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光學(xué)平臺產(chǎn)品及廠家

等離子去膠機(灰化)
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機,是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設(shè)計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸,是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
更新時間:2025-04-17
牛津ICP等離子沉積機
plasmapro 80 icpcvd 牛津icp等離子沉積機,是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能夠確保工藝性能。直開式設(shè)計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸,是科學(xué)研究、原型設(shè)計和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高性能工藝。
更新時間:2025-04-17
牛津Oxford等離子刻蝕與沉積設(shè)備
牛津oxford system 100 等離子刻蝕與沉積設(shè)備,該設(shè)備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設(shè)備,具有工藝靈活性,適用于化合物半導(dǎo)體,光電子學(xué),光子學(xué),微機電系統(tǒng)和微流體技術(shù).
更新時間:2025-04-17
英國牛津OXFORD 等離子體刻蝕機
plasmapro 80 icp 英國牛津oxford 等離子體刻蝕機,是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小型且使用方便的直開式系統(tǒng),可提供多種刻蝕解決方案。 它易于放置,便于使用,且能夠確保工藝質(zhì)量。直開式設(shè)計允許快速的進行晶圓裝卸,是科學(xué)研究、原型設(shè)計和少量生產(chǎn)的理想選擇。 該設(shè)備通過優(yōu)化了的電冷卻技術(shù)和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高度穩(wěn)定的工藝結(jié)果。
更新時間:2025-04-17
牛津開放式樣品載入ALD設(shè)備
牛津opal開放式樣品載入ald設(shè)備,緊湊型開放式樣品載入原子層沉積(ald)系統(tǒng),opal提供了業(yè)的熱ald設(shè)備,可以簡單明了的升使用等離子體,使得在同一緊湊設(shè)備中集成了等離子體和熱ald。
更新時間:2025-04-17
牛津離子束刻蝕機
已獲得利的高速襯底架(高達1000rpm)設(shè)計,并配備了白光光學(xué)監(jiān)視器(wlom)——更為準(zhǔn)確的實時光學(xué)薄膜控制
更新時間:2025-04-17
牛津深硅刻蝕系統(tǒng)
plasmapro 100 estrelas牛津深硅刻蝕系統(tǒng),旨在提供深硅蝕刻(dsie)域的全方位的靈活性以滿足微電子機械系統(tǒng)(mems)、 先進封裝以及納米技術(shù)市場的各種工藝要求?紤]到研究和生產(chǎn)的市場發(fā)展,plasmapro 100 estrelas 提供了更加出色的工藝靈活性。
更新時間:2025-04-17
牛津原子層刻蝕機
plasmapro 100 ale 牛津原子層刻蝕機,市場應(yīng)用廣,包括但不限于: mems和傳感器、光電子、分立元器件和納米技術(shù)。它具有足夠的靈活性,可用于研究和開發(fā),通過打造質(zhì)量滿足生產(chǎn)需求。
更新時間:2025-04-17
英國HHV 適合手套箱集成的真空鍍膜系統(tǒng)
英國hhv auto500 gb 適合手套箱集成的真空鍍膜系統(tǒng),是門設(shè)計用于手套箱集成使用的鍍膜設(shè)備,滿足氧氣或水汽敏感的材料鍍膜的應(yīng)用要求。該系統(tǒng)配了一個特殊結(jié)構(gòu)的真空腔室,可直接與市場上大多數(shù)手套箱集成到一起。真空腔室的門可豎直滑動開關(guān),嵌入手套箱內(nèi),并占用很少的手套箱空間;其后門是鉸鏈扇式開關(guān),能在不影響手套箱內(nèi)氣氛的情況下輕松維護腔室內(nèi)工藝組件。
更新時間:2025-04-17
英國HHV  科研工作者和電子顯微學(xué)家的多功能鍍膜設(shè)備
英國hhv auto 306 科研工作者和電子顯微學(xué)家的多功能鍍膜設(shè)備,是一種多功能的緊湊型鍍膜設(shè)備,設(shè)計用于滿足科研工作者和電子顯微學(xué)家的需求。auto306可配備各種真空系統(tǒng)、真空腔室和標(biāo)準(zhǔn)化工藝附件,提供一系列實驗技術(shù)以滿足現(xiàn)代化實驗室的需要。
更新時間:2025-04-17
英國HHV適合先進研發(fā)和試生產(chǎn)的全功能系統(tǒng)
tf500/tf600 適合先進研發(fā)和試生產(chǎn)的全功能系統(tǒng),系統(tǒng)配置可選擇多種腔室尺寸和工藝附件,以精確的符合用戶需求。這兩個型號的系統(tǒng)都可以安裝多個鍍膜源,也都支持離子束處理選項。有一系列預(yù)進樣室(load lock)和樣品操縱裝置可供選擇,以提高真空鍍膜效率。
更新時間:2025-04-17
德國 PVA TePla 等離子去膠機
ion 100wb-40q 德國 pva tepla 等離子去膠機,最新推出的具有高性價比的真空等離子去膠設(shè)備,配備了一個圓筒石英腔,特別適用于半導(dǎo)體、led、mems等領(lǐng)域的光刻膠灰化、打殘膠、氮化物刻蝕、表面清潔等應(yīng)用的批次處理。
更新時間:2025-04-17
美國TED 高分辨離子濺射儀
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發(fā)射掃描電鏡,可選擇多種鍍膜材料,精確的膜厚控制,樣品臺控制靈活,多個樣品座,樣品室?guī)缀慰勺儯瑢挿秶牟僮鲏毫Γo湊、現(xiàn)代的桌上型設(shè)計,操作容易。
更新時間:2025-04-17
全自動上側(cè)或后側(cè)光刻機
oai 6000 fsa 全自動上側(cè)或后側(cè)光刻機,具有完全自動化的亞微米分辨率的頂側(cè)或背側(cè)對齊,提供無與倫比的性價比。
更新時間:2025-04-17
德國KSI 四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng),四探頭系統(tǒng),同時使用4只換能器
更新時間:2025-04-17
德國 KSI 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng),該系統(tǒng)同時使用8只換能器,能最大限度的確?焖賵D像采集和高效能。
更新時間:2025-04-17
KSI 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v1000e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡,用于研發(fā)和生產(chǎn)部門檢測特大件樣品
更新時間:2025-04-17
德國KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v700e 單探頭超聲波掃描顯微鏡,用于檢測大件樣品
更新時間:2025-04-17
德國 KSI  單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v400e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡,是實驗室、研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)線主流機型。
更新時間:2025-04-17
德國 KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v300e 單探頭超聲波掃描顯微鏡,掃描機械機構(gòu)
更新時間:2025-04-17
德國Sentech光伏測量儀
德國sentech光伏測量儀mdpmap,靈活的自動掃描系統(tǒng),是專為半導(dǎo)體晶片或部分工藝過的晶片的多功能、非接觸和少子壽命測量而設(shè)計的。mdpmap能夠連續(xù)地改變激發(fā)脈沖寬度,從非常短的脈沖(100ns)到穩(wěn)態(tài)測量(幾ms),研究不同深度的缺陷動力學(xué)和少子壽命特性。直觀的繪圖軟件適用于有效的常規(guī)測量以及復(fù)雜的研發(fā)應(yīng)用。
更新時間:2025-04-17
接觸角測量儀
100s接觸角測量儀是采用光學(xué)成像的原理,通過圖像輪廓分析方式測量樣品表面接觸角、潤濕性能、表界面張力、表面能等性能,設(shè)備性價比高、功能全面、可滿足各種常規(guī)測量需要。
更新時間:2025-04-17
德國KRUSS標(biāo)準(zhǔn)型DSA25接觸角測量儀
德國kruss標(biāo)準(zhǔn)型dsa25接觸角測量儀,接觸角測量范圍:0-180,接觸角測量精度:±0.10,表界面張力測量范圍:0-1000mn/m;測量精度:0.01 mn/m
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000 系列紫外單面光刻機此系列包含六種型號:ure-2000a,ure-2000b,ure-2000/35,ure-2000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17
更新時間:2025-04-17
紫外雙面光刻機
ure-2000s 系列雙面光刻機,對準(zhǔn)精度:±2 mm(雙面,片厚 0.8mm),±0.8mm(單面)
更新時間:2025-04-17
URE-2000B 型紫外單面光刻機
ure-2000b 型紫外單面光刻機,曝光面積:100mmx100mm,分辨力:0.8μm(膠厚 2μm 的正膠)
更新時間:2025-04-17
URE-2000/600 紫外單面光刻機
ure-2000/600 紫外單面光刻機,光束口徑: 650mm×650mm,對準(zhǔn)精度: ±1.5μm
更新時間:2025-04-17
無掩膜單面光刻機
ds-2000/14k 無掩膜單面光刻機,采用 dmd 作為數(shù)字掩模,像素數(shù) 1024×768,采用 14 倍縮小投影光刻物鏡成像。
更新時間:2025-04-17
型無掩模單面光刻機
ds-2000/14g 型無掩模單面光刻機,采用 dmd 作為數(shù)字掩模,像素數(shù) 1024×768 或 1920×1080 或 25601600 三種選配,采用縮小投影光刻物鏡成像,分辨力 1um。
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000/35a 型紫外單面光刻機,,非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,全自動)和高校教學(xué)科研(可靠性好,演示方便)采用自動找平,具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能,自動分離對準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙,采用 350w 進口(德國)直流汞燈,可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制,性能非?煽浚詣踊潭群芨,操作十分方便。
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,自動化程度高)和高校教學(xué)科研(可靠性好,演示方便)采用自動找平,具備真空接觸曝光、硬接觸曝、壓力接觸曝以及接近式曝光四種功能,自動分離對準(zhǔn)間隙和消除曝光間隙,采用 350w 進口(德國)直流汞燈,可調(diào)節(jié)光的能量密度。設(shè)備外形美觀精制,性能非?煽浚詣踊潭群芨,操作十分方便。
更新時間:2025-04-17
紫外單面光刻機
ure-2000/35l 型紫外單面光刻機,曝光面積:100mm×100mm;分辨力:1.0 μm(膠厚 2.0 μm 的正膠,365nm 波長)
更新時間:2025-04-17
英國Nanobean  電子束光刻機
英國nanobean nb5 電子束光刻機,具有良好的穩(wěn)定性,平均正常運行時間超過93%.
更新時間:2025-04-17
美國Trion 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機
minilock-phantom iii 具有預(yù)真空室的反應(yīng)離子刻蝕機。適用于單個基片或帶承片盤的基片(3” - 300mm尺寸),為實驗室和試制線生產(chǎn)環(huán)境提供最先進的刻蝕能力。它也具有多尺寸批量處理(4x3”; 3x4”; 7x2”)。系統(tǒng)有多達七種工藝氣體可以用于刻蝕各種薄膜,如氧化硅、氮化硅、多晶硅、鋁、砷化鎵、鉻、銅、磷化銦和鈦。
更新時間:2025-04-17
美國Trion反應(yīng)離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應(yīng)室構(gòu)成。這些工藝反應(yīng)室與中央負載鎖對接,既能夠以生產(chǎn)模式運行,也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng),既可以為實驗室環(huán)境進行配置(使用單基片裝卸),也可以為批量生產(chǎn)進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-04-17
美國Trion 離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
titan是一套用于半導(dǎo)體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動化、帶預(yù)真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應(yīng)離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學(xué)汽相沉積(pecvd)配置?蓪蝹基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-04-17
美國Trion 薄膜沉積系統(tǒng)
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨特的反應(yīng)器設(shè)計可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應(yīng)力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全,設(shè)施和工藝標(biāo)準(zhǔn)要求。
更新時間:2025-04-17
美國Trion 高密度化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
orion hdcvd 高密度氣相化學(xué)沉積系統(tǒng)采用高密度的化學(xué)氣相沉積技術(shù),在惰性氣體進入口安裝感應(yīng)線圈,周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當(dāng)惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時,會發(fā)生化學(xué)反應(yīng),然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-04-17
德Zeiss 電子束直寫儀
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑,采用電子束直接曝光,可在各種襯底材料表面直寫各種圖形,圖形結(jié)構(gòu)(小線寬為10mm),是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應(yīng)用于納米器件,光子晶體,低維半導(dǎo)體等沿域。
更新時間:2025-04-17
俄羅斯 Optosystem 準(zhǔn)分子激光器
俄羅斯 optosystem 準(zhǔn)分子激光器:cl7000, 準(zhǔn)分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器,由于波長短(紫外),短脈沖寬度,高脈沖能量,是激光器家族不可替代的品種!應(yīng)用上,準(zhǔn)分子激光器在脈沖沉積鍍膜(pld),光纖光柵刻寫,lasik,光刻,微納加工等方面占主導(dǎo)的地位。
更新時間:2025-04-17
英國 DENTON 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-04-17
英國 Denton 熱蒸發(fā)濺射儀
denton 熱蒸發(fā)濺射儀dv-502b,在大氣和高真空之間快速循環(huán)。
更新時間:2025-04-17
法Plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機meb550sl3,可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜,目全球主要超導(dǎo)量子實驗室均使用該設(shè)備制備超導(dǎo)al結(jié)(量子比特和約瑟夫森結(jié))和量子器件,可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復(fù)性超導(dǎo)結(jié)。
更新時間:2025-04-17
臺式三維原子沉積系統(tǒng)ALD
美arradiance 臺式三維原子沉積系統(tǒng)ald,在小巧的機身(78 x56 x28 cm)中集成了原子層沉積所需的所有功能,可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁,結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱,管路加熱,橫向噴頭等設(shè)計,使溫度均勻性高達99.9%,氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)
德國 sentech pe-ald 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng),是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積(peald)是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ald性能的先進方法。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子沉積機
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機,具有特殊的等離子體特性,如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子沉積機
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機,。它是基于平面電容耦合等離子體源,真空加載鎖定,控溫基片電,可選配低頻混頻,全控?zé)o油真空系統(tǒng)采用先進的森泰克控制軟件,采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù),具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子沉積機
pecvd depolab 200 等離子體沉積機,將平行板等離子體源設(shè)計與直接負載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機、低頻電源和額外的燃氣管道。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子刻蝕機
sentech etchlab200 經(jīng)濟型反應(yīng)離子刻蝕機(可升級),包括抽速更大的真空單元、預(yù)真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-04-17
德國 Sentech 等離子刻蝕機
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機是一種將rie平行板電設(shè)計的優(yōu)點與直接負載的低成本設(shè)計相結(jié)合的直接負載等離子體蝕刻機系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能,從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-04-17

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