～5KV

5mA（）

基極階梯信號(hào)

階梯電流

1μA/級(jí)～200A/級(jí)，分17檔

階梯電壓

0.05V級(jí)～1V/級(jí)，分5檔

階梯波形

正常（100%），脈沖（10～40%）

Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)

集電極電流

1μA/div～5A/div，分21檔

二極管電流

1μA/div～500A/div，分9檔

倍率

×0.5

X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)

集電極電壓

10mV/div～50mV/div，分12檔

二極管電流

100V/div～500V/div，分3檔

一般性能

有效顯示面

10×10div(1div=0.8cm)

使用電源

AC220V/50Hz

視在功率

約80VA

 

約300VA(功率)

外形尺寸

300B×408H×520Dmm

重量

30kg

 

 

欄目頁面:http://www.runlian365.com/chanpin/9992.html圖示儀來源網(wǎng)址:http://www.runlian365.com/chanpin/did-145767-pid-9992.htmlQT2型大功率晶體管特性圖示儀型號(hào):RL145771WQ4832晶體管圖示儀

WQ4832晶體管特性圖示儀WQ4832型晶體管特性圖示儀WQ4832型晶體管特性圖示儀采用示波管顯示半導(dǎo)體器件的各種特性曲線。本儀器具有二簇曲線顯示，雙向集電極掃描功能，可以對(duì)被測(cè)半導(dǎo)體器件的特性進(jìn)行對(duì)比分析，便于晶體管的配對(duì)。設(shè)有5kV高壓裝置。本儀器適用于各種半導(dǎo)體三極管、二極管、場(chǎng)效應(yīng)管、可控硅、穩(wěn)壓二極管、及三端穩(wěn)壓器等器件的測(cè)試。Ｙ軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)：集電極電流范圍（IC）0.5μA/div—1A/div 分２０檔　。↖R）50nA/div—1μA/div 分５檔　　基極電流或基極源電壓（　 ）0.01V/div　　外接輸入0.01V/divＸ軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)：集電極電壓范圍（VC）10mV/div—50V/div 分12檔(VD) 500V/div基極電流或基極源電壓（ ）0.01V/div外接輸入 0.01V/div階梯信號(hào)階梯電流范圍：0.5μA/級(jí)－－100mA/級(jí) 分17檔階梯電壓范圍：0.05V/級(jí)—1V/級(jí) 分5檔串聯(lián)電阻：O、10KΩ、1MΩ 分３檔每簇級(jí)數(shù)：1—10級(jí) 連續(xù)可調(diào)。每秒級(jí)數(shù)：200極性：正、負(fù)、異 分三檔。集電極掃描信號(hào)峰值電壓范圍及電流容量：0—10V檔 (10A)0—50V檔 (1A)0—100V檔 (0.5A)0—500V檔 (0.1A)0—5KV檔 (5mA)0－－500VAC檔 (0.1A)功耗限制電阻： 0~500KΩ 分11檔一般性能形式： 臥式外形尺寸：320×210×400(mm)重量： 約18kg電源電壓：220V±10%頻率： 50Hz±5%視在功率：非測(cè)試狀態(tài) 約50VA功率 約80VA

欄目頁面:http://www.runlian365.com/chanpin/9992.html圖示儀來源網(wǎng)址:http://www.runlian365.com/chanpin/did-145771-pid-9992.htmlWQ4832晶體管圖示儀溫馨提示：潤(rùn)聯(lián)為您提供產(chǎn)品的詳細(xì)產(chǎn)品價(jià)格、產(chǎn)品圖片等產(chǎn)品介紹信息，您可以直接聯(lián)系廠家獲取產(chǎn)品的具體資料，聯(lián)系時(shí)請(qǐng)說明是在潤(rùn)聯(lián)看到的，并告知型號(hào)
該公司產(chǎn)品分類： 泵閥 勞保 五金 儀器 機(jī)械

YB-580半導(dǎo)體圖示系統(tǒng) 晶體管圖示儀 分立器件測(cè)試儀 IGBT測(cè)試儀

  產(chǎn)品介紹

    YB580 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)測(cè)試系統(tǒng)（以下簡(jiǎn)稱 YB580 測(cè)試系統(tǒng)）符合:國(guó)際電工委員會(huì) IEC 60747-9-2001 規(guī)范,符合國(guó)標(biāo) GB/T17007-1997 規(guī)范。YB580 測(cè)試系統(tǒng)是本公司推出的一種先進(jìn)的 IGBT 測(cè)試系統(tǒng)。適合研究所、生產(chǎn)企業(yè)做元器件篩選檢驗(yàn)，IGBT 生產(chǎn)廠用做生產(chǎn)測(cè)試，院校做測(cè)試分析。

系統(tǒng)可擴(kuò)展性強(qiáng)，通過選件可以提高電壓、電流的測(cè)試能力,自動(dòng)快速測(cè)試可以滿足用戶大生產(chǎn)需要，故障率低也保證了用戶的生產(chǎn)效率。在 PC 窗口提示下輸入被測(cè)器件的測(cè)試參數(shù)即可完成填表編程，操作人員不需具備專業(yè)計(jì)算機(jī)編程語言知識(shí)，使用簡(jiǎn)捷方便。系統(tǒng)采用帶有開爾文感應(yīng)結(jié)構(gòu)的測(cè)試插座，自動(dòng)補(bǔ)償由于系統(tǒng)內(nèi)部及測(cè)試電纜長(zhǎng)度引起的任何壓降，保證各種情況下測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確可靠。系統(tǒng)面板的顯示裝置能夠及時(shí)顯示系統(tǒng)的各種工作狀態(tài)和測(cè)試結(jié)果。系統(tǒng)提供與機(jī)械手、探針臺(tái)、電腦的連接接口，可以支持各種不同輔助設(shè)備的相互連接使用。

基本配置

 1、主極電壓：  0－－2000V ；     2、電壓分辨率：1mV；     3、主極電流：0－－-50A(100A、200A、400A、

    500A、700A、800A、1000A、1300A可選）；     4、電流分辨率：1nA ；     5、精度：0.5%+2LSB ；     6、測(cè)試速度：0.5MS/參數(shù)；

 7、可提供的選件有 3000V 陽極高壓選件。

 

序號(hào)

測(cè)試參數(shù)

別稱

序號(hào)

測(cè)試參數(shù)

別稱

1)

柵極-發(fā)射極閾值電壓

Vgeth

2)

集電極-發(fā)射極截止電流

ICES

3)

集電極－發(fā)射極擊穿電壓

BVCES

4）

集電極-發(fā)射極飽和電壓

VCESAT 

5）

柵極-發(fā)射極漏電流正向  

IGESF

6）

柵極-發(fā)射極漏電流反向

IGESR

7）

門極開通電壓 

VGEON

8）

二極管壓降

VF 

9）

通態(tài)電流  

ICON 

10）

跨導(dǎo)

GFS 

11）

導(dǎo)通電阻  

RDSON

12）

其他功率器件（MOS,晶體管等）的測(cè)試

 

技術(shù)要求

工作溫度： 25℃－－40℃

貯存溫度: -15℃－－50℃

工作濕度： 45%－－80%

貯存濕度：10%－－90%

工作電壓：200v－－240v

電源頻率：47HZ－－63HZ

接地要求：供電電源應(yīng)良好接地。

通信接口：RS232 USB

系統(tǒng)功耗：<150w

設(shè)備尺寸：450mm×570mm×280mm

該公司產(chǎn)品分類： 晶體管圖示儀

L271546 智能半導(dǎo)體管特性圖示儀

 
L271546    
產(chǎn)品名稱：
智能半導(dǎo)體管特性圖示儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)述：
EHSY Lab品質(zhì)提供的智能半導(dǎo)體管特性圖示儀，性能，能滿足您不同工 作環(huán)境的多種需求 的智能儀器：測(cè)試開關(guān)智能控制，各種控制開關(guān)測(cè)試條件可預(yù)置、測(cè)試 結(jié)果可存盤、可打印輸出，并可適用PC機(jī)顯示被測(cè)器件特性曲線； 綜合的存儲(chǔ)能力：被測(cè)器件的各種特性曲線可編輯存儲(chǔ)在機(jī)內(nèi)硬盤或軟盤中， 可隨時(shí)調(diào)用。并可同時(shí)顯示二簇特性曲線，便于用戶對(duì)被測(cè)器件的比較和配對(duì)； 自動(dòng)光標(biāo)測(cè)量：提供光標(biāo)測(cè)量方式，用CRT讀出，顯示測(cè)試檔級(jí)、測(cè)試值、β、 gm及集電極峰值電壓輸出百分比； 友好的人機(jī)界面：最大可能的方便用戶控制操作，用VGA顯示器顯示，分辨 率高； 主要技術(shù)指標(biāo)： 集電極掃描信號(hào)：輸出電壓范圍及電流容量：0～10V 50A 0～60V 5A， 0～350V 1A 0～2000V 0.1A； 基極階梯信號(hào)： 階梯電流：1μA/級(jí)～0.5A/級(jí),按1、2、5進(jìn)制共18檔； 階梯電壓：0.1V/級(jí)～2V/級(jí),按1、2、5進(jìn)制共5檔； Y軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)：集電極電流：1μA/div～5A/div,按1、2、5進(jìn)制共21檔； X軸偏轉(zhuǎn)系數(shù)：集電極電壓：50mV/div～200V/div,按1、2、5進(jìn)制共12檔； 基極電壓 0.5V/div～2V/div,按1、2、5進(jìn)制共5檔； 一般性能： 使用電源：AC 220V/50Hz； 顯示面：7英寸顯示器； 分辨率：640×480； 視在功率：約80VA（非測(cè)試狀態(tài)），約300VA（最大功率）； 外形尺寸：415B×315H×720Dmm ； 重量：約37Kg； 作為眾多知名品牌的合作伙伴，EHSY Lab以其優(yōu)良的品質(zhì)和服務(wù)來閣下 員工的職業(yè)健康，安全環(huán)境和美好未來
產(chǎn)品提示：
智能半導(dǎo)體管特性圖示儀-半導(dǎo)體特性圖示儀, 半導(dǎo)體管特性圖示儀, 晶體管圖示儀, 半導(dǎo)體管圖示儀, 管特性圖示儀, 半導(dǎo)體管參數(shù)圖示儀, 半導(dǎo)體管測(cè)試儀, 半導(dǎo)體管特性圖示儀上海, 半導(dǎo)體管特性圖示儀價(jià)格 ，EHSY西域提供的智能半導(dǎo)體管特性圖示儀-半導(dǎo)體特性圖示儀, 半導(dǎo)體管特性圖示儀, 晶體管圖示儀, 半導(dǎo)體管圖示儀, 管特性圖示儀, 半導(dǎo)體管參數(shù)圖示儀, 半導(dǎo)體管測(cè)試儀, 半導(dǎo)體管特性圖示儀上海, 半導(dǎo)體管特性圖示儀價(jià)格 ，閣下智能半導(dǎo)體管特性圖示儀-半導(dǎo)體特性圖示儀, 半導(dǎo)體管特性圖示儀, 晶體管圖示儀, 半導(dǎo)體管圖示儀, 管特性圖示儀, 半導(dǎo)體管參數(shù)圖示儀, 半導(dǎo)體管測(cè)試儀, 半導(dǎo)體管特性圖示儀上海, 半導(dǎo)體管特性圖示儀價(jià)格，作為高品質(zhì)智能半導(dǎo)體管特性圖示儀-半導(dǎo)體特性圖示儀, 半導(dǎo)體管特性圖示儀, 晶體管圖示儀, 半導(dǎo)體管圖示儀, 管特性圖示儀, 半導(dǎo)體管參數(shù)圖示儀, 半導(dǎo)體管測(cè)試儀, 半導(dǎo)體管特性圖示儀上海, 半導(dǎo)體管特性圖示儀價(jià)格 提供商，我們向全球客戶(其中也包括上海，廣州，廣東，北京，深圳，天津，蘇州，西安，東莞，成都，重慶，武漢，昆山，杭州， 南京等地)提供智能半導(dǎo)體管特性圖示儀-半導(dǎo)體特性圖示儀, 半導(dǎo)體管特性圖示儀, 晶體管圖示儀, 半導(dǎo)體管圖示儀, 管特性圖示儀, 半導(dǎo)體管參數(shù)圖示儀, 半導(dǎo)體管測(cè)試儀, 半導(dǎo)體管特性圖示儀上海, 半導(dǎo)體管特性圖示儀價(jià)格 。

CX2-4832（QT2）晶體管圖示儀，晶體管圖示儀

 CX2-4832（QT2）晶體管圖示儀

◆ 集電極電流范圍 : 0.5μA/div~ 1A/div, max10A（5v）◆ 集電極電壓范圍: 10mV/div-50V/div,max 500v◆ 階梯電流范圍:1μA/級(jí)~ 200mA/級(jí)◆ 集電極輸出電壓、電流 : 5000V（0.1A）10A（5V）

該公司產(chǎn)品分類： 其他 光電子科技產(chǎn)品 金屬探測(cè)器 勞保產(chǎn)品 工具 地質(zhì)儀器 其它 物位計(jì) 液位計(jì) 流量?jī)x表 轉(zhuǎn)速表 內(nèi)窺鏡 檢測(cè)儀/校準(zhǔn)儀 汽車檢測(cè)及外圍產(chǎn)品 多功能測(cè)試儀 驗(yàn)電器 天平 鉗形表 示波器 電纜故障測(cè)試儀

CS3100巖琦晶體管圖示儀

（一）多用途性（Versatility）

現(xiàn)代的測(cè)試設(shè)備所須的功能，必須能不被限制其最大電流及電壓之供給。目前IGBT的產(chǎn)品其電流可通過1200A及阻斷電壓可高達(dá)3300V，但不久之后IGBT的產(chǎn)品即會(huì)有達(dá)到4500V及2000A的能力。且無人可預(yù)測(cè)未來其電壓及電流可達(dá)到多少，再者，現(xiàn)今IGBT 的測(cè)試設(shè)備，也須能測(cè)試新元件MCTS （ MOS Contrlled Thyristort） 或是IGCT （Integrated Gate-Commutated Thyristor）。

因此，測(cè)試設(shè)備的評(píng)估上，須能適應(yīng)及符合未來可能的發(fā)展，其不論是硬體，如電壓電流產(chǎn)生器或軟體上。

IWATSU公司推出的CS-3000給用戶提出了最佳的解決方案

（二）操作簡(jiǎn)單（Ease of Handling）

測(cè)試設(shè)備除了上述之特色外，應(yīng)仍保持操作簡(jiǎn)單及效率佳的能力。達(dá)此目的最佳之方法即是使用者不須具備特殊訓(xùn)練即可操作此設(shè)備。如有使用晶體管特性圖示儀的用戶，操作起來會(huì)更加方便。此測(cè)試系統(tǒng)亦可經(jīng)常地改變測(cè)試的半導(dǎo)體元件的型式（通常一天數(shù)次），對(duì)新的半導(dǎo)體元作的型式其可能會(huì)須要不同的制具（jig），或是更復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)閘控制，或是一緩沖器 （Sunbber） 的保護(hù)等。因此，使用模組化系 統(tǒng)即可達(dá)到上述之需求。在一個(gè)基本的測(cè)試系統(tǒng)上，加上一些可更換的測(cè)試單元，使其可執(zhí)行不同范圍產(chǎn)品的量測(cè)。  

（三）安全性（Safety）

IGBT的測(cè)試系統(tǒng)因其可提供非常高的電壓輸出，對(duì)操作者來講是有一 潛在的危險(xiǎn)性，當(dāng)在操作高電壓及大電流時(shí)，操作員的安全性應(yīng)予以考慮，即該設(shè)備須在不同國(guó)家的規(guī)范中皆可符合其安全標(biāo)準(zhǔn)。

在執(zhí)行測(cè)試時(shí)，在危險(xiǎn)的區(qū)域應(yīng)使用滑動(dòng)式門鎖定而予以保護(hù)，所有參數(shù)皆應(yīng)設(shè)置于安全的工作區(qū)域中，所有的保護(hù)措施的控制皆應(yīng)由硬體部份來控制，而不是軟體來控制。很顯然的，在整條生產(chǎn)線上（研發(fā)測(cè)試時(shí)），時(shí)間是一個(gè)很重要的因素，因此，安全系統(tǒng)必須要很方便，而盡可能地對(duì)測(cè)試的速度影響愈小愈好。  

靜態(tài)測(cè)試（Static tests）

此測(cè)試之目的在提供元件（device）的詳細(xì)特性，讓設(shè)計(jì)者能精確地預(yù)測(cè)元件在穩(wěn)態(tài)（Steady state）情況時(shí)之行為，此可協(xié)助使用者選擇最佳的元件來用于他的應(yīng)用中，更進(jìn)一步地讓其對(duì)與半導(dǎo)體元件相連接的設(shè)備如：電壓鉗式單元，閘極驅(qū)動(dòng)，冷卻系統(tǒng)等的設(shè)計(jì)更為妥切。

（一）集射極崩潰電壓 （Collector Emitter Breakdown Voltage） VCEs 量測(cè)于特定的集極電流IC下閘極短路至射極時(shí)，跨于集、射極兩端之電壓為VcEs 如圖1, IGBT 的集射極崩潰電壓是會(huì)隨著介面（Junction）溫度增加而增加的（典型對(duì)600V之IGBT 會(huì)有0.7V/℃）

（二）集極至射極的泄漏電流IcEs ［或稱為集極的截止（Cut-off ）電流］

在額定的集射極電壓和閘射極短路下之集極電流為IcEs值（如圖2）, IcEs的量測(cè)通常在25℃及最大的工作介面（Junction）溫度，且集極泄漏電流 亦會(huì)隨介面溫度升高而增加。因此，在測(cè)試期間限制電流流過及避免 thermal升高是很重要的。

（三）集極至射極的飽和電壓   （Collector to emitter saturation voltage） VcEsat VcEsat（圖3）是在特定的集極電流，閘射極電壓及介面溫度時(shí)之集射極導(dǎo)通電壓VcEsat是相當(dāng)重要的特性，因?yàn)槠鋾?huì)決定導(dǎo)通之損失，在大的 極電流時(shí)，測(cè)試的脈沖必須非常短，如此不致有過多之損失。

（四）二極體順向電壓（Diode Forward Voltage） VF

VF（圖4）是指IGBT模組中的飛輪二極體（Freewheeling Diode）在特定電流

及介面溫度時(shí)之順向?qū)妷褐怠? 

（五）閘極臨界電壓（Gate threshold Voltage） VGeth VGeth（圖5）是指在特定集極電流及閘極短路至集極時(shí)之射極的電壓值。 當(dāng)閘射極電壓小于臨界值時(shí)IGBT是OFF狀態(tài)，因此閘極臨界電壓即是閘射極電壓使IGBT導(dǎo)通并流過特定的集極電流。VGEth是隨著介面溫度遽增而遞減的（-11mV/℃）。

（六 ）跨導(dǎo)（Transconductance） gfs

跨導(dǎo)（gfs）（圖6）是于特定集極電流時(shí)，集極電流和閘射極電壓之商數(shù) 。 跨導(dǎo)是用來表示IGBT增益的方式。由于跨導(dǎo)的量測(cè)是在清楚嚴(yán)格的特定條件下所做的兩個(gè)量測(cè)之值，因此，測(cè)試設(shè)備的精準(zhǔn)性對(duì)測(cè)試結(jié)果有很大的影向力。

第二種方法是調(diào)整閘射極電壓至特定的集射極電壓（VP）并思考下列式子：

△ VGE = △Vp

IGBT的順向跨導(dǎo)是會(huì)隨著介面溫度升高而增加的，其原因在于定閘極電壓時(shí)，增加集極電流時(shí)，因電流Thermal run-away而會(huì)使晶片溫度升高，因此IGBT 并不被建議來當(dāng)做一個(gè)線性放大器使用。  

（七）閘極至射極之泄漏電流IGEs

IGEs（圖8）是指在特定的閘射極電壓及集極短路至射極時(shí)閘極之泄漏電流 。此測(cè)試可能可以知道正或負(fù)的閘射極電壓。所量測(cè)的電流是相當(dāng)小的，因此，脈沖至少須維持一個(gè)電源周期的積分時(shí)間，避免因閘極電容吸收的電流所產(chǎn)生之誤差。此量測(cè)必須在閘極電壓穩(wěn)定后才可進(jìn)行。

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