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光學平臺產(chǎn)品及廠家

日本JEOL 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡
日本jeol 熱場發(fā)射掃描電子顯微鏡 jsm-7200f,jsm-7200f的電子光學系統(tǒng)應用了日本電子旗艦機-jsm-7800f prime采用的浸沒式肖特基電子槍技術(shù),標配了ttls系統(tǒng)(through-the-lens system),因此無論是在高/低加速電壓下,空間分辨率都比傳統(tǒng)機型有了很大的提升。
更新時間:2025-02-14
百及納米PancanNano電子束光刻機
新一代超高精度電子束光刻機 p21,樣品尺寸覆蓋 2/4/6 英寸晶圓,超高寫場拼接精度,電子束閉環(huán)控制系統(tǒng),束流的時間及空間穩(wěn)定性高,高性能 30 kv 電子束光刻機。
更新時間:2025-02-14
OptiCool超精準全開放強磁場低溫光學研究平臺
opticool超精準全開放強磁場低溫光學研究平臺,系統(tǒng)擁有3.8英寸超大樣品腔、雙錐型劈裂磁體,可在超大空間為您提供高達±7t的磁場。多達7個側(cè)面窗口、1個頂部超大窗口方便光線由各個方向引入樣品腔,高度集成式的設計讓您的樣品在擁有低溫磁場的同時擺脫大型低溫系統(tǒng)的各種束縛。
更新時間:2025-02-14
低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡
attoafm/attomfm/attoshpm 低溫強磁場原子力/磁力/掃描霍爾顯微鏡,采用模塊化的設計。利用標配的控制器和樣品掃描臺,用戶僅需要更換掃描頭和對應的光學部件即可實現(xiàn)不同功能之間的切換。
更新時間:2025-02-14
德國 PVA TePla 等離子去膠機
ion 100wb-40q 德國 pva tepla 等離子去膠機,最新推出的具有高性價比的真空等離子去膠設備,配備了一個圓筒石英腔,特別適用于半導體、led、mems等領(lǐng)域的光刻膠灰化、打殘膠、氮化物刻蝕、表面清潔等應用的批次處理。
更新時間:2025-02-14
美國TED 高分辨離子濺射儀
208hr高分辨離子濺射儀-適用于場發(fā)射掃描電鏡,可選擇多種鍍膜材料,精確的膜厚控制,樣品臺控制靈活,多個樣品座,樣品室?guī)缀慰勺儯瑢挿秶牟僮鲏毫,緊湊、現(xiàn)代的桌上型設計,操作容易。
更新時間:2025-02-14
全自動上側(cè)或后側(cè)光刻機
oai 6000 fsa 全自動上側(cè)或后側(cè)光刻機,具有完全自動化的亞微米分辨率的頂側(cè)或背側(cè)對齊,提供無與倫比的性價比。
更新時間:2025-02-14
德國KSI 四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-quattro四探頭超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng),四探頭系統(tǒng),同時使用4只換能器
更新時間:2025-02-14
德國 KSI 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng)
ksi v-octo 八探頭大型超聲波掃描顯微鏡系統(tǒng),該系統(tǒng)同時使用8只換能器,能最大限度的確?焖賵D像采集和高效能。
更新時間:2025-02-14
KSI 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v1000e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡,用于研發(fā)和生產(chǎn)部門檢測特大件樣品
更新時間:2025-02-14
德國KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v700e 單探頭超聲波掃描顯微鏡,用于檢測大件樣品
更新時間:2025-02-14
德國 KSI  單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡
ksi v400e 單探頭多用途超聲波掃描顯微鏡,是實驗室、研發(fā)和工業(yè)生產(chǎn)線主流機型。
更新時間:2025-02-14
德國 KSI 單探頭超聲波掃描顯微鏡
ksi v300e 單探頭超聲波掃描顯微鏡,掃描機械機構(gòu)
更新時間:2025-02-14
美國Trion反應離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
oracle iii由中央真空傳輸系統(tǒng)(cvt)、真空盒升降機和最多四個工藝反應室構(gòu)成。這些工藝反應室與中央負載鎖對接,既能夠以生產(chǎn)模式運行,也能夠作為單個系統(tǒng)獨立作業(yè)。 oracle iii是市場上最靈活的系統(tǒng),既可以為實驗室環(huán)境進行配置(使用單基片裝卸),也可以為批量生產(chǎn)進行配置(使用真空盒升降機進行基片傳送)。
更新時間:2025-02-14
美國Trion 離子刻蝕與沉積系統(tǒng)
titan是一套用于半導體生產(chǎn)的十分緊湊、全自動化、帶預真空室的等離子系統(tǒng)。titan具有反應離子刻蝕(rie)配置、高密度電感耦合等離子沉積(hdicp)或等離子增強型化學汽相沉積(pecvd)配置?蓪蝹基片或帶承片盤的基片(3”-300mm)進行處理。它還具有多尺寸批量處理功能。價格適宜且占地面積小。
更新時間:2025-02-14
美國Trion 薄膜沉積系統(tǒng)
美國trion orion iii pecvd 薄膜沉積系統(tǒng)可以在緊湊的平臺上生產(chǎn)高品質(zhì)的薄膜。獨特的反應器設計可以在在極低的功率生產(chǎn)具有優(yōu)異臺階覆蓋的低應力薄膜。該系統(tǒng)可以滿足實驗室和中試生產(chǎn)環(huán)境中的所有安全,設施和工藝標準要求。
更新時間:2025-02-14
美國Trion 高密度化學氣相沉積系統(tǒng)
orion hdcvd 高密度氣相化學沉積系統(tǒng)采用高密度的化學氣相沉積技術(shù),在惰性氣體進入口安裝感應線圈,周圍布置陶瓷管。射頻創(chuàng)建等離子體,通過氣體環(huán)在襯底表面附近引入揮發(fā)性氣體。當惰性氣體與揮發(fā)性物質(zhì)結(jié)合時,會發(fā)生化學反應,然后在襯底表面沉積一層薄膜.
更新時間:2025-02-14
德Zeiss 電子束直寫儀
德zeiss sigma sem 電子束直寫儀,利用曝光抗蝕劑,采用電子束直接曝光,可在各種襯底材料表面直寫各種圖形,圖形結(jié)構(gòu)(小線寬為10mm),是研究材料在低維度、小尺寸下量子行為的重要工具。廣泛應用于納米器件,光子晶體,低維半導體等沿域。
更新時間:2025-02-14
俄羅斯 Optosystem 準分子激光器
俄羅斯 optosystem 準分子激光器:cl7000, 準分子激光器是傳統(tǒng)的氣體激光器,由于波長短(紫外),短脈沖寬度,高脈沖能量,是激光器家族不可替代的品種!應用上,準分子激光器在脈沖沉積鍍膜(pld),光纖光柵刻寫,lasik,光刻,微納加工等方面占主導的地位。
更新時間:2025-02-14
英國 DENTON 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺
denton 磁控濺射及電子束蒸發(fā)薄膜沉積平臺,提供了薄膜工業(yè)中廣泛的配置和沉積模式:電子束蒸發(fā)、電阻蒸發(fā)、濺射、離子鍍和離子輔助沉積。
更新時間:2025-02-14
英國 Denton 熱蒸發(fā)濺射儀
denton 熱蒸發(fā)濺射儀dv-502b,在大氣和高真空之間快速循環(huán)。
更新時間:2025-02-14
法Plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機
法plassys超高真空多腔體電子束鍍膜機meb550sl3,可以用于沉積ti, ni, au, cr, al, al2o3等金屬及氧化物薄膜,目全球主要超導量子實驗室均使用該設備制備超導al結(jié)(量子比特和約瑟夫森結(jié))和量子器件,可以制備大面積、高度穩(wěn)定性和可重復性超導結(jié)。
更新時間:2025-02-14
臺式三維原子沉積系統(tǒng)ALD
美arradiance 臺式三維原子沉積系統(tǒng)ald,在小巧的機身(78 x56 x28 cm)中集成了原子層沉積所需的所有功能,可最多容納9片8英寸基片同時沉積。gemstar xt全系配備熱壁,結(jié)合前驅(qū)體瓶加熱,管路加熱,橫向噴頭等設計,使溫度均勻性高達99.9%,氣流對溫度影響減少到0.03%以下。
更新時間:2025-02-14
德國 Sentech 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)
德國 sentech pe-ald 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng),是在3d結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積(peald)是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ald性能的先進方法。
更新時間:2025-02-14
德國 Sentech 等離子沉積機
德國 sentech si 500 d 等離子沉積機,具有特殊的等離子體特性,如高密度、低離子能量和介質(zhì)膜的低壓沉積。
更新時間:2025-02-14
德國 Sentech 等離子沉積機
德國sentech pecvd si 500 ppd等離子沉積機,。它是基于平面電容耦合等離子體源,真空加載鎖定,控溫基片電,可選配低頻混頻,全控無油真空系統(tǒng)采用先進的森泰克控制軟件,采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù),具有非常友好的通用用戶界面用于操作si 500 ppd的用戶界面。
更新時間:2025-02-14
德國 Sentech 等離子沉積機
pecvd depolab 200 等離子體沉積機,將平行板等離子體源設計與直接負載相結(jié)合,可以升為更大的抽油機、低頻電源和額外的燃氣管道。
更新時間:2025-02-14
德國 Sentech 等離子刻蝕機
sentech etchlab200 經(jīng)濟型反應離子刻蝕機(可升級),包括抽速更大的真空單元、預真空室及附加氣路等。
更新時間:2025-02-14
德國 Sentech 等離子刻蝕機
etchlab 200 rie等離子體蝕刻機是一種將rie平行板電設計的優(yōu)點與直接負載的低成本設計相結(jié)合的直接負載等離子體蝕刻機系列。etchlab 200具有簡單快速的樣品加載功能,從零件到200a‰mm或300a‰mm直徑的晶圓片直接加載到電或載體上。
更新時間:2025-02-14
德國 Sentech 反應離子刻蝕機
entech rie si591 平板電容式反應離子刻蝕機,兼容多種氯基或氟基刻蝕工藝;小型化和高度模塊化;sentech控制軟件
更新時間:2025-02-14
德國 Sentech 等離子刻蝕機
德國sentech icp-rie si 500 等離子刻蝕機,代表了電感耦合等離子體(icp)加工在研究和生產(chǎn)上的先優(yōu)勢。它以ptsa等離子體源、動態(tài)控溫基片電、全控真空系統(tǒng)、先進的sentech 控制軟件為基礎(chǔ),采用遠程現(xiàn)場總線技術(shù),為操作si 500提供了非常人性化的通用用戶界面。靈活性和模塊化是si 500的設計特點。
更新時間:2025-02-14
德國 Sentech 等離子體 ICP 干法刻蝕機
sentech si 500 電感耦合等離子體icp干法刻蝕系統(tǒng),感應耦合等離子刻蝕機臺,低損傷納米結(jié)構(gòu)刻蝕,高速率刻蝕,內(nèi)置icp等離子源,動態(tài)溫控。
更新時間:2025-02-14
紫外單面光刻機
ure-2000系列紫外單面光刻機,主要型號有:ure-2000a,ure-2000b,ure-20000/35,ure-20000/35a,ure-2000/25,ure-2000/17.由中國科學院制造生產(chǎn)。
更新時間:2025-02-14
紫外單面光刻機
ure-2000/a8 紫外單面光刻機,中科院設計生產(chǎn)。曝光面積: 200mm×200mm
更新時間:2025-02-14
紫外單面光刻機
ure-2000a 型紫外單面光刻機,中科院設計生產(chǎn),曝光面積:150mmx150mm
更新時間:2025-02-14
紫外單面光刻機
ure-2000b 型紫外單面光刻機,中科院設計生產(chǎn),曝光面積:100mmx100mm
更新時間:2025-02-14
紫外單面光刻機
ure-2000/35 型紫外單面光刻機,中科院設計生產(chǎn),曝光面積:4 英寸 ,非常適合工廠(效率高,操作傻瓜型,自動化程度高)和高校教學科研 (可靠性好,演示方便) 。
更新時間:2025-02-14
芬蘭 PICOSUN 原子層沉積機
芬蘭 picosun r-200標準型ald,為液體、氣體和固體化學物提供的更高級的,易更換的前驅(qū)源系統(tǒng),能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。 在最基本的picosun™ r系列配置中可以選擇多個獨立的,完全分離的源入口匹配多種類型的前驅(qū)源。
更新時間:2025-02-14
PICOSUN 生產(chǎn)型原子層沉積機
德國 picosun p-1000 pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機,156 mm x 156 mm硅片800~1000片/批次(雙面/背對背),高達400 mm x 600 mm玻璃基板30~50片/批次(雙面/背對背),(w x h x d) 230 cm x 270 cm x 125 cm,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-02-14
高級型原子層沉積機
picosun p-300 advanced ald 高級型原子層沉積機.156 mm x 156 mm硅片50~100片/批次(雙面/背對背),高達300 mm x 300 mm玻璃基板10~20片/批次(雙面/背對背);roll-to-roll, 襯底最大寬 300 mm。全自動轉(zhuǎn)載,用工業(yè)機器人實現(xiàn),標準設備驗收標準為 al2o3 工藝 .
更新時間:2025-02-14
高級原子沉積機
picosun p-300b advanced ald 高級原子沉積機,基片尺寸和類型 300mm晶圓10片/批次(標準間距),200mm晶圓25+2片/批次(標準間距),(w x h x d) 149 cm x 191 cm x 111 cm,標準設備驗收標準為 al2o3 工藝.
更新時間:2025-02-14
生產(chǎn)線型原子層沉積機
p-300s 生產(chǎn)線型原子層沉積機,最大300mm晶圓/單片,25片晶圓盒對盒式全自動裝載(cassette-to-cassette),用picoplatform™ 300集群系統(tǒng)實現(xiàn),尺寸:(w x h x d) 160 cm x 80 cm x 240 cm
更新時間:2025-02-14
生產(chǎn)型原子層沉積機
p-300f,p-300bv 生產(chǎn)型原子層沉積機,p-300f pro: 27片晶圓盒對盒式全自動裝載(cassette-to-cassette),用picoplatform™200集群系統(tǒng)實現(xiàn)。p-300bv pro: 52片晶圓盒對盒式全自動裝載,用真空批量load lock實現(xiàn)。
更新時間:2025-02-14
生產(chǎn)型原子層沉積機
picosun p-200s pro ald 生產(chǎn)型原子層沉積機 ,襯底尺寸和類型: 。50 – 200 mm /單片 。156 mm x 156 mm 太陽能硅片 。150 mm x 150 mm 顯示面板
更新時間:2025-02-14
高級型原子層沉積機
芬蘭picosun™ r-200高級型 ald,襯底尺寸和類型 : 。50-200 mm /單片 。156 mm x 156 mm太陽能硅片 。3d復雜表面襯底 。粉末與顆粒 。roll-to-roll , 襯底最大寬 70 mm 。多孔,通孔,高深寬比(har)樣品
更新時間:2025-02-14
標準型原子層沉積機ALD
picosun™ r-200標準型原子層沉積機,picosun™ r系列設備提供高質(zhì)量ald薄膜的沉積技術(shù),并在各種各樣的襯底上都表現(xiàn)極佳的均勻性,包括最具挑戰(zhàn)性的通孔的、超高深寬比和顆粒等樣品。 我們?yōu)橐后w、氣體和固體化學物提供的更高級的,易更換的前驅(qū)源系統(tǒng),能夠在晶圓、3d樣品和各種納米特性的樣品上生長顆粒度最小的薄膜層。
更新時間:2025-02-14
牛津等離子體刻蝕機
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機,是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸,是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
更新時間:2025-02-14
等離子去膠機(灰化)
plasmapro 80 rie 牛津等離子體刻蝕機,是一種結(jié)構(gòu)緊湊、小尺寸且使用方便的直開式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸,是研究和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高質(zhì)量的工藝。
更新時間:2025-02-14
牛津ICP等離子沉積機
plasmapro 80 icpcvd 牛津icp等離子沉積機,是一種結(jié)構(gòu)緊湊且使用方便的小型直開式系統(tǒng),可以提供多種刻蝕和沉積的解決方案。 它易于放置,便于使用,且能夠確保工藝性能。直開式設計可實現(xiàn)快速晶圓裝卸,是科學研究、原型設計和小批量生產(chǎn)的理想選擇。 它通過優(yōu)化的電冷卻和出色的襯底溫度控制來實現(xiàn)高性能工藝。
更新時間:2025-02-14
牛津Oxford等離子刻蝕與沉積設備
牛津oxford system 100 等離子刻蝕與沉積設備,該設備是一個靈活和功能強大的等離子體刻蝕和淀積工藝設備,具有工藝靈活性,適用于化合物半導體,光電子學,光子學,微機電系統(tǒng)和微流體技術(shù).
更新時間:2025-02-14

最新產(chǎn)品

熱門儀器: 液相色譜儀 氣相色譜儀 原子熒光光譜儀 可見分光光度計 液質(zhì)聯(lián)用儀 壓力試驗機 酸度計(PH計) 離心機 高速離心機 冷凍離心機 生物顯微鏡 金相顯微鏡 標準物質(zhì) 生物試劑