ENJ2005-C晶體管圖示儀
系統(tǒng)特征:
● IV曲線顯示/局部放大
● 程序保護最大電流/電壓,以防損壞
● 品種繁多的曲線
● 可編程的數(shù)據(jù)點對應(yīng)
● 增加線性或?qū)?shù)
● 可編程延遲時間可減少器件發(fā)熱
● 保存和重新導入入口程序
● 保存和導入之前捕獲圖象
● 曲線數(shù)據(jù)直接導入到EXCEL
● 曲線程序和數(shù)據(jù)自動存入EXCEL
● 測試范圍廣(19大類、27分類)
曲線測試:
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V) vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE(SAT) vs. IC
VBE(SAT) vs. IC
VBE(ON) vs. IC (use VBE test)
VCE(SAT) vs. IB at a range of ICVF vs. IF
測試參數(shù):
漏電參數(shù):IR、 ICBO、 LCEO/S/X、IDSS/X、 IDOFF、 IDRM、 IRRM、ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、IGSSR、IGSS、IGKO、 IR(OPTO)
擊穿參數(shù):BVCEO、BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、 VD、BVCBO、 VDRM、 VRRM、 VBB、BVR 、VD+、VD-、BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、 BVGKO
增益參數(shù):hFE、CTR、gFS
導通參數(shù):VCESAT、VBESAT、VBEON、 VF、VT、VT+、VT-、 VON、VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)、Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
關(guān)斷參數(shù):VGSOFF
觸發(fā)參數(shù):IGT、VGT
保持參數(shù):IH、IH+、IH-
鎖定參數(shù):IL、IL+、IL-
混合參數(shù):rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulation
間接參數(shù):IL
配置規(guī)格:
配置 | 規(guī)格/環(huán)境 | ||
主極電壓 | 1mV-2000V | 尺 寸 | 450×570×280(mm) |
電壓分辨率 | 1mV | 質(zhì) 量 | 35kg |
主極電流 | 0.1nA-50A | 工作電壓 | 200V-240V |
擴展電流 | 100A | 電源頻率 | 47Hz-63Hz |
電流分辨率 | 0.1nA | 工作溫度 | 25℃-40℃ |
測試精度 | 0.2%+2LSB | 通信接口 | RS232 USB |
測試速度 | 0.5mS/參數(shù) | 系統(tǒng)功耗 | <150w |
測試范圍:
01 | 二極管 / DIODE |
02 | 晶體管 / NPN型/PNP型 |
03 | J型場效應(yīng)管 / J-FET |
04 | MOS場效應(yīng)管 / MOS-FET |
05 | 雙向可控硅 / TRIAC |
06 | 可控硅 / SCR |
07 | 絕緣柵雙極大功率晶體管 / IGBT |
08 | 硅觸發(fā)可控硅 / STS |
09 | 達林頓陣列 / DARLINTON |
10 | 光電耦合 / OPTO-COUPLER |
11 | 繼電器 / RELAY |
12 | 穩(wěn)壓、齊納二極管 / ZENER |
13 | 三端穩(wěn)壓器 / REGULATOR |
14 | 光電開關(guān) / OPTO-SWITCH |
......其它器件共19大類27分類 |
價格掃頻圖示儀L0045305
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價格掃頻圖示儀L0045305 參數(shù):
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價格掃頻圖示儀L0045305 概述:
頻率范圍: 415~515kHz,10.2~11.2MHz,0.1~3MHz, 1.5~30MHz,63~110MHz輸出幅度: 100dBµ(.01Vrms)50Ω掃頻方式: 寬帶、窄帶頻標值: 在每個頻段內(nèi)任意預(yù)置頻率可變范圍: 掃頻范圍內(nèi)任意5個頻率點步進頻率: 0.1kHz,1kHz,10kHz頻標顯示: 增光式5點頻標同時顯示垂直頻響: DC~10kHz輸入阻抗: 約100kΩ標準電壓: 0.1Vp-p尺寸: 寬(W)240×高(H)320×深(D)320mm重量: 10.5kg
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XJ-4810型半導體特性圖示儀,是一種用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線,并可測量其靜態(tài)參數(shù)的測試儀器。
本儀器與其他半導體管特性圖示儀相比,具有以下特點:
1 本儀器采用全晶體管化電路、體積小、重量輕、攜帶方便。
2 增設(shè)集電極雙向掃描電路及裝置,能同時觀察二極管的正反向輸出特性曲線、簡化測試手續(xù)。
3 配有雙簇曲線顯示電路,對于中小功率晶體管各種參數(shù)的配對,尤為方便。
4 本儀器專為工作于小電流超b晶體管測試作了提高,最小階梯電流可達0.2μA/級
5 本儀器還專為測試二極管的反向漏電流采取了適當措施,使測試的IR達20nA/div。
6 本儀器配上它的擴展裝置—XJ27100場效應(yīng)管配對測試臺可對國內(nèi)外各種場效應(yīng)對管和單管進行比較測試。
7 本儀器配上它的擴展裝置—XJ27101數(shù)字集成電路電壓傳輸特性測試臺,可測試CMOS,TTL數(shù)字集成電路的電壓傳輸特性。
XJ4810型半導體管特性圖示儀,功能操作方便,它對于從事半導體管機理的研究及半導體在無線電領(lǐng)域的應(yīng)用,是一個必不可少的測試工具。
主要技術(shù)指標
2.1 Y軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)
集電極電流范圍(Ic)10μA/div-0.5A/div 分15檔,誤差不超過±3%。
二極管反向漏電流(IR)0.2μA/div-5μA/div 分5檔。
2μA/div-5μA/div 誤差不超過±3%。
0.2μA/div、0.5μA/div、1μA/div 誤差分別不超過±20%、±10、±5%
基極電流或基極源電壓 0.05V/div 誤差不超過±3%。
外接輸入 0.05V/div 誤差不超過±3%。
偏轉(zhuǎn)倍率 ×0.1 誤差不超過±(10%+10nA)。
2.2 X軸偏轉(zhuǎn)因數(shù)
集電極電壓范圍 0.05V/div—50V/div 分10檔 誤差不超過±3%
基極電壓范圍 0.05V/div—1V/div 分5檔 誤差不超過±3%。
基極電流或基極源電壓 0.05V/div 誤差不超過±3%。
外接輸入 0.05V/div 誤差不超過±3%。
2.3階梯信號
階梯電流范圍: 0.2μA/級-50mA/級 分17檔
1μA/級-50mA/級 誤差不超過±5%。
0.2μA/級、0.5μA/級 誤差不超過±7%。
階梯電壓范圍: 0.05V/級-1V/級 分5檔 誤差不超過±5%。
串聯(lián)電阻: 0、10KW、1MW 分3檔 誤差不超過±5%
每簇級數(shù); 1—10連續(xù)可調(diào)
每秒級數(shù): 200
極性: 正、負 分2檔
2.4 集電極掃描信號
峰值電壓與峰值電流容量:各檔級電壓連續(xù)可調(diào),其最大輸出不低于下表要求(AC例外)
檔級 198V 220V 242V
0—10V 檔 5A
0—50V 檔1A
0—100V 檔 0.5A
0—500V 檔 0.1A
功耗限制電阻0—0.5MW分11檔,誤差不超過±10%
項目 | YB4813 |
集電極電流范圍 | 50μA/div~2A/div,分15檔,誤差不超過±3% |
二極管反向漏電流 | 0.5μA/div~20A/div,分6檔 |
集電極電壓范圍 | 0.05V~500V/div,分10檔,誤差不超過±3% |
基極電壓范圍 | 0.05V/div~2V/div,分6檔,誤差不超過±3% |
階梯電流范圍 | 0.5μA/級~200mA/級,分18檔差不超過±5% |
階梯電壓范圍 | 0.1V/級~2V/級,分5檔 差不超過±3% |
外形尺寸及質(zhì)量 | 340H×250W×420(mm) 約18kg |
HZ4838 晶體管特性圖示儀
晶體管特性圖示儀是一種用示波管顯示半導體器件的各種特性曲線,并可測量其靜態(tài)參數(shù)的測試儀器。它功能強,操作方便,對于從事半導體管機理的研究及半導體在無線電領(lǐng)域的應(yīng)用,是必不可少的測試工具。